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亚100纳米MOS半导体器件技术探讨 被引量：1
1
作者 刘文安 黄如 张兴 《世界产品与技术》 2003年第9期30-36,34-36,共7页
尽管在过去40年中,IC行业的基本元件——MOS管和基本的电路拓扑逻辑——CMOS都没有根本性的革新,但可以相信,在今后15年内,MOS和CMOS仍然是工业界的主流。在可以预见的很长的一段时间内,没有任何新器件能够对MOS管的地位形成真正的挑战。
关键词 MOS半导体器件 多晶硅耗尽效应 栅介质 载流子迁移率 源漏串联电阻 亚100纳米
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MOS型功率半导体器件的最新进展
2
作者 安涛 王彩琳 等 《集成电路通讯》 2002年第3期36-41,共6页
综述了MOS型功率半导体器件的最新发展动态，重点介绍了几种新型的器件，如EXTFET、COOL－MOS、IEGT、MCD等，分析了这些器件的结构特点、工作原理以及进一步发展所要解决的主要难题。最后指出了MOS型功率半导体器件未来的发展趋势。
关键词 MOS型功率半导体器件 双极-场效应复合器件 功率MOSFET 发展趋势
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