期刊导航
期刊开放获取
cqvip
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
WinCE系统中MLC型闪存的编程支持研究
被引量:
2
1
作者
张纪艳
张萌
张伟伟
《计算机技术与发展》
2010年第2期60-63,67,共5页
基于WinCE 6.0操作系统,以实现WinCE下驱动程序对MLC NAND闪存的支持及其驱动程序性能的提高为目的。介绍了NAND闪存驱动程序的整体架构;对Flash抽象层的功能及地址映射关系的建立进行分析,讨论了引用版本号的概念为MLC NAND闪存建立地...
基于WinCE 6.0操作系统,以实现WinCE下驱动程序对MLC NAND闪存的支持及其驱动程序性能的提高为目的。介绍了NAND闪存驱动程序的整体架构;对Flash抽象层的功能及地址映射关系的建立进行分析,讨论了引用版本号的概念为MLC NAND闪存建立地址映射关系的过程,使Flash抽象层程序可以支持MLC NAND;对Flash介质驱动层进行分析,介绍了采用两片编程技术提高驱动性能的原理与实现,及4位ECC校验的步骤;经对两片编程与单片编程方式的写速度测试,结果表明前者比后者速度提高了92.2%。
展开更多
关键词
mlc
nand
flash
nand
flash
驱动
地址映射
两片编程
4位ECC
下载PDF
职称材料
一种含BCH编解码器的SLC/MLC NAND FLASH控制器的VLSI设计
被引量:
11
2
作者
李璐
周海燕
《现代电子技术》
2009年第7期167-170,共4页
为了满足存储器市场对低单比特成本和高存储密度的需求,在一款基于ARM926EJ的片上处理器芯片中,集成了一个可支持SLC/MLC NAND FLASH的控制器。为了纠正FLASH存储器芯片中的随机错误,采用了可纠4比特错误的BCH纠错码,该纠错码非常适应N...
为了满足存储器市场对低单比特成本和高存储密度的需求,在一款基于ARM926EJ的片上处理器芯片中,集成了一个可支持SLC/MLC NAND FLASH的控制器。为了纠正FLASH存储器芯片中的随机错误,采用了可纠4比特错误的BCH纠错码,该纠错码非常适应NAND类型存储器的随机错误特点。该控制器可支持多种类型的NAND FLASH。另外,对一种基于伯利坎普-梅西算法的高效BCH编解码器VLSI结构进行了研究,采用一种简化伯利坎普-梅西算法实现的低复杂度的关键方程解算机消除其速度瓶颈。芯片采用SMIC 0.13μm CMOS工艺。测试结果证明,设计电路完全符合系统规范,性能表现优良。
展开更多
关键词
mlc
nand
flash
控制器
BCH
编解码
伯利坎普-梅西算法
VLSI
下载PDF
职称材料
题名
WinCE系统中MLC型闪存的编程支持研究
被引量:
2
1
作者
张纪艳
张萌
张伟伟
机构
东南大学国家专用集成电路系统工程中心
出处
《计算机技术与发展》
2010年第2期60-63,67,共5页
文摘
基于WinCE 6.0操作系统,以实现WinCE下驱动程序对MLC NAND闪存的支持及其驱动程序性能的提高为目的。介绍了NAND闪存驱动程序的整体架构;对Flash抽象层的功能及地址映射关系的建立进行分析,讨论了引用版本号的概念为MLC NAND闪存建立地址映射关系的过程,使Flash抽象层程序可以支持MLC NAND;对Flash介质驱动层进行分析,介绍了采用两片编程技术提高驱动性能的原理与实现,及4位ECC校验的步骤;经对两片编程与单片编程方式的写速度测试,结果表明前者比后者速度提高了92.2%。
关键词
mlc
nand
flash
nand
flash
驱动
地址映射
两片编程
4位ECC
Keywords
mlc
nand
flash
nand
flash
driver
address
mapping
two
plane
program
4
bit
ECC
分类号
TP311 [自动化与计算机技术—计算机软件与理论]
下载PDF
职称材料
题名
一种含BCH编解码器的SLC/MLC NAND FLASH控制器的VLSI设计
被引量:
11
2
作者
李璐
周海燕
机构
东南大学专用集成电路系统国家工程技术研究中心
出处
《现代电子技术》
2009年第7期167-170,共4页
文摘
为了满足存储器市场对低单比特成本和高存储密度的需求,在一款基于ARM926EJ的片上处理器芯片中,集成了一个可支持SLC/MLC NAND FLASH的控制器。为了纠正FLASH存储器芯片中的随机错误,采用了可纠4比特错误的BCH纠错码,该纠错码非常适应NAND类型存储器的随机错误特点。该控制器可支持多种类型的NAND FLASH。另外,对一种基于伯利坎普-梅西算法的高效BCH编解码器VLSI结构进行了研究,采用一种简化伯利坎普-梅西算法实现的低复杂度的关键方程解算机消除其速度瓶颈。芯片采用SMIC 0.13μm CMOS工艺。测试结果证明,设计电路完全符合系统规范,性能表现优良。
关键词
mlc
nand
flash
控制器
BCH
编解码
伯利坎普-梅西算法
VLSI
Keywords
mlc
nand
flash
controller
BCH
encoding
and
decoding
Berlekamp
-
Massey
algorithm
VLSI
分类号
TN41 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
WinCE系统中MLC型闪存的编程支持研究
张纪艳
张萌
张伟伟
《计算机技术与发展》
2010
2
下载PDF
职称材料
2
一种含BCH编解码器的SLC/MLC NAND FLASH控制器的VLSI设计
李璐
周海燕
《现代电子技术》
2009
11
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部