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“自上而下”构筑TiO_(2)与Pt纳米簇之间的活性界面I:再分散过程和机制
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作者 杜晓蕊 黄一珂 +8 位作者 潘晓丽 江训柱 苏杨 杨静怡 郭亚琳 韩冰 文承彦 王晨光 乔波涛 《Chinese Journal of Catalysis》 SCIE CAS CSCD 2024年第3期237-246,共10页
负载型金属催化剂广泛应用于现代化学化工过程,其中,金属颗粒的尺寸通常对催化性能起着至关重要的作用.尤其是,那些粒径低于2 nm的高分散金属纳米簇,不仅具有接近单原子催化剂的原子利用效率,而且展现出协同活化底物的能力.这使得它们... 负载型金属催化剂广泛应用于现代化学化工过程,其中,金属颗粒的尺寸通常对催化性能起着至关重要的作用.尤其是,那些粒径低于2 nm的高分散金属纳米簇,不仅具有接近单原子催化剂的原子利用效率,而且展现出协同活化底物的能力.这使得它们在特定反应中能够兼具单原子和纳米催化剂的优势,并逐渐受到关注.然而,制备高稳定负载型纳米簇催化剂仍然是一项挑战.传统的“自下而上”制备策略存在成本高、产率低以及复杂配体难以去除等问题.近年来,通过“自上而下”的方法将金属纳米颗粒等聚集体再分散为单原子已经成为一种较普遍的单原子催化剂制备方法,但利用类似策略合成纳米簇催化剂的报道较少.本文通过对TiO_(2)负载的铂纳米颗粒或PtO_(2)粉末进行简单的煅烧,成功制备了高分散且热稳定的铂纳米簇,并通过系统表征和密度泛函理论(DFT)模拟深入研究了这一再分散过程和机制.首先,使用胶体沉淀法合成了TiO_(2)负载的铂纳米颗粒催化剂.在400°C空气中焙烧除去除保护剂后,铂纳米颗粒平均粒径为3.4 nm.然而,当焙烧温度升高至550°C时,Pt纳米颗粒消失,转化为高度分散的纳米簇,平均粒径约为1 nm.X射线光电子能谱和X射线吸收近边结构结果表明,再分散后铂的价态从金属态转变为+4价为主的氧化态;扩展X射线吸收精细结构的拟合结果进一步证实了再分散后铂的高价态和小尺寸.值得注意的是,与大部分金属再分散均形成单原子分散物种不同,本工作中铂在TiO_(2)载体上的再分散以纳米簇为最终物种.为了解释纳米簇的形成,详细研究了金属再分散过程.通过对照试验,排除了表面活性剂的作用,并证实形成氧化铂物种在再分散过程中起关键作用.通过DFT计算评估了可能的氧化铂中间体的化学势,结果表明铂的氧化单体,尤其是Pt_(1)(O_(2))/r110和气态PtO_(2)(g),具有� 展开更多
关键词 多相催化 纳米簇 再分散 金属-氧化物界面 一氧化碳氧化
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“自上而下”构筑TiO_(2)与Pt纳米簇之间的活性界面II:催化一氧化碳氧化反应性能和机理
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作者 杜晓蕊 黄一珂 +8 位作者 潘晓丽 江训柱 苏杨 杨静怡 郭亚琳 韩冰 文承彦 王晨光 乔波涛 《Chinese Journal of Catalysis》 SCIE CAS CSCD 2024年第3期247-254,共8页
CO氧化是工业生产和汽车尾气处理中的重要反应,对控制环境污染具有重要意义.同时,作为结构敏感的常见探针反应,CO氧化对催化基础理论的发展和新型催化剂的开发都起到重要的推动作用,如L-H、MvK机理的提出和发展、单原子催化剂的发现和... CO氧化是工业生产和汽车尾气处理中的重要反应,对控制环境污染具有重要意义.同时,作为结构敏感的常见探针反应,CO氧化对催化基础理论的发展和新型催化剂的开发都起到重要的推动作用,如L-H、MvK机理的提出和发展、单原子催化剂的发现和相关理论的发展等.深入研究催化剂上的CO氧化机理,不仅能够深化我们对催化剂构效关系的理解,而且可以为催化剂在其他化学反应中的应用提供有益的参考和启示.在本工作的第一部分(Chin.J.Catal.,2024,58,237–246)中,我们通过Pt纳米颗粒(NP)在TiO_(2)表面的再分散,成功合成了Pt/TiO_(2)纳米簇(NC)催化剂,随之以CO氧化为模型反应研究其催化性能.本工作研究发现,Pt/TiO_(2)NC对CO氧化具有较好的表观和本征活性,其在100和20°C下的表观反应速率为2.61和0.24 molCO gPt^(‒1)h^(‒1),分别是Pt NP催化剂的7.2和12倍,也是大部分文献报道的Pt基催化剂的3‒20倍;相应地,Pt NC催化剂上的CO氧化在100和20°C下的TOF值为0.18和0.016 s^(‒1),分别是Pt NP催化剂的2.7和4.4倍.同时,Pt NC稳定性突出,在经过五次循环或长达40 h的反应后,其活性无明显降低.随后,详细研究了催化剂上的CO氧化反应机理.动力学研究表明,Pt NP催化剂上的CO和O_(2)反应级数皆为正(0.15和0.45),推测其上的CO氧化遵循MvK机制或非竞争的L-H机制.而Pt NC催化剂上CO级数为‒0.019,O_(2)级数为0.33,近零CO级数表明CO对反应没有影响,CO氧化的决速步为O_(2)的活化.同位素^(18)O标记实验结果表明,在Pt NP催化剂上主要是晶格氧参与反应,表明其反应路径主要遵循MvK机制.而在Pt NC催化剂上,参与反应的主要是活化的气相氧.为了进一步研究Pt NC上CO氧化反应过程,进行了^(18)O_(2)参与的脉冲反应实验,发现无论在常温或100°C下,当18O2通过预吸附CO饱和的Pt NC样品时,没有CO_(2)产生.排除CO对O_(2)活化的影响(CO级数接近零),这表明� 展开更多
关键词 多相催化 纳米簇 再分散 金属-氧化物界面 一氧化碳氧化
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Interfacial oxidized Pd species dominate catalytic hydrogenation of polar unsaturated bonds
