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基于复合靶溅射制备Mg_2Si薄膜及其热电性能
被引量：
2
1
作者
陈志坚
李建新
+1 位作者
周白杨
温翠莲
《中国有色金属学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第6期1214-1221,共8页
采用射频磁控溅射Mg-Si二元复合靶制备Mg_2Si热电薄膜,研究溅射功率、真空退火温度及退火时间对其性能的影响,探究较优的Mg_2Si薄膜制备工艺。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、霍尔效应测试仪、薄膜Seebeck系数测量系统对...
采用射频磁控溅射Mg-Si二元复合靶制备Mg_2Si热电薄膜,研究溅射功率、真空退火温度及退火时间对其性能的影响,探究较优的Mg_2Si薄膜制备工艺。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、霍尔效应测试仪、薄膜Seebeck系数测量系统对薄膜特性进行测试。由薄膜断面的能谱分析可知,Mg、Si元素在薄膜中分布均匀,且薄膜中Mg与Si摩尔比为2:1,与Mg_2Si相的组成摩尔比相符;XRD测试结果表明,溅射功率、真空退火温度及退火时间对薄膜的成膜质量均有影响。霍尔效应测试及Seebeck系数测量结果表明:所制备的Mg2Si薄膜均为n型半导体薄膜,其Seebeck系数的取值范围为-278.648^-483.562μV/K,薄膜电导率的取值范围为1.240~46.926 S/cm;120 W溅射功率下沉积的Mg_2Si薄膜经400℃真空退火保温3 h后,获得最大功率因子,其值为0.364 mW/(m·K^2)。
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关键词
mg
_
2
si
薄膜
射频磁控溅射
工艺优化
热电性能
下载PDF
职称材料
题名
基于复合靶溅射制备Mg_2Si薄膜及其热电性能
被引量：
2
1
作者
陈志坚
李建新
周白杨
温翠莲
机构
福州大学材料科学与工程学院
出处
《中国有色金属学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第6期1214-1221,共8页
基金
国家自然科学基金资助项目(51301039)
教育部留学回国人员科研启动基金资助项目(LXKQ201305)~~
文摘
采用射频磁控溅射Mg-Si二元复合靶制备Mg_2Si热电薄膜,研究溅射功率、真空退火温度及退火时间对其性能的影响,探究较优的Mg_2Si薄膜制备工艺。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、霍尔效应测试仪、薄膜Seebeck系数测量系统对薄膜特性进行测试。由薄膜断面的能谱分析可知,Mg、Si元素在薄膜中分布均匀,且薄膜中Mg与Si摩尔比为2:1,与Mg_2Si相的组成摩尔比相符;XRD测试结果表明,溅射功率、真空退火温度及退火时间对薄膜的成膜质量均有影响。霍尔效应测试及Seebeck系数测量结果表明:所制备的Mg2Si薄膜均为n型半导体薄膜,其Seebeck系数的取值范围为-278.648^-483.562μV/K,薄膜电导率的取值范围为1.240~46.926 S/cm;120 W溅射功率下沉积的Mg_2Si薄膜经400℃真空退火保温3 h后,获得最大功率因子,其值为0.364 mW/(m·K^2)。
关键词
mg
_
2
si
薄膜
射频磁控溅射
工艺优化
热电性能
Keywords
mg
_
2
si
thin
film
radio
frequency
magnetron
sputtering
optimal
preparation
process
thermoelectric
properties
分类号
TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于复合靶溅射制备Mg_2Si薄膜及其热电性能
陈志坚
李建新
周白杨
温翠莲
《中国有色金属学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016
2
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职称材料
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