改善微波功率管小电流特性的模拟分析

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作者 林绪伦 朱恩均 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第5期36-39,共4页

对于新型Ｎ￣＋ＩＰ发射结结构的微波功率管，采用一维数值模拟，分区计算了它的渡越时间，结果表明其截止频率的小电流特性可以获得明显的改善。

关键词 微波功率管 渡越时间 模拟

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L波段硅脉冲功率管52000器件小时的脉冲射频加速寿命试验 被引量：7

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作者 王因生 陶有迁 +4 位作者 徐全胜 金毓铨 傅义珠 丁晓明 王志楠 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期473-477,共5页

利用红外热像显微测量峰值结温方法对L波段硅脉冲功率晶体管在脉冲射频(f=1.3 GHz,Pin=40 W,τ=150μs,D=10%)和峰值结温220°C条件下进行52 000器件小时的脉冲射频加速寿命试验。由此估算出该功率管在峰值结温125°C和上述RF... 利用红外热像显微测量峰值结温方法对L波段硅脉冲功率晶体管在脉冲射频(f=1.3 GHz,Pin=40 W,τ=150μs,D=10%)和峰值结温220°C条件下进行52 000器件小时的脉冲射频加速寿命试验。由此估算出该功率管在峰值结温125°C和上述RF条件下,器件失效率λ≤1.59×10-7h-1。试验分析表明,采用本试验方法可以更真实地评估射频功率管的可靠性水平。 展开更多

关键词 硅微波脉冲功率管 可靠性 寿命试验 峰值结温

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1.2~1.4GHz 600W硅LDMOS微波功率晶体管研制 被引量：4

3

作者 应贤炜 王建浩 +3 位作者 王佃利 刘洪军 严德圣 顾晓春 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期207-212,共6页

针对雷达、通信、遥控遥测等领域对LDMOS大功率器件的迫切需求,基于南京电子器件研究所LDMOS技术平台,优化了版图布局、芯片结构,开发了50VL波段600 W硅LDMOS。该器件耐压大于115V,在50V工作电压、1.2~1.4GHz工作频率、300μs脉宽,10%... 针对雷达、通信、遥控遥测等领域对LDMOS大功率器件的迫切需求,基于南京电子器件研究所LDMOS技术平台,优化了版图布局、芯片结构,开发了50VL波段600 W硅LDMOS。该器件耐压大于115V,在50V工作电压、1.2~1.4GHz工作频率、300μs脉宽,10%占空比及15 W输入功率的工作条件下,输出功率大于630 W,增益大于16.3dB,漏极效率大于53.1%。所研制的芯片已进入相关工程应用。 展开更多

关键词 硅横向扩散金属-氧化物-半导体 L波段 微波功率晶体管

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2.6～2.8GHz 100W硅微波脉冲功率晶体管 被引量：3

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作者 黄雒光 赵丽华 +2 位作者 刘英坤 张鸿亮 潘茹 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第12期45-47,51,共4页

研究并制造了2.6～2.8GHz输出功率100W、脉宽1μs、占空比25%、增益7dB、效率35%的硅微波脉冲功率晶体管。本文介绍了该器件的设计考虑和采用的工艺技术,给出了研制结果。

关键词 硅 微波 脉冲 功率晶体管 内匹配

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2000W硅LDMOS微波脉冲大功率晶体管 被引量：3

5

作者 应贤炜 王佃利 +5 位作者 李相光 梅海 吕勇 刘洪军 严德圣 杨立杰 《固体电子学研究与进展》 CSCD 北大核心 2017年第6期401-405,共5页

针对雷达、等离子体射频源、广播通信等领域对LDMOS大功率器件的迫切需求,通过热仿真优化了芯片版图布局,通过芯片级Load-pull仿真优化了芯片结构,成功开发了50V千瓦级硅LDMOS功率管。该器件耐压大于140V,在50V工作电压、230MHz工作频率... 针对雷达、等离子体射频源、广播通信等领域对LDMOS大功率器件的迫切需求,通过热仿真优化了芯片版图布局,通过芯片级Load-pull仿真优化了芯片结构,成功开发了50V千瓦级硅LDMOS功率管。该器件耐压大于140V,在50V工作电压、230MHz工作频率、100μs脉宽、20%占空比、18W输入功率的测试条件下,输出功率大于2 000 W,增益大于20.4dB,漏极效率大于66.2%,抗失配通过10∶1。 展开更多

