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近红外发光材料Mg2SnO4∶Cr3+的制备及发光性质 被引量:6
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作者 蔡吉泽 庞然 +2 位作者 于湛 刘丽艳 李成宇 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第12期1505-1513,共9页
采用高温固相法合成了一种新型近红外发光材料Mg 2-x SnO4:x Cr^3+。利用X射线粉末衍射仪对样品的结构进行了表征,证明所得到的荧光粉具有单一尖晶石结构,掺杂离子的加入并没有改变晶体结构。利用荧光光谱和荧光衰减光谱对荧光粉的发光... 采用高温固相法合成了一种新型近红外发光材料Mg 2-x SnO4:x Cr^3+。利用X射线粉末衍射仪对样品的结构进行了表征,证明所得到的荧光粉具有单一尖晶石结构,掺杂离子的加入并没有改变晶体结构。利用荧光光谱和荧光衰减光谱对荧光粉的发光性质进行了研究。当被470 nm的蓝光激发时,荧光粉在700 nm处出现一个尖锐的发射峰(R锐线)和中心发射在750 nm处的宽带发射峰,分别归属于Cr^3+的2E→4A2和4T2(4F)→4A 2跃迁。研究不同浓度Cr^3+掺杂对样品发光性质的影响,发现样品的发光强度随着Cr^3+浓度的增加而增大。当Cr^3+掺杂浓度x=0.02时达到最大值,之后出现发光强度的猝灭,猝灭机理为多极相互作用。样品的荧光寿命随着Cr^3+掺杂浓度的增大逐渐减小,从而证明Cr^3+之间存在着能量传递现象。Mg2-x SnO4:x Cr^3+系列荧光粉还表现出了近红外长余辉发光性质。 展开更多
关键词 mg 2sno 4 近红外发光 荧光材料 光谱性质 余辉
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Pr掺杂Mg_2SnO_4纳米颗粒的制备及其光致发光性能 被引量:3
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作者 郭鹏 彭林志 +2 位作者 张为海 刘雷 熊娟 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第11期1172-1176,共5页
采用水热合成和低温煅烧两步法工艺制备了不同浓度(0~1.5mol%)镨掺杂锡酸镁,通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)及荧光光谱仪对合成的样品进行表征,研究了Pr掺杂量对锡酸镁微观形貌的影响,并讨论了其光致发光性能。结果表明... 采用水热合成和低温煅烧两步法工艺制备了不同浓度(0~1.5mol%)镨掺杂锡酸镁,通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)及荧光光谱仪对合成的样品进行表征,研究了Pr掺杂量对锡酸镁微观形貌的影响,并讨论了其光致发光性能。结果表明,所制备的Mg2Sn O4:Pr3+为立方反尖晶石结构的立方纳米颗粒;与未掺杂的Mg2Sn O4相比,Pr掺杂浓度的增加使颗粒尺寸变大,并使颗粒边角锐化。不同浓度Mg2Sn O4:Pr3+的发射光谱表明Mg2Sn O4:Pr3+样品中存在530、570 nm两处发射峰,前者与Mg2Sn O4基质中的氧空位有关,后者由Pr元素3P0-3H5能级的跃迁造成。随着Pr掺杂浓度增加,锡酸镁颗粒尺寸变大、发光中心增多,使得Pr掺杂锡酸镁纳米颗粒在570 nm处的发光强度增强。 展开更多
关键词 锡酸镁 纳米颗粒 Pr掺杂 光致发光
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Mn^(2+)在Mg_2SnO_4中的绿色长余辉发光性能研究 被引量:2
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作者 孙中新 陈美凤 +2 位作者 苗云霞 闫循智 李霞 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期86-87,127,共3页
利用高温固相法合成了Mg2SnO4:Mn2+绿色发射长余辉发光材料,对样品进行了X射线衍射分析、荧光光谱分析、色坐标、热释发光以及发光寿命测量。分析结果表明,在1250℃下烧结6 h的Mg2SnO4为单相产物,所得Mg2SnO4:Mn2+发光材料具有良好的发... 利用高温固相法合成了Mg2SnO4:Mn2+绿色发射长余辉发光材料,对样品进行了X射线衍射分析、荧光光谱分析、色坐标、热释发光以及发光寿命测量。分析结果表明,在1250℃下烧结6 h的Mg2SnO4为单相产物,所得Mg2SnO4:Mn2+发光材料具有良好的发光性能,在270nm紫外线激发下发出最强发射位于498nm的宽带发射并具有优良的长余辉发光特性,其色坐标值分别为x=0.11,y=0.58。余辉发光在暗场环境下肉眼可观察的持续时间超过3 h。通过热释光谱对陷阱进行了分析。 展开更多
关键词 余辉发光 热释光谱 锡酸镁 锰离子 绿光
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反尖晶石结构的Mg_(2)SnO_(4)系长余辉材料及其应用的研究进展
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作者 李金贵 吴昊天 +6 位作者 郭晨曦 何齐升 牛凤延 王岳 雷伟岩 李佳双 沈毅 《化学通报》 CAS CSCD 北大核心 2023年第11期1306-1312,共7页
Mg_(2)SnO_(4)具有典型的反尖晶石结构,由于存在大量缺陷,非常适合作为长余辉材料的基质材料,而且其成本低,结构稳定光学性能优异,应用前景非常广泛。通过在反尖晶石结构的Mg_(2)SnO_(4)材料中掺杂不同离子可以制备出不同性质的长余辉... Mg_(2)SnO_(4)具有典型的反尖晶石结构,由于存在大量缺陷,非常适合作为长余辉材料的基质材料,而且其成本低,结构稳定光学性能优异,应用前景非常广泛。通过在反尖晶石结构的Mg_(2)SnO_(4)材料中掺杂不同离子可以制备出不同性质的长余辉材料。本文主要介绍了Mg_(2)SnO_(4)系长余辉材料的常用的制备工艺方法和发光机理,从离子掺杂的角度分析其性能,并对反尖晶石结构的Mg_(2)SnO_(4)系长余辉材料在防伪、信息存储、成像等方面的应用现状进行了综述和展望。 展开更多
关键词 反尖晶石结构 mg_(2)sno_(4)系长余辉材料 离子掺杂
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