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Cr、Mn原子在Fe(100)表面的反常偏聚行为研究
1
作者 宋驰 《金陵科技学院学报》 2016年第3期59-62,共4页
采用第一性原理计算研究了合金原子Cr、Mn在Fe(100)表面的反常偏聚现象。将偏聚能分解为力学能、化学能和主格原子移除能3个部分。结果表明:力学能对偏聚的贡献较小,偏聚能的反常趋势是化学能与主格原子移除能竞争的结果。
关键词 Cr原子 mn原子 表面偏聚 力学能 化学能 主格原子移除能
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Ni对RPV模拟钢中富Cu原子团簇析出的影响 被引量：7
2
作者 周邦新 王均安 +5 位作者 刘庆东 刘文庆 王伟 林民东 徐刚 楚大锋 《中国材料进展》 CAS CSCD 2011年第5期1-6,33,共7页
用原子探针层析技术和时效模拟方法,研究了不同N i含量并且提高了Cu含量的反应堆压力容器(RPV)用模拟钢中富Cu、富N i和富Mn原子团簇的形成。结果表明,提高钢中的N i含量会促使富Cu原子团簇的析出,富Cu原子团簇中含有N i和Mn。实验检测... 用原子探针层析技术和时效模拟方法,研究了不同N i含量并且提高了Cu含量的反应堆压力容器(RPV)用模拟钢中富Cu、富N i和富Mn原子团簇的形成。结果表明,提高钢中的N i含量会促使富Cu原子团簇的析出,富Cu原子团簇中含有N i和Mn。实验检测到富N i的原子团簇,团簇中含有Cu和Mn,富N i原子团簇可以作为富Cu原子团簇析出时的形核区。实验还检测到富Mn原子团簇,当Mn原子团簇中含有较高的N i时,它也可以成为富Cu原子团簇析出时成核的地方。由于钢中的合金元素N i在形成富N i原子团簇后会成为富Cu原子团簇析出时成核区,因而提高N i的含量将促进富Cu原子团簇的析出,这是合金元素N i会增加压力容器钢中子辐照脆化敏感性的本质原因。 展开更多
关键词 压力容器钢 原子探针层析技术 富Cu原子团簇 富Ni原子团簇 富mn原子团簇
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回火温度对高锰钢耐磨性能的影响 被引量：8
3
作者 熊玉竹 杜建平 伍玉娇 《贵州工业大学学报（自然科学版）》 CAS 2001年第3期37-39,共3页
为进一步研究动态应变时效 (DSA)强化在高锰钢的加工硬化过程中对其耐磨性能的影响 ,将合金高锰钢和普通高锰钢进行不同温度的回火处理 ,并对其组织、结构、电阻及耐磨性能进行分析。结果发现合金高锰钢中的强碳化物形成元素Cr有效地扩... 为进一步研究动态应变时效 (DSA)强化在高锰钢的加工硬化过程中对其耐磨性能的影响 ,将合金高锰钢和普通高锰钢进行不同温度的回火处理 ,并对其组织、结构、电阻及耐磨性能进行分析。结果发现合金高锰钢中的强碳化物形成元素Cr有效地扩大了C -Mn有序原子对团簇微区 。 展开更多
关键词 合金高锰钢 C-mn原子对 有序团簇区 动态应变时效 耐磨性能 铬 回火温度
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Mn掺杂Co_(3)O_(4)电催化剂的制备及析氧反应性能研究
4
作者 黄楚蓉 岳鑫 《材料研究与应用》 CAS 2024年第2期235-240,共6页
氢能对于缓解能源危机和环境污染意义重大。电化学水分解过程中,阳极析氧反应(OER)作为能量转换装置的关键半反应,由于电子-质子转移形成了复杂的中间产物,导致动力学缓慢,限制了产氢速率。传统OER催化剂包括二氧化铱、二氧化钌等贵金属... 氢能对于缓解能源危机和环境污染意义重大。电化学水分解过程中,阳极析氧反应(OER)作为能量转换装置的关键半反应,由于电子-质子转移形成了复杂的中间产物,导致动力学缓慢,限制了产氢速率。传统OER催化剂包括二氧化铱、二氧化钌等贵金属,存在储量低、价格昂贵、稳定性差等缺点,因此设计开发高效、廉价的非贵金属OER催化剂是解决OER动力学缓慢问题的关键。尖晶石氧化物(AB_(2)O_(4))具有特殊的电子结构和优异的OER性能,并可通过杂元素原子掺杂进一步提高其OER性能,被认为是一种具有潜力的非贵金属电催化剂。