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Pb_(1-x)Ge_xTe薄膜在铁电相变点的折射率异常 被引量：1
1
作者 李斌 江锦春 +1 位作者 张素英 张凤山 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第10期1062-1066,共5页
对在 8 0～ 30 0K温度范围测量的Pb1-xGexTe(x =0 0 6 )薄膜透射谱采用Lorentz谐振子模型进行拟合得到折射率 .研究发现 :在其铁电相变温度 15 0K折射率出现极大值 .折射率的极大值是晶体电容率异常的标志 ,而晶体电容率异常正是晶体... 对在 8 0～ 30 0K温度范围测量的Pb1-xGexTe(x =0 0 6 )薄膜透射谱采用Lorentz谐振子模型进行拟合得到折射率 .研究发现 :在其铁电相变温度 15 0K折射率出现极大值 .折射率的极大值是晶体电容率异常的标志 ,而晶体电容率异常正是晶体相变具有铁电性的反映 ,因此同电阻和比热一样 ,折射率在铁电相变点也出现了异常 .在所研究的光谱及温度范围 ,折射率与材料的禁带宽度不遵循Moss定则等经验公式 . 展开更多
关键词 Pb1-xGexTe 折射率 铁电相变 moss定则 禁带宽度
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Zn_(1-x)Fe_xSe薄膜的折射率及Moss定则
2
作者 张汝贞 张连生 +1 位作者 梅良模 刘宜华 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第24期2224-2228,共5页
ZnSe是一种直接型宽带隙半导体材料,适用于制作可见光短波长的光电子器件,如蓝发光二极管,蓝紫半导体激光器等,它还是一种很好的红外窗口材料,因此早在70年代就引起人们的兴趣。近年来,以ZnSe为母体的稀释磁性半导体材料Zn_(1-x)Fe_xSe,... ZnSe是一种直接型宽带隙半导体材料,适用于制作可见光短波长的光电子器件,如蓝发光二极管,蓝紫半导体激光器等,它还是一种很好的红外窗口材料,因此早在70年代就引起人们的兴趣。近年来,以ZnSe为母体的稀释磁性半导体材料Zn_(1-x)Fe_xSe,Zn_(1-x)Mn_xSe等的研究工作进展迅速,因为它们有许多独特的磁学和光学性质。 展开更多
关键词 moss定则 锌铁硒 薄膜 半导体
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