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作者 Pengyao You Shaoqi Zhan +6 位作者 Pengpeng Ruan Ruixuan Qin Shiguang Mo Yazhou Zhang Kunlong Liu Lansun Zheng Nanfeng Zheng 《Nano Research》 SCIE EI CSCD 2024年第1期228-234,共7页
The determination of catalytically active sites is crucial for the design of efficient and stable catalysts toward desired reactions.However,the complexity of supported noble metal catalysts has led to controversy ove... The determination of catalytically active sites is crucial for the design of efficient and stable catalysts toward desired reactions.However,the complexity of supported noble metal catalysts has led to controversy over the locations of catalytically active sites(e.g.,metal,support,and metal/support interface).Here we develop a structurally controllable catalyst system(Pd/SBA-15)to reveal the catalytic active sites for the selective hydrogenation of ketones to alcohol using acetophenone hydrogenation as model reaction.Systematic investigations demonstrated that unsupported Pd nanocrystals have no catalytic activity for acetophenone hydrogenation.However,oxidized Pd species were catalytically highly active for acetophenone hydrogenation.The catalytic activity decreased with the decreased oxidation state of Pd.This work provides insights into the hydrogenation mechanism of ketones but also other unsaturated compounds containing polar bonds,e.g.,nitrobenzene,N-benzylidene-benzylamine,and carbon dioxide. 展开更多
关键词 oxidized Pd metal/oxide interface constant particle size Pd/SBA-15 acetophenone hydrogenation
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Engineering the epitaxial interface of Pt-CeO2 by surface redox reaction guided nucleation for low temperature CO oxidation 被引量:3
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作者 Changjin Xu Yutong Wu +5 位作者 Song Li Jun Zhou Jing Chen Min Jiang Hongda Zhao Gaowu Qin 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2020年第5期39-46,共8页
The interface between metal nanoparticles(NPs)and support plays a vital role in catalysis because both electron and atom exchanges occur across the metal-support interface.However,the rational design of interfacial st... The interface between metal nanoparticles(NPs)and support plays a vital role in catalysis because both electron and atom exchanges occur across the metal-support interface.However,the rational design of interfacial structure facilitating the charge transfer between the neighboring parts remains a challenge.Herein,a guided nucleation strategy based on redox reaction between noble metal precursor and supportsurface is introduced to construct epitaxial interfaces between Pt NPs and CeO2 