关键词 硅横向扩散金属-氧化物-半导体 千瓦 微波功率晶体管

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P波段超大功率50V GaN HEMT 被引量：3

6

作者 陈韬 刘柱 +6 位作者 王琪 顾黎明 景少红 杨兴 李忠辉 彭大青 陈堂胜 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2016年第6期439-441,共3页

报道了0.5μm工艺千瓦级GaN HEMT器件在P波段应用。通过采用AlN插入层,大幅降低了器件在大功率工作时的漏电,同时大幅提高器件输出功率密度。同时通过对背势垒结构缓冲层的优化,提高了器件击穿电压,从而提高器件抗失配比(VSWR)至5∶1。G... 报道了0.5μm工艺千瓦级GaN HEMT器件在P波段应用。通过采用AlN插入层,大幅降低了器件在大功率工作时的漏电,同时大幅提高器件输出功率密度。同时通过对背势垒结构缓冲层的优化,提高了器件击穿电压,从而提高器件抗失配比(VSWR)至5∶1。GaN HEMT器件设计采用双场板结构,采用0.5μm栅长工艺制作。器件工作电压为50V,在P波段峰值输出功率1 500 W,漏极效率72%。 展开更多

关键词 氮化镓 微波功率管 场板

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双层金属电极对硅功率晶体管结温的改善 被引量：3

7

作者 傅义珠 戴学梅 +6 位作者 康小虎 盛国兴 叶宗祥 方圆 王因生 王佃利 吴鹏 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期383-387,共5页

通过红外热相分析发现,在直流工作条件下,双层金属电极硅功率晶体管芯片比单层金属电极的结温低10℃以上;在微波工作条件下,双层金属电极芯片的结温比单层金属电极的低43.7℃。试验结果表明,双层金属电极能够改善硅微波功率晶体管芯片... 通过红外热相分析发现,在直流工作条件下,双层金属电极硅功率晶体管芯片比单层金属电极的结温低10℃以上;在微波工作条件下,双层金属电极芯片的结温比单层金属电极的低43.7℃。试验结果表明,双层金属电极能够改善硅微波功率晶体管芯片内微波输入功率和结温分布的均匀性。 展开更多

关键词 微波 功率晶体管 结温 热阻

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S波段100W硅脉冲功率晶体管 被引量：2

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作者 傅义珠 李相光 +4 位作者 张树丹 王佃利 王因生 康小虎 姚长军 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2000年第2期123-127,共5页

报道了一种高增益高效率 S波段硅脉冲功率晶体管的研制结果。该器件在 f=2 .4～ 2 .6GHz,D=1 0 % ,τp=1 0 0 μs,Vc=36V条件下输出功率 1 0 0 W、增益 9d B、效率 50 %。在 f=2 .6GHz短脉宽条件下输出功率 1 60 W、增益 8.0 d B、效率 ... 报道了一种高增益高效率 S波段硅脉冲功率晶体管的研制结果。该器件在 f=2 .4～ 2 .6GHz,D=1 0 % ,τp=1 0 0 μs,Vc=36V条件下输出功率 1 0 0 W、增益 9d B、效率 50 %。在 f=2 .6GHz短脉宽条件下输出功率 1 60 W、增益 8.0 d B、效率 60 %。 展开更多

