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SiC陶瓷材料分子动力学模拟概述
被引量：
2
1
作者
汤伟
朱定一
Lee Seung-Hyeob
《山东陶瓷》
CAS
2003年第6期11-13,共3页
SiC是第3代宽带隙半导体的核心材料之一,具有极为优良的物理化学性能,应用前景十分广阔。本文着重介绍SiC陶瓷材料的分子动力学模拟的势能模型及主要技术细节。
关键词
碳化硅
陶瓷材料
分子动力学模拟
分子间作用势
周期性边界条件
下载PDF
职称材料
题名
SiC陶瓷材料分子动力学模拟概述
被引量：
2
1
作者
汤伟
朱定一
Lee Seung-Hyeob
机构
福州大学材料科学与工程学院
韩国科学技术研究所
出处
《山东陶瓷》
CAS
2003年第6期11-13,共3页
基金
福州市自然科学基金资助项目(A0210008)
文摘
SiC是第3代宽带隙半导体的核心材料之一,具有极为优良的物理化学性能,应用前景十分广阔。本文着重介绍SiC陶瓷材料的分子动力学模拟的势能模型及主要技术细节。
关键词
碳化硅
陶瓷材料
分子动力学模拟
分子间作用势
周期性边界条件
Keywords
molecular
bynamic
simuladon
Silicon
carbide
Tersoff
potential
分类号
TQ174.1 [化学工程—陶瓷工业]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
SiC陶瓷材料分子动力学模拟概述
汤伟
朱定一
Lee Seung-Hyeob
《山东陶瓷》
CAS
2003
2
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职称材料
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