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正交设计和均匀设计用于硒-金膜修饰电极制备条件的选择 被引量:2
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作者 白燕 李蕊 +2 位作者 程涛 郑文杰 孟建新 《分析试验室》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期9-12,共4页
硒代胱氨酸在硒 金(Se Au)膜修饰玻碳电极上产生两个灵敏的氧化还原峰:峰II(-500mV左右)和峰III(-327mV左右),以峰II的峰电流作为评价指标,采用正交设计与均匀设计相结合的方法对Se Au膜修饰电极的制备条件进行优化得到最佳优化条件:底... 硒代胱氨酸在硒 金(Se Au)膜修饰玻碳电极上产生两个灵敏的氧化还原峰:峰II(-500mV左右)和峰III(-327mV左右),以峰II的峰电流作为评价指标,采用正交设计与均匀设计相结合的方法对Se Au膜修饰电极的制备条件进行优化得到最佳优化条件:底液0.1mol LKCl;沉积电位为-850mV;沉积时间为60s;SeO2浓度为8.3×10-3mol L;AuCl3浓度为8.9×10-4mol L。均匀设计的数据应用Matlab计算机软件处理。依此制备的Se Au膜修饰电极性能稳定,用于硒代胱氨酸伏安特性研究有良好的重现性。 展开更多
关键词 硒-金膜修饰玻碳电极 制备条件 正交设计 均匀设计 硒代胱氨酸 生物体 含硒基氨酸
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