support.The Pt/CeO2 catalyst exhibits near room temperature catalytic activity for CO oxidation that is benefited from the well-defined interface structure facilitating charge transfer from CeO2 support to Pt NPs.Meanwhile,this general approach based on support-surface-induced-nucleation was successfully extended to synthesize Pd and Cu nanocatalysts on CeO2,demonstrating its universal and feasible characteristics.This work is an important step towards developing highly active supported metal catalysts by engineering their interfaces. 展开更多
关键词 CO oxidation Electronic metal-support interaction SUPPORT SURFACE induced NUCLEATION metal-oxide interface
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钙钛矿结构Pr_(1-x)CaxMnO_3薄膜中电脉冲诱导电阻值变化的理论研究 被引量:4
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作者 李倩 王之国 +2 位作者 刘甦 邢钟文 刘楣 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期1637-1642,共6页
建立一个有效的三明治隧穿模型研究在Pr1-xCaxMnO3薄膜中电流脉冲引起的电阻改变(EPIR)性质,发现载流子在三明治结构各区域间的隧穿概率以及在不均匀界面层的导通概率对材料的EPIR值产生重要影响.还研究了电流-电压曲线中的迟滞效应,得... 建立一个有效的三明治隧穿模型研究在Pr1-xCaxMnO3薄膜中电流脉冲引起的电阻改变(EPIR)性质,发现载流子在三明治结构各区域间的隧穿概率以及在不均匀界面层的导通概率对材料的EPIR值产生重要影响.还研究了电流-电压曲线中的迟滞效应,得到的结果与近年来的文献报道一致. 展开更多
关键词 强关联电子系统 金属 氧化物界面 隧穿
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Co(OH)_(2)层对负载型Pt纳米晶在催化氨硼烷水解产氢中的提升作用
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作者 王思宇 黄莉 +4 位作者 刘成勇 贺文雪 龙志鑫 潘亚 孙治湖 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第2期141-152,I0001-I0004,I0054,共17页
氨硼烷催化水解脱氢是一种很有前途的产氢和储氢方式.为此,需要开发新型催化剂以降低贵金属的使用量而同时保持其高活性和稳定性.本文利用过渡金属Co(OH)_(2)层来调整Pt基金属催化剂的组成,构建系列不同Pt/Co比的Pt-Co(OH)_(2)/SiO_(2)... 氨硼烷催化水解脱氢是一种很有前途的产氢和储氢方式.为此,需要开发新型催化剂以降低贵金属的使用量而同时保持其高活性和稳定性.本文利用过渡金属Co(OH)_(2)层来调整Pt基金属催化剂的组成,构建系列不同Pt/Co比的Pt-Co(OH)_(2)/SiO_(2)催化剂,对氨硼烷水解的氢生成速率呈现火山型曲线.当Pt:Co摩尔比为1:11时,催化剂的性能最佳,其转换频率值829 molH_(2)·molpt-1.min-1,优于大多数报道的Pt基催化剂,表观活化能从61.6 kJ/mol降低到31.2 kJ/mol.活性增强的原因在于Pt-Co(OH)_(2)界面上发生从Co(OH)_(2)向Pt的电荷转移,使Pt表面富电子,有利于H_(2)O分子中O-H键的氧化断裂,降低反应能垒,从而显著提高其催化活性和循环稳定性. 展开更多
关键词 氨硼烷水解 催化脱氢 金属氧化物界面 铂基纳米催化剂 反应动力学
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MnO_(x)/Rh(111)模型表面的制备及其CO加氢催化性能研究
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作者 马靖凯 李幻 陈明树 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2023年第1期61-67,共7页
金属-氧化物载体界面在多相催化中起着至关重要的作用.本研究制备了MnO_(x)/Rh(111)模型表面,采用原位镜面反射红外吸收光谱(IRAS)、扫描隧道显微镜(STM)、俄歇电子能谱(AES)和低能电子衍射(LEED)对其进行表征,并考察其在真空高温退火... 金属-氧化物载体界面在多相催化中起着至关重要的作用.本研究制备了MnO_(x)/Rh(111)模型表面,采用原位镜面反射红外吸收光谱(IRAS)、扫描隧道显微镜(STM)、俄歇电子能谱(AES)和低能电子衍射(LEED)对其进行表征,并考察其在真空高温退火处理下的稳定性和CO加氢催化性能.结果显示:在Rh(111)单晶上沉积了规整有序且热稳定性好的不同覆盖度的MnO_(x)薄膜,MnO_(x)在Rh(111)上逐层生长,并在亚单层时形成清晰的二维团簇;低覆盖度时MnO_(x)二维簇以MnO的形式优先生长在Rh(111)的台阶位,并大多呈三角形,在亚单层Rh-MnO_(x)界面周边估测的长度随MnO_(x)覆盖度呈火山型变化,在0.4~0.5 ML(单层)之间有最大值.Rh(111)表面上CO加氢反应主要生成甲烷,部分覆盖MnO_(x)后显著抑制甲烷的生成而乙醇的选择性显著提高,且MnO_(x)盖满单层以后表面的催化活性下降.这些结果表明Rh-MnO_(x)界面位点可能是CO加氢生成乙醇的活性中心. 展开更多
