期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到185篇文章
< 1 2 … 10 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
第三代半导体GaN功率开关器件的发展现状及面临的挑战 被引量：27
1
作者 何亮 刘扬 《电源学报》 CSCD 2016年第4期1-13,共13页
氮化镓(GaN)材料具有优异的物理特性,非常适合于制作高温、高速和大功率电子器件,具有十分广阔的市场前景。Si衬底上GaN基功率开关器件是目前的主流技术路线,其中结型栅结构(p型栅)和共源共栅级联结构(Cascode)的常关型器件已经逐步实... 氮化镓(GaN)材料具有优异的物理特性,非常适合于制作高温、高速和大功率电子器件,具有十分广阔的市场前景。Si衬底上GaN基功率开关器件是目前的主流技术路线,其中结型栅结构(p型栅)和共源共栅级联结构(Cascode)的常关型器件已经逐步实现产业化,并在通用电源及光伏逆变等领域得到应用。但是鉴于以上两种器件结构存在的缺点,业界更加期待能更充分发挥GaN性能的"真"常关MOSFET器件。而GaN MOSFET器件的全面实用化,仍然面临着在材料外延方面和器件稳定性方面的挑战。 展开更多
关键词 氮化镓 Si衬底上GaN功率电子器件 GAN mosfet器件 产业化
下载PDF
基于MOSFET器件的开机浪涌电流抑制电路设计 被引量：9
2
作者 姜东升 邱羽玲 《电源技术》 CAS 北大核心 2019年第7期1216-1218,共3页
近年来,宇航用功率继电器发生了多起触点粘连故障,分析表明星上电子设备为提高电源品质,在输入端装有大容量滤波电容,继电器在接通时,电容在上电瞬间近似短路,继电器触点有较大的浪涌电流流过,该浪涌电流导致继电器触点产生熔焊(粘连)... 近年来,宇航用功率继电器发生了多起触点粘连故障,分析表明星上电子设备为提高电源品质,在输入端装有大容量滤波电容,继电器在接通时,电容在上电瞬间近似短路,继电器触点有较大的浪涌电流流过,该浪涌电流导致继电器触点产生熔焊(粘连)失效。通过分析电路浪涌电流产生机理,提出了两种基于场效应管(MOSFET)器件的可靠有效的浪涌电流抑制电路,并对两种电路进行了分析。该研究对于抑制电源加电瞬间浪涌电流,提高供电的可靠性和安全性具有重要意义。 展开更多
关键词 浪涌电流 触点粘连 mosfet器件
下载PDF
谐振型电火花加工脉冲电源的研究 被引量：7
3
作者 狄士春 迟关心 张飞 《电加工与模具》 2004年第2期10-13,共4页
分析了限制电火花加工脉冲电源高频化的因素 ,利用并联谐振软开关技术和高速功率MOSFET器件 ,设计了一种新型电火花加工脉冲电源 ,对这种新型电源的工作原理进行了探讨与分析。
关键词 电火花加工 脉冲电源 并联谐振 软开关 mosfet器件
下载PDF
纳米级MOSFET器件模拟的载流子输运模型 被引量：4
4
作者 蒲月皎 刘丕均 +1 位作者 张亚非 王印月 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期160-166,共7页
随着半导体微细加工技术的发展,预计硅SOC的集成度可达万亿个晶体管,单个晶体管的尺寸将达到10nm范围内。因此从理论上研究纳米尺寸器件的性能和特性对发展超大规模集成电路尤为重要。综述了纳米级MOSFET器件数值模拟的量子模型,以及在... 随着半导体微细加工技术的发展,预计硅SOC的集成度可达万亿个晶体管,单个晶体管的尺寸将达到10nm范围内。因此从理论上研究纳米尺寸器件的性能和特性对发展超大规模集成电路尤为重要。综述了纳米级MOSFET器件数值模拟的量子模型,以及在该模型下用到的几种载流子输运模型,并结合模拟结果对这一模型作了评价。 展开更多
关键词 输运模型 载流子 纳米级 器件模拟 超大规模集成电路 mosfet器件 微细加工技术 纳米尺寸 量子模型 数值模拟 模拟结果 晶体管 半导体 集成度 SOC 硅
下载PDF
基于变电阻驱动的SiC器件开关轨迹协同调控 被引量：1
5
