国外典型逆变弧焊电源主电路剖析 被引量：1

1

作者 李宪政 《电焊机》 1996年第2期15-17,共3页

本文剖析了五种以ＭＯＳＦＥＴ或ＩＧＢＴ为主开关元件的（３ｌ５Ａ档）国外名牌逆变弧焊电源的主电路结构、特点，并就其关键器件做了阐述，可供逆变弧焊电源设计时参考。

关键词 逆变弧焊电源 主电路 mosfet igbt 电源 焊接

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电力电子开关器件仿真模型分析和比较 被引量：10

2

作者 张薇琳 张波 丘东元 《电气应用》 北大核心 2007年第9期64-67,共4页

对电力电子开关器件如二极管、GTO、晶闸管、MOSFET和IGBT的现有仿真模型进行了归纳和总结,并比较了各种器件不同模型之间的优缺点和适用场合,由此为电力电子开关器件的分析提供研究基础。

关键词 功率二极管 GTO 晶闸管 mosfet igbt 仿真模型

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IGBT和MOSFET器件的隔离驱动技术 被引量：5

3

作者 王华彪 陈亚宁 《电源世界》 2006年第7期56-58,共3页

开关电源中功率管的驱动对电源的工作意义重大,因而开关电源中功率器件驱动电路的设计一直是电源领域的关键技术之一。本文介绍了绝缘栅大功率器件的各种不同驱动技术以及当前市场上的各类成品驱动器的性能特点。

关键词 !mosfet igbt 隔离驱动 光电耦合器 脉冲变压器

原文传递

MOSFET/IGBT半桥驱动芯片IR2111的应用研究 被引量：6

4

作者 王超 《机电工程技术》 2008年第8期57-59,69,共4页

本文介绍了MOSFET/IGBT半桥驱动芯片IR2111的使用情况,分析了其工作电路中外围各元器件的作用,同时指出了在使用过程中应注意的一些问题和现象,并对不同公司的MOSFET/IGBT驱动芯片作了简要介绍。

关键词 mosfet/igbt 半桥驱动 IR2111

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低成本单进三出逆变器设计经验总结

5

作者 陈凯 徐耀坤 《电子设计工程》 2013年第9期108-109,113,共3页

介绍了一款低成本单进三出逆变器的设计经验,硬件成本控制在60元人民币以内时,可驱动1 kW以下的三相笼式异步电机。总结了经过近百多次的修改后得到的较为成熟的电路的设计要点,包括微处理器,功率器件,半桥驱动,过流保护,控制方法,试验... 介绍了一款低成本单进三出逆变器的设计经验,硬件成本控制在60元人民币以内时,可驱动1 kW以下的三相笼式异步电机。总结了经过近百多次的修改后得到的较为成熟的电路的设计要点,包括微处理器,功率器件,半桥驱动,过流保护,控制方法,试验结果等方面的内容。用该电路实现的变频调速可以因低成本而大大扩展其应用范围,稍加修改后可用于直流无刷电机的驱动。 展开更多

关键词 逆变器 半桥驱动 电路设计 mosfet igbt

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珑越MOSFET/IGBT间歇性寿命试验台

6

《中国集成电路》 2011年第3期75-76,共2页

IOL40T试验台是设计用来对功率型MOSFET或IGBT器件进行间歇性寿命试验的一台专用设备。试验台遵循美军标MIL—STD750Method10363标准，固化试验程序并全自动完成实验整个过程；各项参数均可以通过试验台的面板进行自行编程以适用于不同... IOL40T试验台是设计用来对功率型MOSFET或IGBT器件进行间歇性寿命试验的一台专用设备。试验台遵循美军标MIL—STD750Method10363标准，固化试验程序并全自动完成实验整个过程；各项参数均可以通过试验台的面板进行自行编程以适用于不同的器件； 展开更多

关键词 mosfet/igbt 寿命试验台 间歇性 igbt器件 专用设备 自动完成 试验程序 功率型

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隔离式栅极驱动器揭秘

7

作者 Sanket Sapre 《今日电子》 2018年第8期36-39,共4页

IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件,可用作电源电路、电机驱动器和其他系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极,而对于IGBT,它们被称为集电极和发射极。为了操作MOSFET/IGBT,通常须将一个... IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件,可用作电源电路、电机驱动器和其他系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极,而对于IGBT,它们被称为集电极和发射极。为了操作MOSFET/IGBT,通常须将一个电压施加于栅极(相对于器件的源极/发射极而言[QC1])。使用专门驱动器向功率器件的栅极施加电压并提供驱动电流[QC2]。本文讨论栅极驱动器是什么,为何需要栅极驱动器,以及如何定义其基本参数,如时序、驱动强度和隔离度。 展开更多

