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EEPROM单元结构的变革及发展方向 被引量:11
1
作者 于宗光 许居衍 魏同立 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1996年第3期233-240,共8页
扼要阐述了电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)发展史上的各种结构如FAMOS、MNOS、SIMOS、DIFMOS、FETMOS(FLOTOX)等,比较了它们的优缺点,着重论述了EEPROM结构今后的变革方向。
关键词 场效应型 半导体集成电路 存储器
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Radiation Absorption Mechanism in Nonvolatile MNOS Structure
2
作者 YIQing-ming HUANGJun-kai 《Semiconductor Photonics and Technology》 CAS 2002年第1期51-55,共5页
The γ-ray radiation will speed up the discharge of the storedcharge in nonvolatile MNOS structure. The radiation absorptionmechanism to enhance the discharge is discussed. A direct radiationemission model from the in... The γ-ray radiation will speed up the discharge of the storedcharge in nonvolatile MNOS structure. The radiation absorptionmechanism to enhance the discharge is discussed. A direct radiationemission model from the interface traps distributing both in energylevel and in space is given. The theoretical results based on thismodel are in good agreement with experimental measurements. 展开更多
关键词 mnos structure direct radiation emission model radiation absorption
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上海新进1.5μ/12V双极集成电路工艺技术
3
《中国集成电路》 2003年第50期82-83,共2页
上海新进半导体制造有限公司为双极集成电路代工公司(foundry),成立两年多来,已成功地开发出2.0μm 18V/36V 及4μm 20V/40V 工艺,并正在生产出由20多个来自美、日、台湾及中国内地客户的60多种产品。
关键词 上海 新进半导体制造有限公司 双极集成电路 制造技术 mnos NPN晶体管 电阻器
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MNOS结构界面陷阱分布的TSC谱研究 被引量:5
4
作者 黄君凯 刘涛 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第12期728-736,共9页
本文应用热激电流(TSC)方法研究了MNOS结构中界面陷阱随能量和空间分布的情况.在Wei-Simmons模型的基础上,建立了MNOS结构TSC 谱存储峰的分析理论.该理论满意地描述了实验结果,并得出所研制的MNOS结构存储陷阱分布的主要参数N_o、E_t和... 本文应用热激电流(TSC)方法研究了MNOS结构中界面陷阱随能量和空间分布的情况.在Wei-Simmons模型的基础上,建立了MNOS结构TSC 谱存储峰的分析理论.该理论满意地描述了实验结果,并得出所研制的MNOS结构存储陷阱分布的主要参数N_o、E_t和d分别为1.47×10^(10)cm^(-3)、1.09eV和50A,模型参数τ_o及v_o和前人的理论结果一致。本文同时确定了该MNOS结构中、超薄SiO_2膜Si/SiO_2界面上态密度的D_(it)(E)分布,其结果和MOS结构中厚SiO_2膜的界面情况类似. 展开更多
