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微纳米CMOS VLSI电路可靠性仿真与设计
被引量:
5
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作者
罗俊
郝跃
+8 位作者
秦国林
谭开洲
王健安
胡刚毅
许斌
刘凡
黄晓宗
唐昭焕
刘勇
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第2期255-260,共6页
介绍了CMOS VLSI的可靠性建模和仿真技术的发展历史、相应的仿真工具、失效机理等效电路和算法,重点总结了当前最新的CMOS超大规模集成电路可靠性建模仿真技术,为促进我国集成电路可靠性设计水平起到积极的作用。
关键词
微纳米
cmos
超大规模集成电路
可靠性建模
可靠性仿真
下载PDF
职称材料
题名
微纳米CMOS VLSI电路可靠性仿真与设计
被引量:
5
1
作者
罗俊
郝跃
秦国林
谭开洲
王健安
胡刚毅
许斌
刘凡
黄晓宗
唐昭焕
刘勇
机构
中国电子科技集团公司第二十四研究所
西安电子科技大学微电子学院
模拟集成电路重点实验室
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第2期255-260,共6页
文摘
介绍了CMOS VLSI的可靠性建模和仿真技术的发展历史、相应的仿真工具、失效机理等效电路和算法,重点总结了当前最新的CMOS超大规模集成电路可靠性建模仿真技术,为促进我国集成电路可靠性设计水平起到积极的作用。
关键词
微纳米
cmos
超大规模集成电路
可靠性建模
可靠性仿真
Keywords
micro
-
nanometer
cmos
VLSI
Reliability
modeling
Reliability
simulation
分类号
TN47 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
微纳米CMOS VLSI电路可靠性仿真与设计
罗俊
郝跃
秦国林
谭开洲
王健安
胡刚毅
许斌
刘凡
黄晓宗
唐昭焕
刘勇
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2012
5
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