期刊文献+
共找到3篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
基于微机电系统开关的四位移相器设计 被引量:1
1
作者 刘若林 鲍景富 +1 位作者 黄裕霖 李昕熠 《太赫兹科学与电子信息学报》 2016年第1期127-130,共4页
为了解决相控阵雷达小型化和低损耗的问题,设计了一个工作频率为2.2 GHz的射频微机电系统(MEMS)四位开关线型移相器。首先分析了直接接触式MEMS串联开关的插入损耗和隔离度,并得到仿真结果。在此基础上设计了基于该开关的移相范围为0~1... 为了解决相控阵雷达小型化和低损耗的问题,设计了一个工作频率为2.2 GHz的射频微机电系统(MEMS)四位开关线型移相器。首先分析了直接接触式MEMS串联开关的插入损耗和隔离度,并得到仿真结果。在此基础上设计了基于该开关的移相范围为0~180o的四位移相器电路,相移量为12o每步。采用HFSS软件对其进行仿真,得到移相精确度、插入损耗和隔离度等关键结果,移相器工作在2.2 GHz时,隔离度大于20 d B,插入损耗小于1 d B。该设计与传统移相器相比体积更小,且具有更小的插入损耗和更大的隔离度。 展开更多
关键词 微机电系统开关 移相器 移相精确度 插入损耗 隔离度
下载PDF
悬臂梁式微机电开关中信号线的位置设计研究
2
作者 曹天捷 《机械强度》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期168-173,共6页
建立交直流分离悬臂梁式MEMS(micro-electro-mechanical systems)开关的四阶段分析模型,利用该模型对交直流分离悬臂梁式MEMS开关进行分析发现,信号线的位置不仅对信号线和膜间的电容有影响,而且信号线的位置直接影响交直流分离MEMS开... 建立交直流分离悬臂梁式MEMS(micro-electro-mechanical systems)开关的四阶段分析模型,利用该模型对交直流分离悬臂梁式MEMS开关进行分析发现,信号线的位置不仅对信号线和膜间的电容有影响,而且信号线的位置直接影响交直流分离MEMS开关是否可以在稳定的电压下正常工作。悬臂梁的变形一旦进入到第四阶段,驱动电压和电容都将会不可控地下降,从而使MEMS开关不能正常工作。针对交直流分离悬臂梁式MEMS开关可能会出现的驱动电压和电容比同时下降的问题,提出一种确定不进入第四阶段的信号线位置——临界信号线位置的方法。该方法的原理是信号线的位置恰好使最大驱动电压等于最大电容比所对应的电压。实例计算驱动电极位置与信号线临界位置间的关系曲线、驱动电极位置与峰值电压间的关系曲线以及驱动电极位置与所能达到的最大电容比间的关系曲线。 展开更多
关键词 交直流分离 微机电开关 信号线 悬臂梁
下载PDF
MEMS微电磁驱动器磨损对光开关性能的影响分析
3
作者 贾书海 朱军 +3 位作者 赵小林 杨春生 丁桂甫 蔡炳初 《微细加工技术》 EI 2007年第2期49-51,共3页
光开关中运动元件的磨损对光学元件的位置精度有重要影响。介绍了MEMS微电磁驱动器磨损对光开关光学性能影响的理论分析,采用光纤光学理论计算了磨损所引起的光开关的附加插入损耗,结果表明,所采用的微电磁驱动器磨损引起的附加插入损... 光开关中运动元件的磨损对光学元件的位置精度有重要影响。介绍了MEMS微电磁驱动器磨损对光开关光学性能影响的理论分析,采用光纤光学理论计算了磨损所引起的光开关的附加插入损耗,结果表明,所采用的微电磁驱动器磨损引起的附加插入损耗小于0.02 dB,其磨损特性可以满足光通信开关的要求,实验结果证明了理论分析的正确性。此方法对光开关和MEMS微驱动器的研究具有指导意义。 展开更多
关键词 微机电系统(mems) 微电磁驱动器 光开关 磨损
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部