关键词 栅极驱动器 mosfet/igbt 功率mosfet 隔离式 电压控制型 功率器件 电机驱动器 电源电路

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IR2111和IR2130在PWM直流伺服系统中的应用 被引量：9

8

作者 逄海萍 《电气传动自动化》 2001年第3期20-21,65,共3页

介绍了IR2111和IR2130功率MOSFET/IGBT驱动器的特点 ,分析了以IR2111和IR2130作为功率元件驱动器的PWM直流伺服系统主电路的工作原理。

关键词 直流伺服系统 栅极驱动器 IR2111 IR2130 PWM mosfet igbt

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含变阻结构的线性光耦隔离MOSFET/IGBT高速驱动 被引量：2

9

作者 刘俊灵 付星 +1 位作者 孙浩巍 王天一 《通信电源技术》 2018年第1期6-8,共3页

为了高速且安全的驱动MOSFET/IGBT,文章对使用线性光耦隔离的驱动速度不高的问题进行了研究。采用光耦集电极输出的方式时,发现集电极电阻值的不同,导致线性光耦集电极输出信号的上升/下降时间也不同。由此提出了一种变阻结构,在隔离驱... 为了高速且安全的驱动MOSFET/IGBT,文章对使用线性光耦隔离的驱动速度不高的问题进行了研究。采用光耦集电极输出的方式时,发现集电极电阻值的不同,导致线性光耦集电极输出信号的上升/下降时间也不同。由此提出了一种变阻结构,在隔离驱动工作过程中改变光耦集电极电阻值。实验结果表明,使用变阻结构的线性光耦隔离驱动的集电极输出信号上升/下降沿时间变短,增大了驱动的工作频率范围。最后给出了一个应用实例。 展开更多

关键词 mosfet/igbt驱动 线性光耦 集电极电阻 变阻结构

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大规模集成芯片IR2130触发器 被引量：1

10

作者 苏亦白 李季 徐淑彦 《现代电子技术》 2007年第20期7-9,共3页

详述了芯片内各环节的工作原理及所起作用,阐释了电路悬浮的工作情况,结合逆变器主回路,给出整个触发系统的电路框图,特别是对各个保护环节做出了深入的分析。虽未涉及芯片的具体应用,却为应用提供了坚实的理论基础,为全面掌握本芯片提... 详述了芯片内各环节的工作原理及所起作用,阐释了电路悬浮的工作情况,结合逆变器主回路,给出整个触发系统的电路框图,特别是对各个保护环节做出了深入的分析。虽未涉及芯片的具体应用,却为应用提供了坚实的理论基础,为全面掌握本芯片提供了可能性。 展开更多

关键词 触发器 逆变器 mosfet(或igbt) PWM控制

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安捷伦科技推出高速MOSFET／IGBT门驱动光电耦合器

11

《电子质量》 2003年第9期U040-U040,共1页

关键词 安捷伦科技公司 mosfet/igbt 高速门驱动动光电耦合器 绝缘栅双极晶体管 HCPL-3180

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飞兆半导体改进型栅极驱动光耦合器 功耗更低、开关速度更快

12

《电子与电脑》 2010年第12期85-85,共1页

为了满足全球各地的能效标准要求,太阳能逆变器、不间断电源（UPS）和马达驱动等工业应用的设计人员需要具备更低功耗和更快开关速度的性能更高的栅极驱动光耦合器。飞兆半导体公司（Fairchild）为此开发出一款输出电流为3A的高速MOSFET... 为了满足全球各地的能效标准要求,太阳能逆变器、不间断电源（UPS）和马达驱动等工业应用的设计人员需要具备更低功耗和更快开关速度的性能更高的栅极驱动光耦合器。飞兆半导体公司（Fairchild）为此开发出一款输出电流为3A的高速MOSFET/IGBT栅极驱动光耦合器产品FOD3184。该器件适用于工作频率高达250kHz的功率MOSFET和IGBT的高频驱动， 展开更多

关键词 飞兆半导体公司 栅极驱动 光耦合器 开关速度 低功耗 mosfet/igbt 改进型 功率mosfet

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高速MOSFET／IGBT门驱动光电耦合器

13

《今日电子》 2003年第9期77-77,共1页

关键词 高速门驱动光电耦合器 HCPL3180 mosfet/igbt 开关速度 传播时延

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