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低导通压降MOS控制晶闸管的研制
1
作者
刘中梦雪
黄伟
+4 位作者
刘垚
张海峰
段懿晨
丁继洪
赵建强
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023年第6期476-481,487,共7页
基于6英寸(1英寸≈2.54 cm)半导体工艺平台研制了一款低导通压降的MOS控制晶闸管(MCT)。通过对MCT正向阻断状态和导通状态的理论分析,阐述p基区结构参数影响正向阻断特性和导通特性的机理。采用Silvaco TCAD软件建立静态特性模型并进行...
基于6英寸(1英寸≈2.54 cm)半导体工艺平台研制了一款低导通压降的MOS控制晶闸管(MCT)。通过对MCT正向阻断状态和导通状态的理论分析,阐述p基区结构参数影响正向阻断特性和导通特性的机理。采用Silvaco TCAD软件建立静态特性模型并进行p基区结构参数仿真设计,得到最优掺杂浓度和厚度。结合仿真结果指导工艺参数优化制备MCT芯片,并对封装后器件性能进行了测试。测试结果表明,优化后器件正向阻断电压超过1600 V,脉冲峰值阳极电流为3640 A,导通压降在满足2.0 V设计值的基础上降低至1.7 V,正向阻断特性和导通特性均得到提高。
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关键词
mos
控制晶闸管(
mct
)
导通压降
正向阻断电压
p基区
静态特性
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职称材料
金属氧化物半导体控制晶闸管的di/dt优化
被引量：
2
2
作者
胡飞
宋李梅
韩郑生
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第4期274-279,320,共7页
金属氧化物半导体控制晶闸管（MCT）相比于绝缘栅双极型晶体管（IGBT）具有高电流密度、低导通压降和快速开启等优势,在高压脉冲功率领域具有广阔的应用前景。作为脉冲功率开关,MCT开启过程对输出脉冲信号质量有很大影响。采用理论分析...
金属氧化物半导体控制晶闸管（MCT）相比于绝缘栅双极型晶体管（IGBT）具有高电流密度、低导通压降和快速开启等优势,在高压脉冲功率领域具有广阔的应用前景。作为脉冲功率开关,MCT开启过程对输出脉冲信号质量有很大影响。采用理论分析并结合仿真优化重点研究了MCT开启瞬态特性。通过对MCT开启过程进行详细地理论分析推导,给出了MCT开启过程中阳极电流和上升时间的表达式。结合Sentaurus TCAD仿真优化,将MCT开启过程中电流上升速率（di/dt）由40 kA/s提升至80 kA/s,极大地改善了器件开启瞬态特性。最后,总结提出了提高器件开启瞬间di/dt的设计途径。
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关键词
mos
控制晶闸管(
mct
)
电流上升速率(di/dt)
脉冲功率开关
开启瞬态
上升时间
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职称材料
题名
低导通压降MOS控制晶闸管的研制
1
作者
刘中梦雪
黄伟
刘垚
张海峰
段懿晨
丁继洪
赵建强
机构
华东光电集成器件研究所
复旦大学微电子学院
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023年第6期476-481,487,共7页
文摘
基于6英寸(1英寸≈2.54 cm)半导体工艺平台研制了一款低导通压降的MOS控制晶闸管(MCT)。通过对MCT正向阻断状态和导通状态的理论分析,阐述p基区结构参数影响正向阻断特性和导通特性的机理。采用Silvaco TCAD软件建立静态特性模型并进行p基区结构参数仿真设计,得到最优掺杂浓度和厚度。结合仿真结果指导工艺参数优化制备MCT芯片,并对封装后器件性能进行了测试。测试结果表明,优化后器件正向阻断电压超过1600 V,脉冲峰值阳极电流为3640 A,导通压降在满足2.0 V设计值的基础上降低至1.7 V,正向阻断特性和导通特性均得到提高。
关键词
mos
控制晶闸管(
mct
)
导通压降
正向阻断电压
p基区
静态特性
Keywords
mos
controlled
thyristor
(
mct
)
on⁃state
voltage
drop
forward
blocking
voltage
p⁃base
static
characteristic
分类号
TN34 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
金属氧化物半导体控制晶闸管的di/dt优化
被引量：
2
2
作者
胡飞
宋李梅
韩郑生
机构
中国科学院微电子研究所
中国科学院硅器件技术重点实验室
中国科学院大学
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第4期274-279,320,共7页
基金
国家重点研发计划资助项目(2016YFB0901801)
文摘
金属氧化物半导体控制晶闸管（MCT）相比于绝缘栅双极型晶体管（IGBT）具有高电流密度、低导通压降和快速开启等优势,在高压脉冲功率领域具有广阔的应用前景。作为脉冲功率开关,MCT开启过程对输出脉冲信号质量有很大影响。采用理论分析并结合仿真优化重点研究了MCT开启瞬态特性。通过对MCT开启过程进行详细地理论分析推导,给出了MCT开启过程中阳极电流和上升时间的表达式。结合Sentaurus TCAD仿真优化,将MCT开启过程中电流上升速率（di/dt）由40 kA/s提升至80 kA/s,极大地改善了器件开启瞬态特性。最后,总结提出了提高器件开启瞬间di/dt的设计途径。
关键词
mos
控制晶闸管(
mct
)
电流上升速率(di/dt)
脉冲功率开关
开启瞬态
上升时间
Keywords
mos
controlled
thyristor
（
mct
）
current
rise
rate
（di/dt）
pulse
power
switch
turn-on
transient
rise
time
分类号
TN34 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
低导通压降MOS控制晶闸管的研制
刘中梦雪
黄伟
刘垚
张海峰
段懿晨
丁继洪
赵建强
《半导体技术》
CAS
北大核心
2023
0
下载PDF
职称材料
2
金属氧化物半导体控制晶闸管的di/dt优化
胡飞
宋李梅
韩郑生
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018
2
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职称材料
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