作者 邹铭锐 曾正 +2 位作者 孙鹏 王亮 王宇雷 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2023年第16期4286-4300,共15页
得益于优异的电-热性能,SiC器件在新能源变流器中得到了越来越多的应用。然而,相对于Si器件,SiC器件的开关速度更快、安全裕度更低、电磁干扰更大,制约了其安全可靠运行。基于栅极驱动电阻的动态切换,该文提出一种四阶段变电阻的SiC MOS... 得益于优异的电-热性能,SiC器件在新能源变流器中得到了越来越多的应用。然而,相对于Si器件,SiC器件的开关速度更快、安全裕度更低、电磁干扰更大,制约了其安全可靠运行。基于栅极驱动电阻的动态切换,该文提出一种四阶段变电阻的SiC MOSFET器件开关轨迹调控方法,实现开关速度、损耗、过冲、振荡、串扰、延迟等多项性能的协同优化,建立驱动电阻对SiC器件开关轨迹定量调控的数学模型,发现开关性能量化指标与开关轨迹不同阶段之间的解耦规律,提出分阶段变电阻的驱动方法,实现开关轨迹中多个控制目标之间的协同优化,给出驱动电阻取值的通用设计方法,提出驱动电阻切换的交错时序逻辑,对比传统驱动方法,采用大量实验结果,验证了所提模型方法的有效性。 展开更多
关键词 SIC mosfet器件 主动栅极驱动 四阶段变电阻 开关轨迹调控 多目标协同
下载PDF
TOPSwitch器件在电源中的应用 被引量：3
6
作者 柏松 陆鸣 《电源技术应用》 2001年第1期19-23,共5页
采用 PWM 控制器和 MOSFET 功率开关一体化的集成控制芯片是新一代开关电源设计的重要特点和趋势。本文介绍美国功率集成公司(Power Integrations Inc.)于九十年代中期研制推出的三端 PWM/MOSFET 二合一集成控制器件 TOPSwitch 系列及... 采用 PWM 控制器和 MOSFET 功率开关一体化的集成控制芯片是新一代开关电源设计的重要特点和趋势。本文介绍美国功率集成公司(Power Integrations Inc.)于九十年代中期研制推出的三端 PWM/MOSFET 二合一集成控制器件 TOPSwitch 系列及其在开关电源设计中的应用,同时介绍如何应用 EXCEL 电子表格设计与 TOPSwitch 相匹配的高频功率变压器的程序。 展开更多
关键词 开关电源 TOPSwithch器件 集成控制芯片 mosfet器件
下载PDF
高K栅介质材料的研究现状与前景 被引量：1
7
作者 余涛 吴雪梅 +1 位作者 诸葛兰剑 葛水兵 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第21期25-29,共5页
论述了45～32nm技术节点下高K材料取代SiO2的必要性和基本要求,综述了高K栅介质中极具代表性的Hf基材料。研究表明,向HfO2中分别掺杂Al、Si、Ta、N等形成的复合Hf基高K栅介质材料具备较HfO2更加优异的物理结构、晶化温度、热力学稳定性... 论述了45～32nm技术节点下高K材料取代SiO2的必要性和基本要求,综述了高K栅介质中极具代表性的Hf基材料。研究表明,向HfO2中分别掺杂Al、Si、Ta、N等形成的复合Hf基高K栅介质材料具备较HfO2更加优异的物理结构、晶化温度、热力学稳定性以及电学特性,但与此同时也存在如何优化掺杂量、沟道载流子迁移率下降以及中间层引起的界面退化等难题。针对这些挑战,探讨了新型"堆垛结构"和引起载流子迁移率下降的物理机制,展望了高K材料在未来先进COMS器件中的应用。 展开更多
关键词 高K栅介质 HFO2 Hf基高K栅介质材料 mosfet器件
下载PDF
High-k材料MOS器件的PISCES-II模拟 被引量：1
8
作者 陈震 向采兰 余志平 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2003年第3期65-67,72,共4页