关键词 化合物半导体 mnos结构 热激电流谱
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MNOS结构保留特性的研究 被引量:3
5
作者 黄君凯 刘涛 《暨南大学学报(自然科学与医学版)》 CAS CSCD 1991年第3期32-37,共6页
通过浅在储陷阱的电荷泄漏模型,对MNOS结构的保留特性进行研究。根据模型推导出的理论公式满意地描述了包括温度效应和栅压效应在内的实验结果,并得出所研制MNOS结构中存储电荷的保留时间t_r和存储陷阱的分布参数No、E_t和d分别为4.0... 通过浅在储陷阱的电荷泄漏模型,对MNOS结构的保留特性进行研究。根据模型推导出的理论公式满意地描述了包括温度效应和栅压效应在内的实验结果,并得出所研制MNOS结构中存储电荷的保留时间t_r和存储陷阱的分布参数No、E_t和d分别为4.0×10~3min、1.85×10^(18)cm^(-3)、1.04eV和50(?)。 展开更多
关键词 mnos结构 保留特性 存储陷阱
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多晶硅栅MNOS结构的抗辐射的研究 被引量:2
6
作者 姚达 许仲德 王明浩 《微处理机》 1998年第3期15-17,共3页
本文介绍了多晶硅栅MNOS结构抗辐射的性能;验证了它能有效地抑制MOS器件阈电压的漂移,是一种优越的抗辐射加固材料。
关键词 mnos结构 抗辐射 多晶硅栅 MOS器件
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MNOS电容辐照吸收剂量计的研究 被引量:1
7
作者 易清明 黄君凯 +1 位作者 刘竞云 刘毓耿 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2000年第1期40-45,共6页
从理论上给出了具有存储特性的 MNOS电容在存储电荷后经受γ射线辐照的响应规律 ,并利用这一特性制作电子辐照吸收剂量计。采用 L PCVD工艺制作了具有存储特性的 MNOS电容 ,经自行研制对存储电荷干扰极小的 MNOS电容辐照实验测试系统 ,... 从理论上给出了具有存储特性的 MNOS电容在存储电荷后经受γ射线辐照的响应规律 ,并利用这一特性制作电子辐照吸收剂量计。采用 L PCVD工艺制作了具有存储特性的 MNOS电容 ,经自行研制对存储电荷干扰极小的 MNOS电容辐照实验测试系统 ,对样品进行了 60 Co辐照响应规律的研究。结果表明 :MNOS电容电子辐照剂量计适用于 10 3 ~ 10 5Gy范围内的累计剂量的测量。这种新型剂量计的优点是 :一次性校准可重复多次使用并可直接读数的电子测量方式 ,便于测量自动化 ,非常适用于太空飞行器和核技术应用中累计剂量的测量。 展开更多
关键词 mnos电容 辐照剂量计 钴60辐照
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用DLTS技术研究MNOS结构界面陷阱 被引量:1
8
作者 黄君凯 易清明 刘涛 《暨南大学学报(自然科学与医学版)》 CAS CSCD 1999年第5期17-23,共7页
提出利用深能级瞬态谱( D L T S) 技术研究 M N O S 结构中界面陷阱的分布,阐述并建立了 M N O S结构 D L T S 存储峰和界面态峰的解析理论,并给出区分这两个谱峰的实验方法对研制的 M N O S 结构进行的 D ... 提出利用深能级瞬态谱( D L T S) 技术研究 M N O S 结构中界面陷阱的分布,阐述并建立了 M N O S结构 D L T S 存储峰和界面态峰的解析理论,并给出区分这两个谱峰的实验方法对研制的 M N O S 结构进行的 D L T S测量描述了理论结果,所获得的存储陷阱和界面态的分布规律与应用热激电流谱和保留特性方法交叉研究的结果一致上述理论也可用于含有陷阱的其它介质 M I S 结构的 D L T S 展开更多
关键词 mnos结构 界面陷阱 深能级瞬态谱 复合介质膜
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一种可用于辐照剂量计的新型器件
9
作者 易清明 黄君凯 +1 位作者 刘竞云 刘毓耿 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2000年第2期17-19,28,共4页
