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题名激光退火技术在分立器件中应用的研究
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作者
王雷
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机构
上海华虹宏力半导体制造有限公司
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出处
《功能材料与器件学报》
CAS
2024年第5期281-286,共6页
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文摘
激光退火是一种激活效率高,热预算小,激活深度可控的激活工艺,对具有垂直结构的分立器件进行背面注入退火激活时,可以大大降低热预算,避免背面工艺对正面器件的影响,进一步降低超薄片在加工中因形变导致的翘曲和碎裂。本文以FS-IGBT背面注入退火为例,对激光退火工艺参数与激光退火设备硬件参数进行了研究,在传统激光退火理论模型的基础上,首次通过理论分析和实验结果验证了多光束激光退火设备的交叠时间与交叠范围、聚焦光斑尺寸、聚焦深度等重要设备参数对分立器件影响,对激光退火技术在分立器件中的应用与激光退火工艺与激光退火设备标准化及理论模型与实际相结合提供了有益参考。
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关键词
激光退火
分立器件
FS-IGBT
多光束激光退火
超薄片
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Keywords
laser annealing
Power Device
FS-IGBT
multiple laser annealing
Thin wafer
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分类号
TN249
[电子电信—物理电子学]
TN322.8
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