关键词 MnO_(x)/Rh(111) 金属-氧化物界面 反射红外吸收光谱 扫描隧道显微镜 CO加氢
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金属/氧化物界面的第一性原理计算的研究进展 被引量:4
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作者 刘晓娜 毛红奎 +1 位作者 王宇 徐宏 《热加工工艺》 北大核心 2019年第2期28-31,35,共5页
对金属/氧化物界面第一性原理的理论基础进行了介绍。从构建界面,以及应力、温度及第三组元的添加对界面的影响角度介绍了金属/氧化物界面的研究进展,并找出其中存在的问题。最后,对今后的发展和研究进行了展望。
关键词 金属/氧化物界面 第一性原理 应力 第三组元
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Microscopic Approach of Adhesion and Wetting of Liquid Metal on Solid Ionocovalent Oxide Surface
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作者 李建国 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 1993年第2期84-96,共13页
The adhesion and wetting of non-reactive liquid metals with solid ionocovalent oxides are studied on the basis of the experimental work of adhesion W data obtained with the sessile drop method.An analysis of the exper... The adhesion and wetting of non-reactive liquid metals with solid ionocovalent oxides are studied on the basis of the experimental work of adhesion W data obtained with the sessile drop method.An analysis of the experimental W values of different liquid metals on various solid oxides is first performed to evidence the de- pendence of the work of adhesion of a metal/oxide system on the electron density of the metal and on the thermodynamic stability of the oxide.An electronic model is then proposed to describe the microscopic mech- anism of metal-oxide interactions.Based on the model,the contact angle and the work of adhesion of different liquid metals on various solid oxides can be interpreted and estimated,and their correlations to the various physical quantities of the oxides can be easily deduced.The basic consideration of the model is that the adhe- sion between a metal and an oxide is assured by the electron transfer from the metal into the oxide valence band which is not completely filled of electrons at high temperatures,and is enhanced when this electron trans- fer at the metal/oxide interface is intensified.The influence of interface defects on the wetting and adhesion is suggested and discussed. 展开更多
关键词 WETTING ADHESION metal/oxide interface Electron density of metal Bandgap energy of oxide
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Ptnc-FeOx界面作用提升Pt团簇催化CO氧化性能 被引量:3
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作者 刘成勇 黄莉 +5 位作者 宋雪洋 贺文雪 王思宇 龙志鑫 孙治湖 韦世强 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2021年第1期25-34,共10页