应用高纯氮携带液氧蒸气作为氧源的热氧化技术和 Si H4- NH3体系 L PCVD技术 ,制作对辐照吸收有明显响应的 MNOS器件 ,在 10 3~ 10 5 Gys剂量范围内其平带电压漂移值随辐照剂量的增加按指数规律衰减。样品接受辐照是非破坏性的 ,在接受... 应用高纯氮携带液氧蒸气作为氧源的热氧化技术和 Si H4- NH3体系 L PCVD技术 ,制作对辐照吸收有明显响应的 MNOS器件 ,在 10 3~ 10 5 Gys剂量范围内其平带电压漂移值随辐照剂量的增加按指数规律衰减。样品接受辐照是非破坏性的 ,在接受 5× 10 5 Gys的大剂量辐照后 ,通过简单的正负脉冲电压处理就可恢复到初始状态 ,并在接受新的辐照时以同样的规律给出响应 。 展开更多
关键词 mnos结构 辐照剂量计 热氟化 LPCVD
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MNOS存储晶体管的研制
10
作者 赵守安 刘竞云 刘涛 《暨南大学学报(自然科学与医学版)》 CAS CSCD 1990年第3期34-40,共7页
用液氮温度下的液氧蒸汽作为氧源,控制 O_2/N_2值在10^(-2)至10^(-3)可生长性能和重复性均为良好的可隧穿的超薄氧化层,结合用 SiH_4—NH_3体系的 LPCVD 技术,所淀积的具有电荷存储陷阱的 Si_3N_4膜能成功地制造 MNOS 结构存储晶体管。... 用液氮温度下的液氧蒸汽作为氧源,控制 O_2/N_2值在10^(-2)至10^(-3)可生长性能和重复性均为良好的可隧穿的超薄氧化层,结合用 SiH_4—NH_3体系的 LPCVD 技术,所淀积的具有电荷存储陷阱的 Si_3N_4膜能成功地制造 MNOS 结构存储晶体管。经测试,这种晶体管阈值窗口可设置在6V,对于管子处于高导态时,保留时间为10~3min,闽值电压变化的典型值为1V;当管子处于低导态时,其保留时间为3×10~3min 时阈电压变化的典型值为0.2V。这种存储管可擦写的次数为10~5以上。表明存储晶体管具有良好的器件特性。 展开更多
关键词 mnos结构 存储晶体管 超薄氧化硅 氮化硅
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MNOS结构辐照感生界面电荷的研究
11
作者 吴凤美 施毅 +4 位作者 赵丽华 祁斌 刘英堃 周荷秀 路金印 《南京大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 1993年第3期376-382,共7页
本文报导了MNOS结构经γ射线、电子和中子辐照在SiO_2-Si界面产生感生电荷的研究结果。实验表明,目前的MNOS结构在较低剂量时辐照感生电荷就趋于饱和,辐照特征与SiO_2厚度及辐照顺序有关。文中还对实验结果作了进一步讨论。
关键词 mnos结构 辐照 界面电荷 半导体
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MNOS存贮管存贮栅的工艺控制技术 被引量:2
12
作者 张新 邢昆山 +1 位作者 王爵树 杨维成 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第2期49-53,共5页
介绍一种军用专用集成电路的核心器件──MNOS管。存贮栅是该存贮管的制作关键,存贮栅由薄二氧化硅层和氮化硅复合膜组成。着重论述了复合膜中较难制作的薄二氧化硅即薄栅(2.15±0.15nm)的工艺控制。
关键词 mnos 薄栅 工艺 控制 二氧化硅
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高功率激光与MNOS型电荷耦合器件相互作用过程的等离子体诊断 被引量:1
13
作者 倪晓武 陆建 贺安之 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第12期1077-1079,共3页
电荷耦合器件(Change-coupled devices,CCD)是一种全固体自扫描摄像器件,因其具有体积小、图像畸变小、无残像和寿命长等优点,因而在摄像、探测和信息处理与存储等领域得到广泛应用.在一些特殊的场合,CCD经常要与激光光源配合使用,不可... 电荷耦合器件(Change-coupled devices,CCD)是一种全固体自扫描摄像器件,因其具有体积小、图像畸变小、无残像和寿命长等优点,因而在摄像、探测和信息处理与存储等领域得到广泛应用.在一些特殊的场合,CCD经常要与激光光源配合使用,不可避免地存在着激光与CCD相互作用甚至产生损伤的问题.这里所说的损伤又有组成CCD的半导体材料中处于杂质能带的电子吸收激光能量大量向导带跃迁,引起暗电流增加而使器件饱和或失效的软损伤和激光束直接作用于CCD,致使器件中材料或结构硬损伤等.对前一问题,已有文献进行了相关的研究.本文利用调Q-YAG激光与NMOS结构的CCD多次重复作用产生的等离子体形貌及其Mach-Zehnder干涉图,研究了高功率激光与该种光电器件的相互作用过程.首次得到了脉宽为15ns的1064nm激光对MNOS结构相互作用过程的等离子体干涉图及有关实验结果. 展开更多