High-k材料是指介电常数k高于SiO2的材料。使用high-k材料做栅绝缘层,是减小MOS器件栅绝缘层直接隧道击穿(DirectTunneling,DT)电流的有效方法。文章在二维器件模拟软件PISCES-II中添加了模拟以high-k材料为栅绝缘层的MOS器件模型,并对S... High-k材料是指介电常数k高于SiO2的材料。使用high-k材料做栅绝缘层,是减小MOS器件栅绝缘层直接隧道击穿(DirectTunneling,DT)电流的有效方法。文章在二维器件模拟软件PISCES-II中添加了模拟以high-k材料为栅绝缘层的MOS器件模型,并对SiO2和high-k材料的MOS晶体管器件特性进行了模拟比较,成功地验证了所加high-k材料MOS器件模型的正确性。改进后的PISCES-II程序,可以方便地对以各种high-k材料为栅绝缘层的器件性能进行模拟。 展开更多
关键词 High-k材料 MOS器件 PISCES-Ⅱ模拟 隧道击穿 mosfet器件
下载PDF
高性能高可靠性SiC MOSFET的关键设计与优化
9
作者 崔京京 《变频器世界》 2022年第2期30-32,共3页
1引言近年内,碳化硅功率器件已逐渐成为高压、高频及高效率应用场合需求的首选。性能、可靠性和成本是决定功率器件商业化进程的三个重要维度,此三者一般互为矛盾关系。但回顾SiC MOSFET器件的技术发展历程可以发现,通过优化制造工艺和... 1引言近年内,碳化硅功率器件已逐渐成为高压、高频及高效率应用场合需求的首选。性能、可靠性和成本是决定功率器件商业化进程的三个重要维度,此三者一般互为矛盾关系。但回顾SiC MOSFET器件的技术发展历程可以发现,通过优化制造工艺和器件设计,不仅带来性能和可靠性的提升,也降低了单颗芯片成本,技术发展成为推动SiC MOSFET商业化进程的重要源动力。 展开更多
关键词 mosfet器件 芯片成本 碳化硅功率器件 器件设计 商业化进程 制造工艺 技术发展历程 高可靠性
下载PDF
基于DSP的自行火炮数字交流随动系统设计 被引量：2
10
作者 黄丽娟 程治新 +1 位作者 黄林昊 赵海燕 《四川兵工学报》 CAS 2013年第2期48-50,53,共4页
介绍了1种以自行火炮随动系统为背景,以永磁同步电机为执行元件的数字交流伺服系统的总体设计方案。该系统以矢量控制为理论基础,采用基于转子磁场定向的控制策略,选用DSP芯片TMS320F2812为控制核心构成全数字矢量控制伺服系统。针对随... 介绍了1种以自行火炮随动系统为背景,以永磁同步电机为执行元件的数字交流伺服系统的总体设计方案。该系统以矢量控制为理论基础,采用基于转子磁场定向的控制策略,选用DSP芯片TMS320F2812为控制核心构成全数字矢量控制伺服系统。针对随动系统工作电流大的特点,采用MOSFET器件构成功率逆变电路,实现大电流控制。仿真试验表明,系统具有较好的动态性能。 展开更多
关键词 随动系统 数字交流伺服系统 磁场定向控制策略 TMS320F2812 mosfet器件
下载PDF
基于BSIM深亚微米级MOSFET短沟道效应建模和特征提取方法研究 被引量：2
11
作者 赵阳 Parke Stephen Burke Franklyn 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期841-844,共4页
本文基于BSIM标准研究了现代深亚微米级MOSFET器件的建模和特征提取方法 ,着重在于短沟道效应方面 ,其中测试样品由MicronTM公司提供 ,最短沟道长度仅为 0 16微米 .内容包括一般短沟道效应、基板效应和漏极感应势垒降低效应 (简称DIBL... 本文基于BSIM标准研究了现代深亚微米级MOSFET器件的建模和特征提取方法 ,着重在于短沟道效应方面 ,其中测试样品由MicronTM公司提供 ,最短沟道长度仅为 0 16微米 .内容包括一般短沟道效应、基板效应和漏极感应势垒降低效应 (简称DIBL效应 )等 .研究表明 ,实验数据和BSIM模型结果较好吻合 ,证明文中方法的有效性以及较好的应用前景 . 展开更多
关键词 mosfet器件 建模与特征提取 短沟道效应 BSIM模型
下载PDF
CMOS电路热载流子可靠性设计
12
作者 罗宏伟 孙青 《电子产品可靠性与环境试验》 2000年第1期34-38,23,共6页