关键词 硅 微波功率晶体管 S波段

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硅脉冲双极型微波功率管参数退化探索 被引量：1

9

作者 潘金辉 来萍 +1 位作者 李斌 廖超 《电子产品可靠性与环境试验》 2009年第1期28-31,共4页

首先提出了硅脉冲双极型微波功率晶体等在应用中会出现功率增益、饱和压降以及EB结反向击穿电压参数的退化现象,并对此进行了研究探索。测试了良品和失效品EB结的正向特性和C-V特性,通过比较分析两者的区别,从理论推导并得出了退化的一... 首先提出了硅脉冲双极型微波功率晶体等在应用中会出现功率增益、饱和压降以及EB结反向击穿电压参数的退化现象,并对此进行了研究探索。测试了良品和失效品EB结的正向特性和C-V特性,通过比较分析两者的区别,从理论推导并得出了退化的一大原因是由于基区浓度值的减小以及浓度梯度降低的结论。分析表明,导致基区浓度发生变化的原因是器件长期工作在高温下而发生了杂质再扩散。 展开更多

关键词 微波功率晶体管 参数退化 功率增益 饱和压降 击穿电压

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一种提高微波功率晶体管高频增益的新方法

10

作者 郭本青 张庆中 《电子质量》 2004年第9期76-78,共3页

利用旁路电容来补偿为了获得器件高可靠性,而引入的大整流电阻所导致的高频增益低落问题。在大于共发射极截至频率fβ的较宽频带内表现出明显的效果。最终使器件具备更高的可靠性,更优的增益特性。

关键词 增益特性 微波功率晶体管 发射极 高频 宽频带 器件 旁路电容 整流 电阻 高可靠性

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改善微波功率器件可靠性的方法 被引量：1

11

作者 冯彬 潘宏菽 《电子产品可靠性与环境试验》 2016年第3期29-32,共4页

微波功率器件因其具有体积小、可靠性高等优点而被广泛地运用在了微波通讯系统、遥测系统、雷达、电子对抗和导航等领域。但是,由于硅微波双极功率器件的结比较浅、基区比较窄,因而其击穿电压往往较低,从而对器件的大功率输出和抗烧毁... 微波功率器件因其具有体积小、可靠性高等优点而被广泛地运用在了微波通讯系统、遥测系统、雷达、电子对抗和导航等领域。但是,由于硅微波双极功率器件的结比较浅、基区比较窄,因而其击穿电压往往较低,从而对器件的大功率输出和抗烧毁能力造成了一定的不利影响。因此,从提高击空电压、镇流电阻设计、降低基区电阻设计、预匹配的选择和宽带半导体材料的采用等方面对提高硅微波双极功率器件的可靠性的具体措施进行了研究,对于改善硅微波双极功率器件的性能、提高其可靠性具有重要的指导意义。 展开更多

关键词 微波 功率晶体管 浅结 镇流电阻 击穿电压 预匹配

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采用目标函数计算GaAsMESFET小信号等效电路的新方法 被引量：1

12

作者 顾聪 高一凡 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2000年第1期35-38,共4页

提出了一种计算GaAsMESFET器件小信号等效电路的简单方法。本征元件由传统解析参数变换技术计算,且作为非本征元件的函数。等效电路由集中元件构成,在整个测量频率范围内适用。非本征元件可以作为优化标准本征元件的方差,构成目标函数,... 提出了一种计算GaAsMESFET器件小信号等效电路的简单方法。本征元件由传统解析参数变换技术计算,且作为非本征元件的函数。等效电路由集中元件构成,在整个测量频率范围内适用。非本征元件可以作为优化标准本征元件的方差,构成目标函数,进行迭代计算。在0至10GHz频宽内选取10多个不同的偏置点,计算结果与测量的S参数相吻合。 展开更多

关键词 MESFET 微波功率管 目标函数 砷化镓 等效电路

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硅微波功率晶体管镇流电阻的设计

13

作者 蔡树军 《半导体情报》 1994年第3期11-15,共5页

从热稳定条件出发，对扩散镇流电阻的设计进行了详细的计算和分析，讨论了在保证器件增益前提下提高器件热稳定性的措施，器件应用显示出了良好的结果，最后提出了一种新的没有热崩现象存在的高可靠器件的设想。