金属-氧化物界面作用对于调节金属催化剂的电子结构、提升催化剂的催化活性和稳定性起到重要影响,在纳米催化研究领域受到广泛关注。利用尿素沉积沉淀法合成了与FeOx形成界面作用的负载型Pt团簇(Ptnc,尺寸为(1.4±0.2)nm),它表现出... 金属-氧化物界面作用对于调节金属催化剂的电子结构、提升催化剂的催化活性和稳定性起到重要影响,在纳米催化研究领域受到广泛关注。利用尿素沉积沉淀法合成了与FeOx形成界面作用的负载型Pt团簇(Ptnc,尺寸为(1.4±0.2)nm),它表现出相对单金属Ptnc催化剂显著提升的CO催化氧化活性。与具有类似Pt负载量的Pt/SiO2相比,Ptnc-FeOx/SiO2催化剂在同等条件下催化CO氧化的完全转化温度从180°C大幅降低至90°C,表观活化能从60 kJ·mol^−1降低到19 kJ·mol^−1,并具有高出20倍的转换频率(Turnover Frequency,TOF)。采用同步辐射X射线吸收谱学技术、原位漫反射傅里叶变换红外光谱、球差电镜等多种表征手段,对Ptnc-FeOx之间的界面相互作用进行了探讨。结果表明:Ptnc与FeOx之间通过形成的Pt-Fe金属键发生了从Fe向Pt的电荷转移,从而降低了Ptnc的d带中心位置,减弱了CO在Ptnc表面的吸附强度,有助于实现催化活性和反应动力学速率的提升。 展开更多
关键词 金属-氧化物界面 Ptnc-FeOx催化剂 CO催化氧化 同步辐射X射线吸收精细结构 漫反射傅里叶 变换红外光谱
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金属/氧化物界面结合特性的研究现状 被引量:2
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作者 张朝科 冯煜东 +1 位作者 王志民 王艺 《真空与低温》 2015年第4期187-193,共7页
金属/氧化物薄膜材料具有优良的物理化学特性,近年来得到了人们的广泛关注和研究。但是,金属/氧化物材料的界面复杂性一直是困扰科研人员的难题。界面结构对材料性能有着重大的影响。分析了氧、缺陷、过渡金属等对金属/氧化物界面的影响... 金属/氧化物薄膜材料具有优良的物理化学特性,近年来得到了人们的广泛关注和研究。但是,金属/氧化物材料的界面复杂性一直是困扰科研人员的难题。界面结构对材料性能有着重大的影响。分析了氧、缺陷、过渡金属等对金属/氧化物界面的影响,着重讨论了界面结构与特性及对附着性的影响及提升附着性的方法。结果表明,氧的含量及分布、过渡金属中间层、表面电子密度差、离子束辅助沉积、后期处理等对薄膜界面结合特性都有重要影响。 展开更多
关键词 金属/氧化物 界面 附着性
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Homogeneous interface-type resistance switching in Au/La_(0.67)Ca_(0.33)MnO_3/SrTiO_3/F:SnO_2 heterojunction memories
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作者 张婷 丁玲红 张伟风 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2012年第4期467-472,共6页
La0.67Ca0.33MnO3 thin films are fabricated on fluorine-doped tin oxide conducting glass substrates by a pulsed laser deposition technique with SrTiO3 used as a buffer layer. The current-voltage characteristics of the ... La0.67Ca0.33MnO3 thin films are fabricated on fluorine-doped tin oxide conducting glass substrates by a pulsed laser deposition technique with SrTiO3 used as a buffer layer. The current-voltage characteristics of the heterojunetions exhibit an asymmetric and resistance switching behaviour. A homogeneous interface-type conduction mechanism is also reported using impedance spectroscopy. The spatial homogeneity of the charge carrier distribution leads to field- induced potential-barrier change at the Au-La0.67Ca0.33MnO3 interface and a concomitant resistance switching effect. The ratio of the high resistance state to the low resistance state is found to be as high as 1.3 x 10^4% by simulating the AC electric field. This colossal resistance switching effect will greatly improve the signal-to-noise ratio in nonvolatile memory applications. 展开更多
关键词 La0.67Ca0.33MnO3 thin films resistance switching impedance spectroscopy metal-oxide interface
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Interface-related switching behaviors of amorphous Pr_(0.67)Sr_(0.33)MnO_3-based memory cells