关键词 电荷耦合器件 mnos结构 相互作用 等离子体 激光
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儿童MOG抗体病合并抗NMDAR脑炎重叠综合征3例报告 被引量:2
14
作者 阳川 李秀娟 +5 位作者 钟敏 吴鹏 马建南 袁萍 蒋艳 蒋莉 《中国实用儿科杂志》 CSCD 北大核心 2021年第1期77-80,共4页
髓鞘少突胶质细胞糖蛋白(myelin oligodendro-cyte glycoprotein,MOG)是中枢神经系统少突胶质细胞膜表面最外层的一种糖蛋白,具有高度免疫原性。近年来研究表明,MOG抗体可在不同中枢神经系统脱髓鞘疾病谱中检测到,包括急性播散性脑脊髓... 髓鞘少突胶质细胞糖蛋白(myelin oligodendro-cyte glycoprotein,MOG)是中枢神经系统少突胶质细胞膜表面最外层的一种糖蛋白,具有高度免疫原性。近年来研究表明,MOG抗体可在不同中枢神经系统脱髓鞘疾病谱中检测到,包括急性播散性脑脊髓炎(ADEM)、水通道蛋白4(AQP4)抗体阴性的视神经脊髓炎谱系疾病(NMOSD)、横贯性脊髓炎(TM)、视神经炎(ON)等[1]。 展开更多
关键词 MOG抗体病合并抗NMDAR脑炎重叠综合征 儿童 临床特征 影像学特征 EB病毒
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MNOS电容的辐照吸收特性 被引量:1
15
作者 刘毓耿 易清明 刘竞云 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第5期376-379,共4页
本文报告MNOS存储电容的辐照吸收规律与电容对存储电荷的保留特性之间有一定的内在联系:在SiO2膜辐照响应的集总常数保持不变时,样品对存储电荷的保留能力越强,则辐照响应的敏感剂量越往小剂量方向移动.
关键词 mnos电容 电容 辐照 吸收特性
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SiO_2-Si_3N_4栅介质膜陷阱特性的高频C-V分析
16
作者 黄君凯 易清明 +2 位作者 刘伟平 钟雨乐 张坤 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期236-240,共5页
采用高频 C-V特性测试技术 ,研究由热氧化生成的超薄 Si O2 膜和低压化学汽相淀积法制备的非均匀结构 Si3N4膜 ,两者组成的栅介质膜的陷阱特性 (包括陷阱密度、能量和空间分布深度等参数 )。结果表明 :在栅复合膜陷阱电荷非稳态释放模... 采用高频 C-V特性测试技术 ,研究由热氧化生成的超薄 Si O2 膜和低压化学汽相淀积法制备的非均匀结构 Si3N4膜 ,两者组成的栅介质膜的陷阱特性 (包括陷阱密度、能量和空间分布深度等参数 )。结果表明 :在栅复合膜陷阱电荷非稳态释放模型下建立的高频 C-V理论及其分析方法 ,可以很好地表征实验曲线 。 展开更多
关键词 金属—氮化硅—二氧化硅—硅结构 存储陷阱分布 高频容—压特性 SiO2—Si3N4栅介质膜 陷阱特性 非挥发性存储器
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一种非挥发性MNOS器件的制作
17
作者 郭群英 黄斌 《集成电路通讯》 2006年第4期7-11,共5页
本文介绍了非挥发性存储器的基本结构和工作原理,介绍了工艺过程中的控制要点和工艺优化的方法,给出了MNOS器件制作的工艺流程以及测试结果。
关键词 非挥发性存储器 mnos结构 隧道效应 阀值电压 薄栅氧化层
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MNOS晶体管的存储特性及其测量方法
18
作者 钟雨乐 赵守安 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第1期25-27,37,共4页
本文介绍了MNOS晶体管的存储特性,包括开关滞后特性、写擦特性、存储电荷保留特性和耐久性.提出了测量这些特性的一种有效方法,并给出了研制中的MNOS晶体管的测量结果.
关键词 mnos晶体管 存储特性 测量
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