本文通过对影响ＭＯＳＦＥＴ器件热载流子可靠性的主要因素的讨论，提出了ＣＭＯＳ电路中热载流子可靠性设计的一般性策略，并从电路、结构和工艺等方面提出了几种典型的应用方法。
关键词 热载流子 可靠性设计 mosfet器件 CMOS电路
下载PDF
一种克服SOI MOSFET器件自加热效应的方法(英文) 被引量：1
13
作者 Parke S A Cole Bryan 《南京师范大学学报（工程技术版）》 CAS 2003年第4期55-58,共4页
MOS器件的自加热效应将影响器件的性能 .漏极电流将减小 ,长时间的可靠性也会受到影响 .在SOI器件中 ,自加热甚至比埋葬式氧化物引起的问题更严重 .本文通过在SOI和基片之间增加一条具有高导热和低导电的路径 。
关键词 SOI硅-绝缘体 mosfet器件 自加热效应
下载PDF
基于SiC器件的三电平半桥单电感均压电路 被引量：1
14
作者 崔恒斌 任海军 周涛 《电源学报》 CSCD 北大核心 2021年第3期182-188,共7页
针对辅助变流器中充电机输入端支撑电容电压不均衡导致变压器出现磁饱和的问题,研究一种基于SiC MOSFET器件的单电感均压电路。对单电感均压电路的4种工作模态进行分析,通过两个开关管的互补导通,利用电感实现能量在支撑电容之间的重新... 针对辅助变流器中充电机输入端支撑电容电压不均衡导致变压器出现磁饱和的问题,研究一种基于SiC MOSFET器件的单电感均压电路。对单电感均压电路的4种工作模态进行分析,通过两个开关管的互补导通,利用电感实现能量在支撑电容之间的重新分配,可实现支撑电容电压的均衡。对单电感均压电路的3种典型开关状态类型进行分析,并根据其开关状态类型计算单电感均压电路电感选取范围。仿真和小功率实验结果表明单电感均压电路具有较强的均压能力。 展开更多
关键词 SiC mosfet器件 单电感均压 辅助变流器 三电平半桥
下载PDF
高k材料Ta2O5结构与电学性质的研究 被引量：1
15
作者 陈息林 余涛 +2 位作者 吴雪梅 董尧君 诸葛兰剑 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第7期1335-1338,1341,共5页
利用双离子束沉积设备在p-Si(100)衬底上制备了Ta2O5基MOS电容,研究了不同辅源能量0、100、200、300eV下薄膜生长机制、内部结构以及电学性质的差异。实验结果显示,在辅源能量200eV下制备的Ta2O5薄膜具有最小的表面粗糙度和优异的界面... 利用双离子束沉积设备在p-Si(100)衬底上制备了Ta2O5基MOS电容,研究了不同辅源能量0、100、200、300eV下薄膜生长机制、内部结构以及电学性质的差异。实验结果显示,在辅源能量200eV下制备的Ta2O5薄膜具有最小的表面粗糙度和优异的界面特性。由C-V/I-V特征曲线表明,辅源能量200eV下制备的Ta2O5基MOS电容具有最小的平带电压偏移量、氧化层电荷密度以及漏电流。研究表明合适的辅源能量可有效改善薄膜生长机制,使薄膜由类岛状沉积转化为层状生长,从而提高晶粒均匀性、薄膜平整度以及致密性,使薄膜具有较好的电学性质。 展开更多
关键词 高K栅介质 TA2O5 mosfet器件 微结构 电学性质
下载PDF
短路保护和浪涌抑制电路的结合 被引量：1
16
作者 黎雁 《通信电源技术》 2021年第4期47-49,52,共4页
对于复杂装备系统,由于系统内用电设备较多,而这些用电设备都依赖同一条母线供电,任何一个用电设备出现故障短路时都会使供电母线短路,从而损坏其他用电设备的输入电源,导致所有用电设备均不能正常工作。各个设备正常工作时,在设备开关... 对于复杂装备系统,由于系统内用电设备较多,而这些用电设备都依赖同一条母线供电,任何一个用电设备出现故障短路时都会使供电母线短路,从而损坏其他用电设备的输入电源,导致所有用电设备均不能正常工作。各个设备正常工作时,在设备开关的过程中也会产生较大的浪涌电流,对供电母线造成冲击,从而产生危害。为了提高系统的供电可靠性,提出了一种短路保护和浪涌电流抑制结合的电路。该电路对于抑制电源加电瞬间浪涌电流、在某个支路故障引起短路时保护供电母线、保证其他支路正常工作以及提高供电的可靠性和安全性具有重要意义。 展开更多
