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单层和双层二硫化钼化学气相沉积生长的动力学蒙特卡罗模拟研究（英文）
被引量：
3
1
作者
陈帅
高峻峰
+1 位作者
SRINIVASAN Bharathi M.
张永伟
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2019年第10期1119-1127,共9页
通过化学气相沉积方法,可控合成所需层数的二硫化钼仍然是一个挑战。因此,建立一个能够定量预测单层和多层二硫化钼生长的理论模型,并为实验制备提供指导,是十分必要的。在本文中,我们建立了一个动力学蒙特卡罗模型,来预测单层和双层二...
通过化学气相沉积方法,可控合成所需层数的二硫化钼仍然是一个挑战。因此,建立一个能够定量预测单层和多层二硫化钼生长的理论模型,并为实验制备提供指导,是十分必要的。在本文中,我们建立了一个动力学蒙特卡罗模型,来预测单层和双层二硫化钼的化学气相沉积生长。首先,我们提出了第一层和第二层的生长速率受吸附原子浓度分布的控制,以及紧凑三角形二硫化钼的生长过程为扭结成核和传播。其中,原子浓度是由吸附原子流量,吸附原子的有效寿命,生长温度,边的单位长度能量,单层和双层的单位面积结合能,成核准则决定的。扭结成核和传播是由锯齿边和扶手边附加原子所需的能量势垒决定的。然后,我们采用热力学理论准则对这些参数进行了标定。通过标定的动力学蒙特卡罗模型,我们发现第二层的生长速率与第一层的尺寸有很强的依赖性。随着第一层尺寸增加,第二层的生长速率呈单调递减趋势,甚至在第一层达到某个尺寸时,第二层的生长会被抑制。此外,我们还分析了不同生长温度和吸附原子流量下,双层二硫化钼的尺寸和形貌演化。在双层二硫化钼的整个生长过程中,第一层和第二层的形貌保持紧凑三角形,验证了扭结成核和传播模型的正确性。模拟结果表明,生长温度的升高或吸附原子流量的降低,促进了双层二硫化钼的生长,这与已报导的实验结果相吻合。生长温度升高使得第二层二硫化钼边缘的吸附原子浓度,随着远离第二层边缘的吸附原子浓度降低而相应降低,促进了双层二硫化钼的生长。同样,吸附原子流量降低减小了基体上的吸附原子浓度,降低了第一层远离边缘和靠近边缘的吸附原子浓度差,从而减缓了第一层的生长。第一层的生长减慢,减缓了第二层远离边缘和靠近边缘的吸附原子浓度差减小到零,从而促进双层二硫化�
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关键词
二硫化钼
单层生长
双层生长
化学气相沉积
动力学蒙特卡罗
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职称材料
四氯二苯二氧芑对人舌鳞癌细胞增生机制的研究
2
作者
曹群立
Charles D Hebert
《卫生毒理学杂志》
CSCD
1990年第3期142-144,192,共4页
应用人舌鳞癌细胞株SCC-15G和SCC-25,通过单层细胞生长的细胞数和~3H-TdR掺入DNA的观察,进一步阐明了2,3,7,8-四氯二苯二氧(艹己)(TCDD)诱导刺激上皮细胞增生是由于降低了高密度生长抑制的敏感性引起的。SCC-15G细胞可作为研究TCDD对上...
应用人舌鳞癌细胞株SCC-15G和SCC-25,通过单层细胞生长的细胞数和~3H-TdR掺入DNA的观察,进一步阐明了2,3,7,8-四氯二苯二氧(艹己)(TCDD)诱导刺激上皮细胞增生是由于降低了高密度生长抑制的敏感性引起的。SCC-15G细胞可作为研究TCDD对上皮细胞作用机制的理想模型。SCC-25细胞对TCDD反应较弱且不稳定,不宜用于研究上皮细胞增生机制。
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关键词
舌
鳞癌
细胞增殖
四氯二苯
二氧芑
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职称材料
单层MoS_(2)薄膜的NaCl双辅助生长方法
3
作者
王奋陶
樊腾
+5 位作者
张仕雄
孙真昊
付雷
贾伟
沈波
唐宁
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第12期481-488,共8页
以单层二硫化钼(MoS_(2))为代表的过渡金属硫族化合物半导体材料具有良好的光学、电学性质,近十年来引起了人们广泛的研究兴趣.合成高质量单层MoS_(2)薄膜是科学研究及工业应用的基础.最近科研人员提出了盐辅助化学气相沉积生长单层薄...
以单层二硫化钼(MoS_(2))为代表的过渡金属硫族化合物半导体材料具有良好的光学、电学性质,近十年来引起了人们广泛的研究兴趣.合成高质量单层MoS_(2)薄膜是科学研究及工业应用的基础.最近科研人员提出了盐辅助化学气相沉积生长单层薄膜的方法,大大提高了单层MoS_(2)薄膜的生长速度及晶体质量.本文基于此方法,提出利用氯化钠(NaCl)的双辅助方法,成功制备了高质量的单层MoS_(2)薄膜.光致发光(PL)谱显示其发光强度比无NaCl辅助生长的样品有了明显的提高.本文提出的NaCl双辅助生长方法为二维材料的大规模生长提供了思路.
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关键词
二硫化钼
化学气相沉积
氯化钠双辅助作用
单层薄膜生长
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职称材料
题名
单层和双层二硫化钼化学气相沉积生长的动力学蒙特卡罗模拟研究（英文）
被引量：
3
1
作者
陈帅
高峻峰
SRINIVASAN Bharathi M.
