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超低附加相移0.5GHz~18GHz六位数控衰减芯片设计 被引量:4
1
作者 刘云刚 陈依军 全金海 《电子信息对抗技术》 2013年第2期72-76,共5页
在简要介绍MMIC技术的基础上论述了使用ADS仿真软件设计超低附加相移0.5GHz~18GHz六位数控衰减芯片的方法。该衰减芯片由相对独立的六位衰减单元级联而成,在0.5GHz~18GHz频带范围内,插入损耗小于5dB,衰减精度不大于±(0.2+10%A)dB... 在简要介绍MMIC技术的基础上论述了使用ADS仿真软件设计超低附加相移0.5GHz~18GHz六位数控衰减芯片的方法。该衰减芯片由相对独立的六位衰减单元级联而成,在0.5GHz~18GHz频带范围内,插入损耗小于5dB,衰减精度不大于±(0.2+10%A)dB;步进为0.5dB;驻波不大于1.5;附加相移不大于±3.5°;电路芯片尺寸为2.4mm×1.2mm×0.1mm。采用TTL电平逻辑控制,开关速度小于20ns。芯片背面既是直流地也是射频地,可广泛用于相控阵系统。 展开更多
关键词 mmic技术 低附加相移 数控衰减器 ADS仿真软件
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集成多功能MMIC电路设计 被引量:2
2
作者 刘云刚 卢子焱 《电子信息对抗技术》 北大核心 2022年第2期73-76,86,共5页
论述在2~6 GHz频段内集成六位低附加相移数控衰减、一级放大及均衡的多功能电路设计方法,简要介绍此多功能电路的应用需求,利用ADS协同仿真设计该电路。测试结果表明在2~6 GHz频段内电路实现:增益4.5 dB@2 GHz,8.5 dB@6 GHz,自带4 dB的... 论述在2~6 GHz频段内集成六位低附加相移数控衰减、一级放大及均衡的多功能电路设计方法,简要介绍此多功能电路的应用需求,利用ADS协同仿真设计该电路。测试结果表明在2~6 GHz频段内电路实现:增益4.5 dB@2 GHz,8.5 dB@6 GHz,自带4 dB的均衡量;6位衰减,0.5 dB步进,衰减精度≤±(0.2+10%Ai)dB,附加相移≤±8°;驻波≤1.5;1 dB压缩点输出功率大于12 dBm,对应工作电流31 mA@5 V。电路尺寸为:3 mm×1 mm×0.1 mm。 展开更多
关键词 mmic技术 低附加相移 数控衰减器 放大器 均衡器
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用单平面技术设计5.8GHz的双相调制器/混频器
3
作者 周霞 颜新 李英 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期137-141,共5页
根据单平面技术将多功能子系统分为基本块和简单电路模型的设计方法 ,用于设计单平面的双相调制器 /混频器 .主要用于智能交通收费系统的微波非接触式ID卡中 ,其工作频率为 5 8GHz.采用电磁场计算与传统传输线及计算机辅助设计相结合... 根据单平面技术将多功能子系统分为基本块和简单电路模型的设计方法 ,用于设计单平面的双相调制器 /混频器 .主要用于智能交通收费系统的微波非接触式ID卡中 ,其工作频率为 5 8GHz.采用电磁场计算与传统传输线及计算机辅助设计相结合的方法分析设计了该子系统的主要部件 ,使其具有尺寸小、集成度高、结构紧凑、性能好、成本低。 展开更多
关键词 设计 单片集成电路 单平面技术 共面波导 CPW 双相调制器/混频器
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A broadband GaAs MMIC frequency doubler on left-handed nonlinear transmission lines
4
作者 董军荣 黄杰 +2 位作者 田超 杨浩 张海英 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期89-92,共4页
A broadband frequency doubler using left-handed nonlinear transmission lines(LH NLTLs) based on MMIC technology is reported for the first time.The second harmonic generation on LH NLTLs was analyzed theoretically. A... A broadband frequency doubler using left-handed nonlinear transmission lines(LH NLTLs) based on MMIC technology is reported for the first time.The second harmonic generation on LH NLTLs was analyzed theoretically. A four-section LH NLTL which has a layout of 5.4×0.8 mm^2 was fabricated on GaAs semi-insulating substrate. With 20-dBm input power,the doubler obtained 6.33 dBm peak output power at 26.8 GHz with 24-43 GHz—6 dBm bandwidth.The experimental results were quite consistent with the simulated results.The compactness and the broad band characteristics of the circuit make it well suit for GaAs RF/MMIC application. 展开更多
关键词 GAAS mmic technology LH NLTLs frequency doubler
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MMIC Foundry工艺的进展
5
作者 张汉三 《半导体情报》 1993年第3期30-36,共7页
介绍了与标准工艺加工线(Foundry)工艺相容的功率MMIC制造工艺、毫米波PHEMT MMIC foundry工艺的最新进展和遇到的问题。此外,还给出了用稳定的foundry工艺获得的结果。
关键词 半导体工艺 加工线 微波集成电路
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微系统技术现状及发展综述 被引量:23
6
作者 马福民 王惠 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2019年第6期12-19,共8页
电力电子产品系统逐渐向小型化、高度集成化的方向发展,微系统汇集了多门学科技术的创新与突破,无论在军事还是民用领域已有广泛的应用。本文详述了国内外微系统技术的现状和发展趋势,其技术创新点在于多功能芯片一体化、智能传感、异... 电力电子产品系统逐渐向小型化、高度集成化的方向发展,微系统汇集了多门学科技术的创新与突破,无论在军事还是民用领域已有广泛的应用。本文详述了国内外微系统技术的现状和发展趋势,其技术创新点在于多功能芯片一体化、智能传感、异质集成、堆叠式系统级封装技术的突破和新型半导体材料的应用;文末总结了微系统技术发展的意义,并提出展望。 展开更多
