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V^(5+)取代对Mg_4(SbNb_(1-x)V_x)O_9陶瓷介电性能的影响 被引量：1
1
作者 姚国光 刘鹏 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期877-880,共4页
研究了不同V^(5+)含量Mg_4(SbNb_(1-x)V_x)O_9[MSNV,0.05≤x≤0.3]系陶瓷的烧结特性、微观结构和微波介电性能.结果表明:一定量V^(5+)取代能够明显降低该陶瓷的烧结温度.在所有组成范围内,XRD显示了单一刚玉型结构.随V^(5+)含量的增加,... 研究了不同V^(5+)含量Mg_4(SbNb_(1-x)V_x)O_9[MSNV,0.05≤x≤0.3]系陶瓷的烧结特性、微观结构和微波介电性能.结果表明:一定量V^(5+)取代能够明显降低该陶瓷的烧结温度.在所有组成范围内,XRD显示了单一刚玉型结构.随V^(5+)含量的增加,样品的介电常数ε和品质因数Q·f先增大后减小,样品的谐振频率温度系数τ_f逐渐减小,这是由于V^(5+)的取代使得B位键价增强所致.在c=0.15,1250℃烧结,可获得ε_r=9.98,Q·f=20248GHz(8GHz),τ_f=-23.3×10^(-6)·K^(-1)的新型微波介质陶瓷. 展开更多
关键词 微波介质陶瓷 mg4(sbnb1-xvx)o9 介电性能
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