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作者 张婷 白莹 +1 位作者 贾彩虹 张伟风 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2012年第10期429-434,共6页
The resistive switching properties in amorphous Pr0.67Sr0.33MnO3 films deposited by pulsed laser deposition are investigated.Reproducible and bipolar counter-8-shape and 8-shape switching behaviours of Au/Pr0.67Sr0.33... The resistive switching properties in amorphous Pr0.67Sr0.33MnO3 films deposited by pulsed laser deposition are investigated.Reproducible and bipolar counter-8-shape and 8-shape switching behaviours of Au/Pr0.67Sr0.33MnO3 /F:SnO2 junctions are obtained at room temperature.Dramatically,the coexistence of two switching polarities could be reversibly adjusted by an applied voltage range.The results allocated those two switching types to areas of different defect densities beneath the same electrode.The migration of oxygen vacancies and the trapping effect of electrons under an applied electric field play an important role.An interface-effect-related resistance switching is proposed in an amorphous Pr0.67Sr0.33MnO3-based memory cell. 展开更多
关键词 Pr0.67Sr0.33MnO3 thin films resistance switching AMORPHOUS metal-oxide interface
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CuMgO界面结构的高分辨电子显微镜研究
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作者 刘红荣 蔡灿英 +1 位作者 杨奇斌 王岩国 《湘潭大学自然科学学报》 CAS CSCD 2002年第4期26-28,36,共4页
利用高分辨透射电子显微镜对内部氧化Cu Mg合金产生的Cu MgO界面进行了研究 ,观察到了一种新的取向关系 ,这种取向关系不同于通常观察到的两晶胞取向完全一致的简单关系 .而且对界面的结构和位错进行了研究 。
关键词 Cu/MgO 界面 高分辨电子显微镜 金属/氧化物 位错 原子结构 氧化镁 晶格常数
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金属/氧化物界面形成机理原位研究
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作者 王辉 夏明许 +1 位作者 曾龙 李建国 《失效分析与预防》 2021年第1期15-27,共13页
金属/氧化物界面是控制反应机理和宏观性质的关键区域。原位表征手段可以实时、连续、动态地对金属/氧化物界面形成过程进行研究,其观察和分析结果对理解界面形成过程及其应用有重大学术意义和工程价值。本文综述国内外原位表征金属/氧... 金属/氧化物界面是控制反应机理和宏观性质的关键区域。原位表征手段可以实时、连续、动态地对金属/氧化物界面形成过程进行研究,其观察和分析结果对理解界面形成过程及其应用有重大学术意义和工程价值。本文综述国内外原位表征金属/氧化物界面的研究工作,主要关注原位透射电子显微镜、原位同步辐射技术、原位中子技术等先进表征分析金属/氧化物界面形貌、界面反应、界面应力及其形成机理的研究技术与方法。 展开更多
关键词 金属/氧化物界面 原位研究 透射电子显微镜 同步辐射技术 中子技术 原子机理
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铜与氧化镁基底界面微观结构第一性原理模拟研究
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作者 房勇 肖盼 +2 位作者 罗雅潇 梁云龙 杨俊 《四川轻化工大学学报(自然科学版)》 CAS 2020年第6期1-5,共5页
以铜薄膜和氧化镁3个低指数面基底((100)、(110)、(111))形成的界面为研究对象,采用第一性原理模拟方法结合周期性平板模型,对Cu/Mg O(100)、Cu/Mg O(110)、Cu/Mg O(111)3个体系的界面原子匹配、界面结合强度和界面电子结构进行了计算... 以铜薄膜和氧化镁3个低指数面基底((100)、(110)、(111))形成的界面为研究对象,采用第一性原理模拟方法结合周期性平板模型,对Cu/Mg O(100)、Cu/Mg O(110)、Cu/Mg O(111)3个体系的界面原子匹配、界面结合强度和界面电子结构进行了计算和对比。模拟结果表明基底取向不同会导致Cu/Mg O界面原子匹配存在明显差异,进而对界面分离功产生影响,其中Cu/Mg O(111)体系界面分离功最大(6.73 J/m^2),Cu/Mg O(110)次之(2.40 J/m^2),Cu/Mg O(100)最小(1.44 J/m^2),显示出基底取向对复合材料界面结构和性能的调控作用。电子结构计算表明界面分离功大小与界面处电荷转移的数量有关,界面电荷转移数量越多,界面分离功越大,且电荷转移主要发生在界面处两层原子之间。 展开更多
