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用MOCVD方法制备TIO_2薄膜:工艺及进展 被引量：6
1
作者 孙一军 张志峰 +1 位作者 张良莹 姚熹 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 1997年第2期37-40,共4页
本文概述了用金属有机物化学气相沉积（ＭＯＣＶＤ）的方法制备ＴＩＯ２薄膜的原理工艺过程用工艺特点，并指出了最新研研进展和存在的问题以今后及发展方向。
关键词 mocvd 二氧化钛 薄膜 制备工艺 半导体薄膜
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