采用一步水热法,合成了Mn掺杂Co_(3)O_(4)电催化剂Mn-Co_(3)O_(4),研究了其电催化性能和稳定性。结果表明,利用Mn原子的掺杂,构建了氧桥连的Mn-O-Co配位结构,通过协同耦合作用,提高了Mn-Co_(3)O_(4)的OER催化性能。制备的Mn-Co_(3)O_(4)催化剂表现出高效的催化活性,在电流密度10和100 mA·cm^(-2)下,其过电位分别为270和335 mV。Mn-Co_(3)O_(4)同时表现出快速的动力学性能,Tafel斜率低至74 mV·dec^(-1)。此外,Mn-Co_(3)O_(4)还具有优异的稳定性,在电流密度10 mA·cm^(-2)下可稳定保持40 h。本研究为开发高效的OER催化剂提供了思路。 展开更多
关键词 尖晶石氧化物 Co_(3)O_(4) mn原子掺杂 一步水热法 阳极析氧反应 非贵金属电催化剂 催化活性 稳定性
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Mn_5Ge_(2.7)M_(0.3)(M=Ga,Al,Sn)化合物的磁性和磁熵变 被引量：2
5
作者 刘喜斌 沈保根 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第12期5884-5889,共6页
研究了Mn5Ge2.7M0.3(M=Ga,Al,Sn)化合物的磁性和磁熵变.x射线衍射实验表明,研究的化合物均呈六角Mn5Si3型结构.三种原子对Ge原子的替代,使得平均Mn原子磁矩下降,但居里温度没有明显的变化.由于磁矩的降低,导致磁熵变值的下降,在磁场变化... 研究了Mn5Ge2.7M0.3(M=Ga,Al,Sn)化合物的磁性和磁熵变.x射线衍射实验表明,研究的化合物均呈六角Mn5Si3型结构.三种原子对Ge原子的替代,使得平均Mn原子磁矩下降,但居里温度没有明显的变化.由于磁矩的降低,导致磁熵变值的下降,在磁场变化为4.0×106A.m-1时,对应于M=Ga,Al和Sn的样品,最大磁熵变值ΔSmMax分别为6.1,6.3和5.3J.kg-1K-1,但磁熵变峰值的半高宽ΔTFWHM有所增加.另外,Mn5Ge2.7M0.3(M=Ga,Al,Sn)化合物在高于居里温度的Arrott曲线上出现了一个不连续点,即样品在一定温度下的顺磁磁化率在某一临界磁场下发生了突变,临界磁场与温度几乎呈正比关系.这可能是由于样品在加一定磁场时3d带的费米能级发生了变化,使得有效电子数的减少所致. 展开更多
关键词 居里温度 平均mn原子磁矩 磁熵变 Arrott图
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X射线吸收谱对Ga_(0.946)Mn_(0.054)As薄膜中缺陷的研究
6
作者 乔媛媛 肖正国 +3 位作者 曹先存 郭浩民 史同飞 王玉琦 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期429-434,共6页
采用低温分子束外延法(LT-MBE)制备出Ga0.946Mn0.054As稀磁半导体(DMS)薄膜.通过X射线吸收谱(XAS)研究影响Ga0.946Mn0.054As薄膜性质的主要缺陷Mn间隙原子(MnI)和As反位原子(AsGa).实验结果表明,在较低生长温度(TS=200℃)下Ga0.946Mn0.0... 采用低温分子束外延法(LT-MBE)制备出Ga0.946Mn0.054As稀磁半导体(DMS)薄膜.通过X射线吸收谱(XAS)研究影响Ga0.946Mn0.054As薄膜性质的主要缺陷Mn间隙原子(MnI)和As反位原子(AsGa).实验结果表明,在较低生长温度(TS=200℃)下Ga0.946Mn0.054As晶格中缺陷分布以As反位原子(AsGa)为主;较高生长温度(TS>230℃)时样品中主要缺陷是Mn间隙(MnI)原子.同时,在较高低温退火温度(250℃)下可以使样品内部MnI向表面大量析出,减少反铁磁相,达到最高居里温度(130K).XAS结果还表明,退火可以使得表面的AsGa缺陷脱附,驱动周围的MnI原子填补AsGa缺陷留下的空位,提高MnGa原子浓度. 展开更多
关键词 Ga0.946mn0.054As稀磁半导体 X射线吸收谱 As反位缺陷 mn间隙原子
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