关键词 金属/氧化物 晶体取向 界面微观结构 第一性原理模拟
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金属与金属氧化物界面第一性原理计算研究方法及其应用 被引量:7
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作者 江勇 《自然杂志》 2015年第4期261-268,共8页
主要结合作者多年的研究实践,简要而系统地介绍了第一性原理计算应用于金属与金属氧化物界面问题的研究思路和方法;并以金属基复合材料Cu/(Al2O3)p的内氧化原位制备为研究实例,介绍了第一性原理界面热力学与扩散动力学的结合,可以在界... 主要结合作者多年的研究实践,简要而系统地介绍了第一性原理计算应用于金属与金属氧化物界面问题的研究思路和方法;并以金属基复合材料Cu/(Al2O3)p的内氧化原位制备为研究实例,介绍了第一性原理界面热力学与扩散动力学的结合,可以在界面层次上实现对材料微观结构形成和演变的预测,从而为材料的制备实践提供理论指导。 展开更多
关键词 第一性原理 金属/金属氧化物界面 金属基复合材料 内氧化
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碳化硅MOSFET栅氧化层可靠性研究 被引量:6
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作者 黄润华 钮应喜 +8 位作者 杨霏 陶永洪 柏松 陈刚 汪玲 刘奥 卫能 李赟 赵志飞 《智能电网》 2015年第2期99-102,共4页
通过TCAD仿真的方法对器件可靠性与结构设计之间的关系进行分析;对栅极电压和栅氧化层最强电场进行仿真,以对碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)单胞结构参数进行优化;在N... 通过TCAD仿真的方法对器件可靠性与结构设计之间的关系进行分析;对栅极电压和栅氧化层最强电场进行仿真,以对碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)单胞结构参数进行优化;在N型碳化硅外延层上制作金属氧化物半导体(metal-oxide-semiconductor,MOS)电容,并且通过对MOS电容进行C-V测试的方法评估Si O2/Si C界面质量。对导带附近界面陷阱密度进行比较。NO退火的样品与干氧氧化样品相比界面质量明显改善,界面态密度小于5×10~11 cm–2e V–1。 展开更多
关键词 界面态 碳化硅金属氧化物半导体(metal-oxide-semiconductor MOS)电容
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基于低频噪声的65nm工艺NMOS器件热载流子注入效应分析 被引量:4
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作者 何玉娟 刘远 章晓文 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第7期531-536,共6页
随着器件特征尺寸的缩小,半导体器件受到热载流子注入(HCI)导致的损伤越来越小,采用常用的I-V测试方法很难获得其内部陷阱电荷的准确数据。采用I-V测试和低频噪声测试相结合的方式,分析了65 nm工艺NMOS器件HCI时的特性变化,采用低频噪... 随着器件特征尺寸的缩小,半导体器件受到热载流子注入(HCI)导致的损伤越来越小,采用常用的I-V测试方法很难获得其内部陷阱电荷的准确数据。采用I-V测试和低频噪声测试相结合的方式,分析了65 nm工艺NMOS器件HCI时的特性变化,采用低频噪声技术计算出HCI效应前后氧化层陷阱电荷和界面态陷阱电荷变化量,以及栅氧化层附近陷阱密度情况。通过I-V测试方法只能计算出HCI效应诱生的陷阱电荷变化量,对于其陷阱电荷的分布情况却无法计算,而相比于常用的I-V测试方式,低频噪声测试能更准确计算出随HCI后器件界面态陷阱电荷和氧化层陷阱电荷的具体数值及其HCI效应诱生变化值,并计算出氧化层附近的陷阱电荷空间分布情况。 展开更多
关键词 热载流子注入(HCI)效应 低频噪声 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 界面态陷阱电荷 氧化层陷阱电荷
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1700V碳化硅MOSFET设计 被引量:4
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作者 黄润华 陶永洪 +6 位作者 柏松 陈刚 汪玲 刘奥 卫能 李赟 赵志飞 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期510-513,共4页
设计了一种击穿电压大于1 700V的SiC MOSFET器件。采用有限元仿真的方法对器件的外延掺杂浓度及厚度、有源区结构以及终端保护效率进行了优化。器件采用14μm厚、掺杂浓度为5×1015cm-3的N型低掺杂区。终端保护结构采用保护环结构... 设计了一种击穿电压大于1 700V的SiC MOSFET器件。采用有限元仿真的方法对器件的外延掺杂浓度及厚度、有源区结构以及终端保护效率进行了优化。器件采用14μm厚、掺杂浓度为5×1015cm-3的N型低掺杂区。终端保护结构采用保护环结构。栅压20V、漏压2V时,导通电流大于1A,击穿电压高于1 800V。 展开更多
关键词 4H型碳化硅 金属氧化物半导体场效应晶体管 终端保护 界面态
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