关键词 短路保护 浪涌抑制 mosfet器件
下载PDF
安世半导体低RDS(on)功率MOSFET问市树立25V、0.57mΩ新标杆
17
《半导体信息》 2020年第1期11-12,共2页
安世半导体,分立器件和MOSFET器件及模拟和逻辑集成电路器件领域的生产专家,近日宣布推出有史以来最低RDS(on)的功率MOSFET。推出的PSMNR51-25YLH已经是业内公认的低压、低RDS(on)的领先器件,它树立了25V、0.57mΩ的新标准。
关键词 功率mosfet mosfet器件 分立器件 半导体 新标杆 RDS PSM 安世
原文传递
安世半导体推出低RDS(on)功率MOSFET
18
《电子质量》 2020年第2期42-43,共2页
安世半导体,分立器件和MOSFET器件及模拟和逻辑集成电路器件领域的生产专家,近日宣布推出有史以来最低RDS(on)的功率MOSFET。近日推出的PSMNR 51-25YLH已经是业内公认的低压、低RDS(on)的领先器件,它树立了25 V、0.57mΩ的新标准。该市... 安世半导体,分立器件和MOSFET器件及模拟和逻辑集成电路器件领域的生产专家,近日宣布推出有史以来最低RDS(on)的功率MOSFET。近日推出的PSMNR 51-25YLH已经是业内公认的低压、低RDS(on)的领先器件,它树立了25 V、0.57mΩ的新标准。该市场领先的性能利用安世半导体独特的NextPowerS3技术实现,并不影响最大漏极电流(ID(max))、安全工作区(SOA)或栅极电荷QG等其他重要参数。 展开更多
关键词 功率mosfet 安全工作区 mosfet器件 漏极电流 栅极电荷 分立器件 半导体 市场领先
下载PDF
一种提高功率MOSFET击穿电压的终端结构
19
作者 林洪春 薛斌 《微处理机》 2018年第3期20-23,共4页
MOSFET器件具有驱动电路简单、开关速度快、无二次击穿等固有优点,广泛应用于军工产品、消费类电子、工业产品、机电设备、智能手机及其他便携式数码电子产品等领域。近年来随着军工设备更新换代、民品产业绿色节能等需要,MOSFET器件的... MOSFET器件具有驱动电路简单、开关速度快、无二次击穿等固有优点,广泛应用于军工产品、消费类电子、工业产品、机电设备、智能手机及其他便携式数码电子产品等领域。近年来随着军工设备更新换代、民品产业绿色节能等需要,MOSFET器件的优势愈发明显,市场占有量显著增加。分析了MOSFET的结构特征和电学特性,重点研究了提高MOSFET击穿电压的方法,在同样衬底电阻率的情况下实现了功率MOSFET高压的电参数,解决了MOSFET在保证低导通电阻的情况下如何实现高电压的问题。该结构成功应用于MOSFET产品的设计、流片之中,显著提高了产品的电压参数和整体性能。 展开更多
关键词 mosfet器件 VDMOS器件 终端结构 击穿电压
下载PDF
新型应变SGOI/SOI/MOSFET器件结构及物理模型分析
20
作者 赵智超 吴铁峰 《中国科技信息》 2017年第13期71-72,共2页
SOI技术和应变硅技术的广泛应用和融合大大提升了新型应变硅器件的发展，通过对新型应变器件结构及物理模型的深入分析和研究，有效改善了传统MOSFET器件因结构尺寸小的限制。同时，沟道掺杂工程在晶体器件中的广泛引入，使得新型应变So... SOI技术和应变硅技术的广泛应用和融合大大提升了新型应变硅器件的发展，通过对新型应变器件结构及物理模型的深入分析和研究，有效改善了传统MOSFET器件因结构尺寸小的限制。同时，沟道掺杂工程在晶体器件中的广泛引入，使得新型应变SolMOSFET器件得到了飞速的发展，在未来的社会发展中有着广泛的应用前景。 展开更多
关键词 mosfet器件 应变硅技术 SOI技术 物理模型 器件结构 结构尺寸 晶体器件 沟道掺杂
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 2 … 10 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部