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陶瓷介质滤波器表面斑点分析及解决措施
1
作者 周会俊 罗天 +3 位作者 王龙光 牛世程 王建坤 禄向阳 《耐火材料》 CAS 北大核心 2023年第5期431-433,共3页
为提高陶瓷介质滤波器的烧成良品率,采用扫描电子显微镜(SEM)和能谱分析仪(EDS)对MgTiO_(3)-CaTiO_(3)(MCT)陶瓷介质滤波器置于刚玉-莫来石承烧板上烧成后出现的表面斑点进行了剖析。结果表明,在1300℃,MCT陶瓷介质滤波器与刚玉-莫来石... 为提高陶瓷介质滤波器的烧成良品率,采用扫描电子显微镜(SEM)和能谱分析仪(EDS)对MgTiO_(3)-CaTiO_(3)(MCT)陶瓷介质滤波器置于刚玉-莫来石承烧板上烧成后出现的表面斑点进行了剖析。结果表明,在1300℃,MCT陶瓷介质滤波器与刚玉-莫来石承烧板接触点发生反应,生成2MgO·SiO_(2)和Al_(2)O_(3)·TiO_(2),形成异色斑点。基于对复合氧化物反应的热力学分析,在刚玉-莫来石承烧板工作面喷涂ZrO_(2)涂层,烧制的滤波器表面颜色均匀,无异色斑点产生。 展开更多
关键词 陶瓷介质滤波器 mgtio_(3)-catio_(3) 刚玉-莫来石承烧板 异色斑点
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MgF_(2)掺杂对0.95MgTiO_(3)-0.05CaTiO_(3)陶瓷结构与微波性能的影响
2
作者 冉文 刘凡 +1 位作者 李昊 刘绍军 《粉末冶金材料科学与工程》 2023年第3期253-261,共9页
采用传统固相合成法制备Mg F_(2)掺杂0.95MgTiO_(3)-0.05CaTiO_(3)(95MCT)微波陶瓷,结合X射线衍射谱、拉曼光谱、X射线光电子能谱、扫描电镜及矢量网络分析等表征技术,系统研究Mg F_(2)掺杂对95MCT陶瓷烧结温度、晶体结构、微观形貌与... 采用传统固相合成法制备Mg F_(2)掺杂0.95MgTiO_(3)-0.05CaTiO_(3)(95MCT)微波陶瓷,结合X射线衍射谱、拉曼光谱、X射线光电子能谱、扫描电镜及矢量网络分析等表征技术,系统研究Mg F_(2)掺杂对95MCT陶瓷烧结温度、晶体结构、微观形貌与微波性能的影响。结果表明:少量Mg F_(2)掺杂能够促进陶瓷晶粒均匀生长,抑制Ti^(4+)离子向Ti^(3+)离子转变,增强[TiO_(6)]八面体中Ti—O键的结合强度,从而使95MCT陶瓷的品质因子由30 335 GHz提高至89 470 GHz。1 225℃烧结的Mg F_(2)质量分数为1%的95MCT陶瓷具有优异的综合微波性能:相对介电常数ε_(r)约为19.74,品质因子Q×f值约为89 470 GHz,谐振频率温度系数τ_(f)约为-10.2×10^(-6)℃^(-1)。 展开更多
关键词 mgtio_(3)-catio_(3)陶瓷 MgF_(2)掺杂 [TiO_(6)]八面体 烧结温度 微波性能
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MgTiO_3-CaTiO_3系微波陶瓷介电性能的研究 被引量：5
3
作者 董丽 董桂霞 张茜 《粉末冶金技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第4期243-247,共5页
以分析纯的MgO、TiO_2、CaTiO_3为初始原料,采用固相法制备(1-x)MgTiO_3-xCaTiO_3(摩尔分数x=0.01~0.10)系列微波介质陶瓷材料,研究添加CaTiO_3后,体系的晶体结构、显微结构、微波介电性能之间的变化规律。研究表明,随着CaTiO_3掺杂量... 以分析纯的MgO、TiO_2、CaTiO_3为初始原料,采用固相法制备(1-x)MgTiO_3-xCaTiO_3(摩尔分数x=0.01~0.10)系列微波介质陶瓷材料,研究添加CaTiO_3后,体系的晶体结构、显微结构、微波介电性能之间的变化规律。研究表明,随着CaTiO_3掺杂量的增加,陶瓷的体积密度、介电常数和谐振频率温度系数不断增大,而体系的品质因数呈下降趋势。当掺杂7%(摩尔分数)CaTiO_3时,陶瓷在1 400℃烧结4 h可获得近零的频率温度系数,τ_f=0.652×10^(-6)/℃,品质因数Q×f=38 753 GHz,介电常数ε_r=19.45。 展开更多
关键词 mgtio_3-catio_3系陶瓷 致密度 介电性能
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不同基片对溅射制备MgTiO_3-CaTiO_3薄膜的影响 被引量：2
4
作者 董树荣 王德苗 +1 位作者 金浩 余厉阳 《真空》 CAS 北大核心 2004年第2期29-33,共5页
微波介质器件的薄膜化已经成为微波器件的一个研究热点,本文从微波介质陶瓷薄膜化角度在不同低介电常数的介质衬底上溅射制备了MCT陶瓷薄膜,实验结果表明:(110)晶面的单晶SiO2片上的可以在较低温度(610℃)下获得良好结晶情况,介电特性... 微波介质器件的薄膜化已经成为微波器件的一个研究热点,本文从微波介质陶瓷薄膜化角度在不同低介电常数的介质衬底上溅射制备了MCT陶瓷薄膜,实验结果表明:(110)晶面的单晶SiO2片上的可以在较低温度(610℃)下获得良好结晶情况,介电特性可以和块状材料的多晶MCT陶瓷薄膜相媲美。随着衬底温度升高,薄膜晶体结构逐步由游离MgO向微晶MCT、多晶MCT到粗大的柱状晶MCT变化。较好沉积温度是610℃～650℃。 展开更多
关键词 mgtio3-catio3陶瓷薄膜 制备工艺 介电常数 溅射法
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