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ZnO基紫外光透明导电薄膜的研究进展
被引量：
1
1
作者
黄竹
许积文
《电工材料》
CAS
2009年第2期41-46,共6页
ZnO是一种宽禁带半导体材料,通过阳离子Al3+掺杂可以改善其导电性,而且通过掺杂MgO进行"能带剪裁"可以实现从紫外到可见光范围内的完全透明。因此,ZnO基紫外光透明导电薄膜近年来逐渐成为半导体光电材料与器件的研究热点之一...
ZnO是一种宽禁带半导体材料,通过阳离子Al3+掺杂可以改善其导电性,而且通过掺杂MgO进行"能带剪裁"可以实现从紫外到可见光范围内的完全透明。因此,ZnO基紫外光透明导电薄膜近年来逐渐成为半导体光电材料与器件的研究热点之一。本文介绍了紫外光透明导电薄膜MgxZn1-xO∶Al的基本特性、制备方法及研究进展。
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关键词
mgxzn
1-
xo
∶
al
薄膜
紫外光透明导电
宽禁带
结构和光电性能
下载PDF
职称材料
题名
ZnO基紫外光透明导电薄膜的研究进展
被引量：
1
1
作者
黄竹
许积文
机构
桂林电子科技大学信息材料科学与工程系
出处
《电工材料》
CAS
2009年第2期41-46,共6页
基金
广西教育厅科研项目(桂教科研200734)
文摘
ZnO是一种宽禁带半导体材料,通过阳离子Al3+掺杂可以改善其导电性,而且通过掺杂MgO进行"能带剪裁"可以实现从紫外到可见光范围内的完全透明。因此,ZnO基紫外光透明导电薄膜近年来逐渐成为半导体光电材料与器件的研究热点之一。本文介绍了紫外光透明导电薄膜MgxZn1-xO∶Al的基本特性、制备方法及研究进展。
关键词
mgxzn
1-
xo
∶
al
薄膜
紫外光透明导电
宽禁带
结构和光电性能
Keywords
mgxzn
1-
xo
：
al
thin
film
UV-transparent
conducting
wide
band
gap
structur
al
and
photoelectric
properties
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
X703 [环境科学与工程—环境工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
ZnO基紫外光透明导电薄膜的研究进展
黄竹
许积文
《电工材料》
CAS
2009
1
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