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分子束外延生长的ZnO压电薄膜及其声表面波器件特性 被引量：5
1
作者 刘凤娟 胡佐富 +1 位作者 李振军 张希清 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第3期328-333,共6页
用RF-MBE在蓝宝石(0001)衬底上引入MgO和低温ZnO双缓冲层生长了ZnO薄膜,并制备了声表面波器件。在ZnO薄膜中,仅观测到(0002)面的XRD,且衍射峰增强,半高宽减小,表明ZnO薄膜c轴取向性更好,晶体结构更优。室温下自由激子吸收峰更尖锐和吸... 用RF-MBE在蓝宝石(0001)衬底上引入MgO和低温ZnO双缓冲层生长了ZnO薄膜,并制备了声表面波器件。在ZnO薄膜中,仅观测到(0002)面的XRD,且衍射峰增强,半高宽减小,表明ZnO薄膜c轴取向性更好,晶体结构更优。室温下自由激子吸收峰更尖锐和吸收边更陡峭以及仅观测到自由激子发光,且发光线宽变窄、发光强度变大,表明ZnO薄膜缺陷密度减小,薄膜质量提高。测得该ZnO压电薄膜的电阻率高达4×107Ω.cm,其声表面波的速度高达5 010 m/s。 展开更多
关键词 ZNO mgo缓冲层 声表面波
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以MgO为缓冲层的硅基铌酸锶钡薄膜取向特性与其波导结构的设计研究 被引量：2
2
作者 曹晓燕 叶辉 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期303-306,共4页
采用溶胶 -凝胶法在Si(1 0 0 )基片上制备出择优取向的MgO薄膜 ,随后在其上生长出具有择优取向的铌酸锶钡铁电薄膜 实验发现 ,MgO缓冲层的应用可以大大提高SBN薄膜的择优取向性能 同时 ,用五层对称理想波导耦合模理论 ,以SBN为波导层 ... 采用溶胶 -凝胶法在Si(1 0 0 )基片上制备出择优取向的MgO薄膜 ,随后在其上生长出具有择优取向的铌酸锶钡铁电薄膜 实验发现 ,MgO缓冲层的应用可以大大提高SBN薄膜的择优取向性能 同时 ,用五层对称理想波导耦合模理论 ,以SBN为波导层 ,分析了波导损耗与厚度的关系 通过对计算出的理想结果与实际相结合 ,以及对SBN在生长过程工艺与损耗关系的研究 ,制备出高质量、低损耗的SBN薄膜 。 展开更多
关键词 铌酸锶钡 mgo缓冲层 损耗
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MgO缓冲层对Si衬底上制备Fe_3Si薄膜性能的影响 被引量：1
3
作者 张翀 谢晶 谢泉 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第12期933-937,950,共6页
采用磁控溅射方法和热加工工艺在n型Si衬底上溅射不同厚度的MgO层并制备Fe-Si薄膜层,退火后形成Fe_3Si/MgO/Si多层膜结构。利用MgO缓冲层对退火时Si衬底扩散原子进行屏蔽,并分析MgO层对Fe_3Si薄膜结构和电学性质的影响。通过X射线衍射仪... 采用磁控溅射方法和热加工工艺在n型Si衬底上溅射不同厚度的MgO层并制备Fe-Si薄膜层,退火后形成Fe_3Si/MgO/Si多层膜结构。利用MgO缓冲层对退火时Si衬底扩散原子进行屏蔽,并分析MgO层对Fe_3Si薄膜结构和电学性质的影响。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和四探针测试仪对Fe_3Si薄膜的晶体结构、表面形貌、断面形貌和电阻率进行表征与分析。研究结果表明:当MgO层厚度为20 nm时生成Fe_(0.9)Si_(0.1)薄膜,当厚度为50,100,150和200 nm时都生成了Fe_3Si薄膜,生成的Fe_3Si和Fe_(0.9)Si_(0.1)薄膜以(110)和(211)取向为主。随MgO缓冲层厚度增加,Si衬底扩散原子对Fe_3Si薄膜的影响减小,Fe_3Si薄膜的晶格常数逐渐减小,晶粒大小趋向均匀,平均电阻率呈现先增大后减小趋势。研究结果为后续基于Fe_3Si薄膜的器件设计与制备提供了参考。 展开更多
关键词 磁控溅射法 mgo缓冲层 Fe3Si薄膜 晶体结构 电阻率
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MgO缓冲层上钡铁氧体(BaFe_(12)O_(19))薄膜的制备与性能研究 被引量：1
4
作者 丁关凤 朱俊 +2 位作者 王水力 张菲 罗文博 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第7期1130-1133,共4页
采用脉冲激光沉积(PLD)技术在(0006)取向的蓝宝石基片上,通过MgO缓冲层诱导生长了BaFe12O19(BaM)薄膜,研究了沉积温度对BaM薄膜的晶体结构和磁性能的影响规律。X射线衍射(XRD)分析结果表明,在激光脉冲频率6Hz、激光能量180mJ、MgO缓冲... 采用脉冲激光沉积(PLD)技术在(0006)取向的蓝宝石基片上,通过MgO缓冲层诱导生长了BaFe12O19(BaM)薄膜,研究了沉积温度对BaM薄膜的晶体结构和磁性能的影响规律。X射线衍射(XRD)分析结果表明,在激光脉冲频率6Hz、激光能量180mJ、MgO缓冲层的厚度50nm和沉积温度为750℃的条件下,制得的BaM薄膜c轴取向最好,其(0008)面的ω摇摆曲线半高宽(FWHM)仅为0.289°。扫描电子显微镜(SEM)结果显示此时薄膜的晶粒已有部分呈六角片状。振动样品磁强计(VSM)测试表明,在750℃时沉积的BaM薄膜面外饱和磁化强度为190A/m,剩磁比0.82,薄膜磁性能良好。 展开更多
关键词 脉冲激光沉积(PLD) BaM薄膜 mgo缓冲层 面外磁性能
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硅基高质量氧化锌外延薄膜的界面控制
5
作者 王喜娜 梅增霞 +5 位作者 王勇 杜小龙 张晓娜 贾金锋 薛其坤 张泽 《电子显微学报》 CAS CSCD 2007年第6期570-575,共6页
本文利用反射式高能电子衍射(RHEED)、高分辨透射电镜和选区电子衍射方法,系统研究了Si(111)衬底上制备高质量氧化锌单晶薄膜的界面控制工艺。发现低温下Mg(0001)/Si(111)界面互扩散得到有效抑制,形成了高质量的单晶镁膜,进一步通过低... 本文利用反射式高能电子衍射(RHEED)、高分辨透射电镜和选区电子衍射方法,系统研究了Si(111)衬底上制备高质量氧化锌单晶薄膜的界面控制工艺。发现低温下Mg(0001)/Si(111)界面互扩散得到有效抑制,形成了高质量的单晶镁膜,进一步通过低温氧化法和分子束外延法实现了单晶MgO缓冲层的制备,从而为ZnO的外延生长提供了模板。在这一低温界面控制工艺中,Mg膜有效防止了Si表面的氧化,而MgO膜不仅为ZnO的成核与生长提供了优良的缓冲层,且极大地弛豫了由于衬底与ZnO之间的晶格失配所引起的应变。上述低温工艺也可用来控制其它活性金属膜与硅的界面,从而在硅衬底上获得高质量的氧化物模板。 展开更多
关键词 ZnO/Si界面 低温界面控制 mgo缓冲层 透射电镜 反射式高能电子衍射
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