张永伟
机构
新加坡科技研究局高性能计算研究院
出处
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2019年第10期1119-1127,共9页
基金
supported by the Science and Engineering Research Council through Grant(152-70-00017)
Use of Computing Resources at the A*STAR Computational Resource Centre and National Supercomputer Centre,Singapore
文摘
通过化学气相沉积方法,可控合成所需层数的二硫化钼仍然是一个挑战。因此,建立一个能够定量预测单层和多层二硫化钼生长的理论模型,并为实验制备提供指导,是十分必要的。在本文中,我们建立了一个动力学蒙特卡罗模型,来预测单层和双层二硫化钼的化学气相沉积生长。首先,我们提出了第一层和第二层的生长速率受吸附原子浓度分布的控制,以及紧凑三角形二硫化钼的生长过程为扭结成核和传播。其中,原子浓度是由吸附原子流量,吸附原子的有效寿命,生长温度,边的单位长度能量,单层和双层的单位面积结合能,成核准则决定的。扭结成核和传播是由锯齿边和扶手边附加原子所需的能量势垒决定的。然后,我们采用热力学理论准则对这些参数进行了标定。通过标定的动力学蒙特卡罗模型,我们发现第二层的生长速率与第一层的尺寸有很强的依赖性。随着第一层尺寸增加,第二层的生长速率呈单调递减趋势,甚至在第一层达到某个尺寸时,第二层的生长会被抑制。此外,我们还分析了不同生长温度和吸附原子流量下,双层二硫化钼的尺寸和形貌演化。在双层二硫化钼的整个生长过程中,第一层和第二层的形貌保持紧凑三角形,验证了扭结成核和传播模型的正确性。模拟结果表明,生长温度的升高或吸附原子流量的降低,促进了双层二硫化钼的生长,这与已报导的实验结果相吻合。生长温度升高使得第二层二硫化钼边缘的吸附原子浓度,随着远离第二层边缘的吸附原子浓度降低而相应降低,促进了双层二硫化钼的生长。同样,吸附原子流量降低减小了基体上的吸附原子浓度,降低了第一层远离边缘和靠近边缘的吸附原子浓度差,从而减缓了第一层的生长。第一层的生长减慢,减缓了第二层远离边缘和靠近边缘的吸附原子浓度差减小到零,从而促进双层二硫化�
关键词
二硫化钼
单层生长
双层生长
化学气相沉积
动力学蒙特卡罗
Keywords
MoS2
monolayer
growth
Bilayer
growth
Chemical
vapor
deposition
Kinetic
Monte
Carlo
分类号
O641 [理学—物理化学]
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职称材料
题名
四氯二苯二氧芑对人舌鳞癌细胞增生机制的研究
2
作者
曹群立
Charles D Hebert
机构
上海医科大学预防医学研究所
美国国立环境健康科学研究所
出处
《卫生毒理学杂志》
CSCD
1990年第3期142-144,192,共4页
文摘
应用人舌鳞癌细胞株SCC-15G和SCC-25,通过单层细胞生长的细胞数和~3H-TdR掺入DNA的观察,进一步阐明了2,3,7,8-四氯二苯二氧(艹己)(TCDD)诱导刺激上皮细胞增生是由于降低了高密度生长抑制的敏感性引起的。SCC-15G细胞可作为研究TCDD对上皮细胞作用机制的理想模型。SCC-25细胞对TCDD反应较弱且不稳定,不宜用于研究上皮细胞增生机制。
关键词
舌
鳞癌
细胞增殖
四氯二苯
二氧芑
Keywords
2,3,7,8-Tetrachlorodibenzo-p-Dioxin
(TCDD
)
Human
squamous
carcinoma
cell
(
SCC
)
monolayer
growth
of
cells
DNA
synthesis
分类号
R114 [医药卫生—卫生毒理学]
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职称材料
题名
单层MoS_(2)薄膜的NaCl双辅助生长方法
3
作者
王奋陶
樊腾
张仕雄
孙真昊
付雷
贾伟
沈波
唐宁
机构
太原理工大学
北京大学物理学院
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第12期481-488,共8页
基金
国家重点研发计划(批准号:2018YFE0125700)
国家自然科学基金(批准号:61574006,61927806)资助的课题。
文摘
以单层二硫化钼(MoS_(2))为代表的过渡金属硫族化合物半导体材料具有良好的光学、电学性质,近十年来引起了人们广泛的研究兴趣.合成高质量单层MoS_(2)薄膜是科学研究及工业应用的基础.最近科研人员提出了盐辅助化学气相沉积生长单层薄膜的方法,大大提高了单层MoS_(2)薄膜的生长速度及晶体质量.本文基于此方法,提出利用氯化钠(NaCl)的双辅助方法,成功制备了高质量的单层MoS_(2)薄膜.光致发光(PL)谱显示其发光强度比无NaCl辅助生长的样品有了明显的提高.本文提出的NaCl双辅助生长方法为二维材料的大规模生长提供了思路.
关键词
二硫化钼
化学气相沉积
氯化钠双辅助作用
单层薄膜生长
Keywords
MoS_(2)
chemical
vapor
deposition
NaCl
dual-assist
strategy
monolayer
film
growth
分类号
O782 [理学—晶体学]
TB383.2 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
单层和双层二硫化钼化学气相沉积生长的动力学蒙特卡罗模拟研究（英文）
陈帅
高峻峰
SRINIVASAN Bharathi M.
张永伟
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2019
3
下载PDF
职称材料
2
四氯二苯二氧芑对人舌鳞癌细胞增生机制的研究
曹群立
Charles D Hebert
《卫生毒理学杂志》
CSCD
1990
0
下载PDF
职称材料
3
单层MoS_(2)薄膜的NaCl双辅助生长方法
王奋陶
樊腾
张仕雄
孙真昊
付雷
贾伟
沈波
唐宁
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022
0
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