关键词 功率晶体管 镇流电阻 热稳定性

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干法腐蚀在硅微波功率晶体管研制中的应用

14

作者 张大立 潘宏菽 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期75-77,共3页

干法腐蚀与传统的湿法腐蚀相比,具有明显的各向异性,并且具有较好的可重复性、可控性及在硅片加工中易实现连续生产等优点,已成为目前硅微波功率晶体管研制和生产的关键技术。本文对目前干法腐蚀在硅微波大功率晶体管中的应用进行了分析... 干法腐蚀与传统的湿法腐蚀相比,具有明显的各向异性,并且具有较好的可重复性、可控性及在硅片加工中易实现连续生产等优点,已成为目前硅微波功率晶体管研制和生产的关键技术。本文对目前干法腐蚀在硅微波大功率晶体管中的应用进行了分析,指出随着硅微波功率晶体管工作频率的不断提高,对高性能各向异性的干法腐蚀技术要求也更加迫切。 展开更多

关键词 干法腐蚀 硅 微波功率晶体管 各向异性 工作频率 半导体工艺

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性能优良的RCA微波功率晶体管

15

作者 蔡勇 张利春 +3 位作者 高玉芝 金海岩 叶红飞 张树丹 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期178-182,共5页

首次采用多晶硅发射区 RCA技术制备出微波功率晶体管。在工作频率为 3 .1 GHz时 ,该器件输出功率达到 6W,功率增益达到 1 0 d B。与普通多晶硅发射区 HF晶体管相比 ,此种晶体管具有电流增益 h FE随温度变化小、并且在一定温度下达到饱... 首次采用多晶硅发射区 RCA技术制备出微波功率晶体管。在工作频率为 3 .1 GHz时 ,该器件输出功率达到 6W,功率增益达到 1 0 d B。与普通多晶硅发射区 HF晶体管相比 ,此种晶体管具有电流增益 h FE随温度变化小、并且在一定温度下达到饱和的优点 ,从而可以在一定程度上抑制微波双极功率晶体管由于温度分布不均匀导致的电流集中。文中还讨论了不同的杂质激活条件对 展开更多

关键词 RCA 微波功率晶体管 多晶硅发射区 氯化层 电流增益 双极功率晶体管 直流增益

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千瓦级硅LDMOS微波功率晶体管关键技术研究

16

作者 黄乐旭 应贤炜 +3 位作者 梅海 丁晓明 杨建 王佃利 《现代雷达》 CSCD 北大核心 2019年第9期76-82,共7页

针对雷达、通信、遥控遥测等领域对硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)微波大功率管的迫切需求,开展了硅LDMOS微波功率晶体管的亚微米精细栅制作、低阻低应力钴硅合金、大尺寸芯片烧结及金属陶瓷全密封管壳平整度控制等关键技术研究,并... 针对雷达、通信、遥控遥测等领域对硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)微波大功率管的迫切需求,开展了硅LDMOS微波功率晶体管的亚微米精细栅制作、低阻低应力钴硅合金、大尺寸芯片烧结及金属陶瓷全密封管壳平整度控制等关键技术研究,并取得了突破,研制出2 000 W硅LDMOS微波功率晶体管,漏源击穿耐压大于140 V,结到管壳热阻0.19℃/W。在50 V工作电压、230 MHz工作频率、脉宽为100μs、占空比为20%、输入功率为6 W的测试条件下,实现输出功率达到1 330 W,增益23.5 dB,漏极效率74.4%,电压驻波比10∶1。该晶体管已实现工程应用。 展开更多

关键词 硅横向扩散金属氧化物半导体 千瓦级 微波功率晶体管

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微波功率GaAs MESFET本征元件与偏置关系分析

17

作者 顾聪 刘佑宝 高一凡 《固体电子学研究与进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期38-44,共7页

提出了一种分析和了解微波功率 Ga As MESFET非线性效应的方法。主要是采用解析优化方法 ,提取 MESFET器件在不同偏置点下的本征元件 ,并结合器件的应用类型 ,对本征元件与偏置的关系进行了系统化的分析。分析的结论有助于提高微波功率 ... 提出了一种分析和了解微波功率 Ga As MESFET非线性效应的方法。主要是采用解析优化方法 ,提取 MESFET器件在不同偏置点下的本征元件 ,并结合器件的应用类型 ,对本征元件与偏置的关系进行了系统化的分析。分析的结论有助于提高微波功率 Ga As 展开更多

