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WinCE系统中MLC型闪存的编程支持研究 被引量:2
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作者 张纪艳 张萌 张伟伟 《计算机技术与发展》 2010年第2期60-63,67,共5页
基于WinCE 6.0操作系统,以实现WinCE下驱动程序对MLC NAND闪存的支持及其驱动程序性能的提高为目的。介绍了NAND闪存驱动程序的整体架构;对Flash抽象层的功能及地址映射关系的建立进行分析,讨论了引用版本号的概念为MLC NAND闪存建立地... 基于WinCE 6.0操作系统,以实现WinCE下驱动程序对MLC NAND闪存的支持及其驱动程序性能的提高为目的。介绍了NAND闪存驱动程序的整体架构;对Flash抽象层的功能及地址映射关系的建立进行分析,讨论了引用版本号的概念为MLC NAND闪存建立地址映射关系的过程,使Flash抽象层程序可以支持MLC NAND;对Flash介质驱动层进行分析,介绍了采用两片编程技术提高驱动性能的原理与实现,及4位ECC校验的步骤;经对两片编程与单片编程方式的写速度测试,结果表明前者比后者速度提高了92.2%。 展开更多
关键词 mlcnandflash nandflash驱动 地址映射 两片编程 4位ECC
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一种含BCH编解码器的SLC/MLC NAND FLASH控制器的VLSI设计 被引量:11
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作者 李璐 周海燕 《现代电子技术》 2009年第7期167-170,共4页
为了满足存储器市场对低单比特成本和高存储密度的需求,在一款基于ARM926EJ的片上处理器芯片中,集成了一个可支持SLC/MLC NAND FLASH的控制器。为了纠正FLASH存储器芯片中的随机错误,采用了可纠4比特错误的BCH纠错码,该纠错码非常适应N... 为了满足存储器市场对低单比特成本和高存储密度的需求,在一款基于ARM926EJ的片上处理器芯片中,集成了一个可支持SLC/MLC NAND FLASH的控制器。为了纠正FLASH存储器芯片中的随机错误,采用了可纠4比特错误的BCH纠错码,该纠错码非常适应NAND类型存储器的随机错误特点。该控制器可支持多种类型的NAND FLASH。另外,对一种基于伯利坎普-梅西算法的高效BCH编解码器VLSI结构进行了研究,采用一种简化伯利坎普-梅西算法实现的低复杂度的关键方程解算机消除其速度瓶颈。芯片采用SMIC 0.13μm CMOS工艺。测试结果证明,设计电路完全符合系统规范,性能表现优良。 展开更多
关键词 mlc nand flash控制器 BCH 编解码 伯利坎普-梅西算法 VLSI
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