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题名微波退火对高k/金属栅中缺陷的修复
被引量：1
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作者
陈玫瑰
许鹏
潘建峰
吴东平
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机构
复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第6期428-433,共6页
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基金
国家自然科学基金资助项目(61176090)
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文摘
研究了微波退火(MWA)对高k/金属栅中缺陷的修复作用。在频率为1和100 kHz下,对所有Mo/HfO2/Si(100)金属-绝缘体-半导体(MIS)结构样品进行C-V特性测试。通过在频率为100 kHz下测量的C-V特性曲线提取出平带电压与电压滞回窗口,从而估算出高k/金属栅中固定电荷密度和电荷陷阱密度,并用Terman方法计算出快界面态密度。通过研究在频率为1 kHz下测量的C-V特性曲线扭结,定性描述高k/金属栅中的慢界面态密度。结果表明,微波退火后,固定电荷、电荷陷阱、快界面态和慢界面态得到一定程度的修复。此外,和快速热退火相比,在相似的热预算下,微波退火可修复高k/金属栅中更多的固定电荷、慢界面态和电荷陷阱。但对于快界面态的修复,微波退火没有明显的优势。
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关键词
高k/金属栅
微波退火
缺陷修复
C-V测试
mohfo2si
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Keywords
high-k/metal gate
microwave annealing
defect reparation
C-V measurement
Mo/HfO2/si
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分类号
TN305
[电子电信—物理电子学]
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