关键词 微系统技术 3D mmic 综述 3D MCM MEMS 集成技术
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微波芯片及模块技术创新发展战略研究 被引量:5
7
作者 李涵秋 《电子机械工程》 2001年第5期2-7,17,共7页
过去十年间MMIC芯片及其以它为核心的MMCM技术始终保持着跳跃前进的发展态势。对该段历史进行简要的回顾 ,并对与三A目标紧密相关的若干热点论题一一作出评述。这些论题依次为功率MMIC及其模块、多功能MMIC、芯片尺寸缩减和 3DMMIC及MMCM。
关键词 单片微波集成电路 微波多芯片模块 模块技术
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相控阵雷达收发部件的新进展 被引量:2
8
作者 邵余红 《中国电子科学研究院学报》 2011年第4期363-367,共5页
从雷达发射机、接收机、天线三大方面,探讨了相控阵雷达的未来技术突破。发射机方面,介绍了全固态发射机技术、电真空发射机技术的发展情况;接收机方面,给出了接收机中光学ADC将对有源相控阵雷达的数字化起到推进作用的例子;天线方面,... 从雷达发射机、接收机、天线三大方面,探讨了相控阵雷达的未来技术突破。发射机方面,介绍了全固态发射机技术、电真空发射机技术的发展情况;接收机方面,给出了接收机中光学ADC将对有源相控阵雷达的数字化起到推进作用的例子;天线方面,通过实例重点介绍了MEMS器件和技术、T/R组件低成本技术、射频光电子技术在相控阵天线中的应用情况。对相控阵系统开发与研究有积极意义。 展开更多
关键词 相控阵 雷达 发射机 接收机 天线 突破 mmic MEMS 微波光子技术
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低噪声整数频率合成芯片的设计 被引量:1
9
作者 蒋永红 李晋 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第5期341-346,共6页
设计了一个锁相环频率合成芯片。该芯片集晶体振荡电路、鉴频鉴相器、电荷泵、分频器、低通环路滤波器和压控振荡器(VCO)等电路于一体。详细分析了频率综合器中的各个关键模块,利用MATLAB软件优化环路参数,简化了电荷泵、VCO和片内... 设计了一个锁相环频率合成芯片。该芯片集晶体振荡电路、鉴频鉴相器、电荷泵、分频器、低通环路滤波器和压控振荡器(VCO)等电路于一体。详细分析了频率综合器中的各个关键模块,利用MATLAB软件优化环路参数,简化了电荷泵、VCO和片内环路参数的相关设计。最后,给出了芯片照片和流片测试结果,验证了设计方法和电路设计的正确性。该芯片在0.35p.mCMOS工艺下进行了流片,测试结果表明,电源电压3V,电流25mA,芯片面积为5.4mm。(3000μm×1800μm)。输出频率0.8~1.2GHz,步进50MHz,单边带相位噪声优于-106dBc/Hz@1kHz,-106dBc/Hz@10kHZ,-115dBc/Hz@100kHZ,-124dBc/Hz@1MHz,-140dBc/Hz@10MHz. 展开更多
关键词 整数频率合成器 电荷泵 射频CMOS工艺 微波单片集成电路(mmic)
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A capacitive membrane MEMS microwave power sensor in the X-band based on GaAs MMIC technology
10
作者 苏适 廖小平 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期43-46,共4页
This paper presents the modeling, fabrication, and measurement of a capacitive membrane MEMS microwave power sensor. The sensor measures microwave power coupled from coplanar waveguide (CPW) transmission lines by a ... This paper presents the modeling, fabrication, and measurement of a capacitive membrane MEMS microwave power sensor. The sensor measures microwave power coupled from coplanar waveguide (CPW) transmission lines by a MEMS membrane and then converts it into a DC voltage output by using thermopiles. Since the fabrication process is fully compatible with the GaAs monolithic microwave integrated circuit (MMIC) process, this sensor could be conveniently embedded into MMIC. From the measured DC voltage output and S-parameters, the average sensitivity in the X-band is 225.43μV/mW, while the reflection loss is below -14 dB. The MEMS microwave power sensor has good linearity with a voltage standing wave ration of less than 1.513 in the whole X-band. In addition, the measurements using amplitude modulation signals prove that the modulation index directly influences the output DC voltage. 展开更多
关键词 MEMS MICROWAVE power sensor GaAs mmic technology power handling
原文传递
X波段GaAs PHEMT单片有源上变频器设计
11
作者 宋静 陈兴国 唐亮 《合肥师范学院学报》 2011年第3期45-48,共4页
采用0.25μm GaAs PHEMT工艺研制了一个X波段单片有源上变频器。电路集成了Gilbert混频电路、RF补偿放大器和LO缓冲器,在提高了单片电路集成度的同时,获得了较好的性能指标。实际测试结果表明:变频增益大于10dB;各端口匹配良好,在工作... 采用0.25μm GaAs PHEMT工艺研制了一个X波段单片有源上变频器。电路集成了Gilbert混频电路、RF补偿放大器和LO缓冲器,在提高了单片电路集成度的同时,获得了较好的性能指标。实际测试结果表明:变频增益大于10dB;各端口匹配良好,在工作频带内回波损耗小于10dB;1dB增益压缩点输出功率达到4dBm;所需本振功率为-3dBm。 展开更多
关键词 单片有源上变频器 Gilbert混频单元 GAAS PHEMT工艺 变频增益
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