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用MOMBE法生长碳重掺杂p型GaAs PN结二极管
1
作者 师云怀 《液晶与显示》 CAS CSCD 1991年第4期33-36,共4页
制备了用 MOMBE 法生长的碳重掺杂 p型 GaAs p—n 结二极管。虽然结上的晶格失配产生了不理想位错,但 I—V 和 C—V特性没有明显地受到 p—GaAs 空穴浓度的影响,即使用空穴浓度高达5×10<sup>20</sup>cm<sup>-3&l... 制备了用 MOMBE 法生长的碳重掺杂 p型 GaAs p—n 结二极管。虽然结上的晶格失配产生了不理想位错,但 I—V 和 C—V特性没有明显地受到 p—GaAs 空穴浓度的影响,即使用空穴浓度高达5×10<sup>20</sup>cm<sup>-3</sup>的掺碳 GaAs 材料也同样得到了理想系数为1.3的良好的 I—V 特性。用 EBIC 展开更多
关键词 重掺杂 GaAs PN结 mombe 空穴浓度 扩散长度 晶格失配 光谱响应 高频特性 集电极电流 管结构
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金属有机源分子束外延(MOMBE)生长GaAs
2
作者 阎春辉 孙殿照 +5 位作者 国红熙 朱世荣 黄运衡 李晓兵 曾一平 孔梅影 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 1992年第6期12-16,共5页
关键词 分子束 外延 半导体 砷化镓
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碳掺杂In_xGa_(1-x)As的MOMBE生长与特性
3
作者 齐鸣 罗晋生 +5 位作者 白■淳一 山田巧 野崎真次 高桥清 德光永辅 小长井诚 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第7期402-409,共8页
本文研究了以TMG、固体In和固体As作为分子束源的碳掺杂In_xGa_(1-x)As(x=0-0.98)的MOMBE生长与特性,发现衬底温度和In分子束强度对样品的生长速率、In组分含量x及载流子浓度具有强烈影响。在x=0-0.8的范围内空穴浓度随x的增大而减小,当... 本文研究了以TMG、固体In和固体As作为分子束源的碳掺杂In_xGa_(1-x)As(x=0-0.98)的MOMBE生长与特性,发现衬底温度和In分子束强度对样品的生长速率、In组分含量x及载流子浓度具有强烈影响。在x=0-0.8的范围内空穴浓度随x的增大而减小,当x>0.8时导电类型转变为n型。探讨了MOMBE法生长In_xGa_(1-x)As的掺碳机理及其对载流子浓度和导电类型的影响,并用X射线衍射(XRD)和光致发光谱(PL)等方法分析了外延层质量。 展开更多
关键词 半导体器件 掺杂 INGAAS mombe 碳
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MOMBE生长InAsP激光材料
4
作者 义仡 《电子材料快报》 1996年第12期15-16,共2页
关键词 外延生长 mombe 量子阱 激光材料
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用叔丁基磷作为碳的自动掺杂源MOMBE法生长掺碳InP
5
作者 褚连青 《电子材料快报》 1995年第11期6-7,共2页
关键词 半导体 叔丁基磷 掺杂 碳 mombe法 INP
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CCl4掺杂的GaN的MOMBE生长
6
作者 青春 《电子材料快报》 1995年第9期17-18,共2页
关键词 半导体 掺杂 CCL4 GAN mombe法
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用MOMBE法低温生长重掺碳GaAs
7
作者 刘春香 《电子材料快报》 1995年第5期7-8,共2页
关键词 半导体 GAAS mombe法 低温生长 GAAS 重掺碳
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