关键词 微波功率器件 本征元件 非线性模型 砷化镓 MESFET 偏置关系

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基站应用高线性高效率50 V GaN HEMT

18

作者 陈韬 陈志勇 +5 位作者 蒋浩 魏星 杨兴 陈新宇 李忠辉 陈堂胜 《固体电子学研究与进展》 CSCD 北大核心 2017年第3期155-158,共4页

报道了针对移动通信基站应用的GaN HEMT的研制。通过采用NiAu势垒,降低器件栅极漏电,从而提高器件击穿电压。同时通过优化V型栅,降低了峰值电场,提高器件击穿电压30%以上。GaN HEMT器件设计采用双场板结构,工艺采用0.5μm栅长,工作电压5... 报道了针对移动通信基站应用的GaN HEMT的研制。通过采用NiAu势垒,降低器件栅极漏电,从而提高器件击穿电压。同时通过优化V型栅,降低了峰值电场,提高器件击穿电压30%以上。GaN HEMT器件设计采用双场板结构,工艺采用0.5μm栅长,工作电压50V,在2.3~2.7GHz带内峰值输出功率280 W,功率附加效率>64%,线性度-30dBc@PAR=5dB,器件抗失配比(VSWR)至5∶1,器件性能可以满足未来基站多频段多载波应用需要。可靠性试验结果表明,研制的器件在150℃下平均工作寿命(MTTF)>4×10~6 h,满足系统应用需要。 展开更多

关键词 氮化镓 微波功率管 场板

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雷达微波功率管引脚失效仿真分析与优化

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作者 胡子翔 王志海 +1 位作者 邓友银 李悰 《机械与电子》 2017年第1期23-26,31,共5页

针对微波功率管在温度循环试验中出现的引脚脱落故障,通过力学仿真进行故障复现和失效机理分析,确定了功率管底座与盒体材料的热膨胀系数不匹配,以及连接方式不合理是造成引脚失效的主要原因。在不改变器件材料的前提下,提出了将功率管... 针对微波功率管在温度循环试验中出现的引脚脱落故障,通过力学仿真进行故障复现和失效机理分析,确定了功率管底座与盒体材料的热膨胀系数不匹配,以及连接方式不合理是造成引脚失效的主要原因。在不改变器件材料的前提下,提出了将功率管与盒体的连接方式从焊接改为螺钉连接的优化设计方案。通过仿真和试验验证,证明了该优化方案能有效解决引脚失效问题。 展开更多

关键词 微波功率管 热膨胀系数 失效分析 力学仿真

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一种多胞微波GaAs MESFET制作技术及其沟道电流模型

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作者 顾聪 高一凡 +1 位作者 刘佑宝 乔长华 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 1999年第4期267-271,281,共6页

介绍了单管 ５ Ｗ 大栅宽多胞微波砷化镓 Ｍ Ｅ Ｓ Ｆ Ｅ Ｔ 器件的优化设计、关键工艺技术的创新、器件特性测试等，特别是器件具有高反向击穿电压和耐大电流的特性，并结合器件结构特点和 Ｉ Ｖ 特性，建立了该器件的改进型沟道... 介绍了单管 ５ Ｗ 大栅宽多胞微波砷化镓 Ｍ Ｅ Ｓ Ｆ Ｅ Ｔ 器件的优化设计、关键工艺技术的创新、器件特性测试等，特别是器件具有高反向击穿电压和耐大电流的特性，并结合器件结构特点和 Ｉ Ｖ 特性，建立了该器件的改进型沟道电流非线性模型，最后与实验测试数据比较，其拟合度优于常规模型的拟合度。 展开更多

关键词 MESFET 微波功率管 多胞结构 非线性模型 砷化镓

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