期刊导航
期刊开放获取
cqvip
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
Er离子注入的富硅SiO_2 MOS-LED的可见和红外电致发光特性
被引量：
1
1
作者
刘海旭
孙甲明
+1 位作者
孟凡杰
侯琼琼
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第8期749-754,共6页
通过Er离子和Si离子注入并结合高温退火制备了Er掺杂的富硅SiO2薄膜以及ITO/SiON/富硅SiO2∶Er/Si MOS结构电致发光器件。研究了富Si浓度的变化对Er3+离子掺杂的电致发光器件的发光性能和传导特性的影响。发现不同Si含量对Er3+离子的不...
通过Er离子和Si离子注入并结合高温退火制备了Er掺杂的富硅SiO2薄膜以及ITO/SiON/富硅SiO2∶Er/Si MOS结构电致发光器件。研究了富Si浓度的变化对Er3+离子掺杂的电致发光器件的发光性能和传导特性的影响。发现不同Si含量对Er3+离子的不同能级的电致发光会产生不同作用。在富Si量小于5%的条件下,主要由Si离子注入产生氧空位缺陷发光中心(Si-ODC),它们和Er3+离子的高能级之间存在着共振能量传递,增强了Er3+离子的522 nm绿色发光峰强度。在富Si含量大于5%时,过量的Si在退火时形成了纳米硅微晶,电子在纳米硅微晶之间的隧穿改变了载流子输运机制,降低了过热电子的平均能量,导致Er3+离子的所有发光峰的猝灭。
展开更多
关键词
掺铒纳米硅
电致发光
离子注入
mos
-
led
下载PDF
职称材料
正确使用固态继电器浅谈
2
作者
黄正
《机电元件》
2000年第2期53-54,60,共3页
关键词
固态继电器
mos
FET器件
mos
-
led
型
下载PDF
职称材料
题名
Er离子注入的富硅SiO_2 MOS-LED的可见和红外电致发光特性
被引量：
1
1
作者
刘海旭
孙甲明
孟凡杰
侯琼琼
机构
南开大学物理科学学院
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第8期749-754,共6页
基金
国家自然科学基金NSFC(60776036)
教育部新世纪人才项目NCET(07-0459)
"973"项目(2007CB613403)资助项目
文摘
通过Er离子和Si离子注入并结合高温退火制备了Er掺杂的富硅SiO2薄膜以及ITO/SiON/富硅SiO2∶Er/Si MOS结构电致发光器件。研究了富Si浓度的变化对Er3+离子掺杂的电致发光器件的发光性能和传导特性的影响。发现不同Si含量对Er3+离子的不同能级的电致发光会产生不同作用。在富Si量小于5%的条件下,主要由Si离子注入产生氧空位缺陷发光中心(Si-ODC),它们和Er3+离子的高能级之间存在着共振能量传递,增强了Er3+离子的522 nm绿色发光峰强度。在富Si含量大于5%时,过量的Si在退火时形成了纳米硅微晶,电子在纳米硅微晶之间的隧穿改变了载流子输运机制,降低了过热电子的平均能量,导致Er3+离子的所有发光峰的猝灭。
关键词
掺铒纳米硅
电致发光
离子注入
mos
-
led
Keywords
erbium-doped silicon nanocrystal
electroluminescence
ion implantation
mos
-
led
分类号
O482.31 [理学—固体物理]
下载PDF
职称材料
题名
正确使用固态继电器浅谈
2
作者
黄正
出处
《机电元件》
2000年第2期53-54,60,共3页
关键词
固态继电器
mos
FET器件
mos
-
led
型
分类号
TM581.8 [电气工程—电器]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Er离子注入的富硅SiO_2 MOS-LED的可见和红外电致发光特性
刘海旭
孙甲明
孟凡杰
侯琼琼
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
1
下载PDF
职称材料
2
正确使用固态继电器浅谈
黄正
《机电元件》
2000
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
