GaN基紫外探测器的电子辐照效应 被引量：12

1

作者 白云 邵秀梅 +3 位作者 陈亮 张燕 李向阳 龚海梅 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2008年第2期270-273,共4页

用能量为0.8 MeV的电子对非故意掺杂的GaN材料进行了辐照,光致发光谱(PL谱)表明,辐照使PL谱的强度随电子注量依次降低,且主发光峰蓝移,在注量较高时,在3.36 eV附近,出现新的发光峰。制备了SiN/GaN的MIS结构,并对其进行电子辐照,通过测量... 用能量为0.8 MeV的电子对非故意掺杂的GaN材料进行了辐照,光致发光谱(PL谱)表明,辐照使PL谱的强度随电子注量依次降低,且主发光峰蓝移,在注量较高时,在3.36 eV附近,出现新的发光峰。制备了SiN/GaN的MIS结构,并对其进行电子辐照,通过测量C-V曲线计算得到SiN/GaN之间的界面态随着电子辐照注量的增加而增加。制备了GaN基p-i-n结构可见盲正照射紫外探测器并进行电子辐照,测量了辐照前后器件的I-V曲线和光谱响应曲线。实验表明,小注量的电子辐照对器件的反向暗电流影响不大,当电子注量≥5×1016 n/cm2时才使器件的暗电流增大一个数量级。辐照前后器件的光谱响应曲线表明,电子辐照对器件的响应率没有产生明显的影响。利用GaN材料和MIS结构的辐照效应分析了器件的辐照失效机理。 展开更多

关键词 GAN PL mis结构 PIN 电子辐照

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环氧树脂/碳钢电极在硫酸溶液中的半导体导电行为 被引量：6

2

作者 王超 钟庆东 +1 位作者 周国治 鲁雄刚 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2008年第7期1277-1282,共6页

采用电位-电容测试和Mott-Schottky分析技术研究了环氧树脂/碳钢电极在0.5mol·L-1硫酸中腐蚀失效过程中的半导体导电行为.环氧树脂在刚刚浸入溶液时(10min)为绝缘体,随着浸泡时间延长,由于离子的腐蚀,环氧树脂外层逐渐转变为n型半... 采用电位-电容测试和Mott-Schottky分析技术研究了环氧树脂/碳钢电极在0.5mol·L-1硫酸中腐蚀失效过程中的半导体导电行为.环氧树脂在刚刚浸入溶液时(10min)为绝缘体,随着浸泡时间延长,由于离子的腐蚀,环氧树脂外层逐渐转变为n型半导体.半导体层中的载流子密度随着浸泡时间的延长而增大,载流子由浸泡7h约1010cm-3增大到48h的约1012cm-3数量级,浸泡48h以内涂层没有完全转变为半导体,碳钢表面包括环氧树脂层在浸泡7-48h期间为MIS(metal-insulator-semiconductor)结构.此MIS结构空间电荷层在-0.5-0.5V内处于反型状态,反型层内的载流子为空穴.在较低频率下测得空间电荷层电容为反型层电容和耗尽层电容的串联电容,随电位升高而减小;较高频率下测得空间电荷层电容仅为耗尽层电容,不随极化电位变化.该MIS结构的电位-电容特性曲线与理想MIS结构相比发生了阳极漂移. 展开更多

关键词 环氧树脂 Mott-Schottky分析 腐蚀 半导体行为 mis结构 反型态

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对MIS结构热弛豫时间的分析计算

3

作者 程骏骥 朱麒瑾 +2 位作者 徐子逸 王俊凯 杨洪强 《电气电子教学学报》 2024年第1期137-140,共4页

对MIS(金属-绝缘层-半导体)结构从深耗尽过渡至强反型状态所需的热弛豫时间进行了研究。通过建立较教科书更精确的模型,对热弛豫时间τth与深耗尽时耗尽区宽度x d0、强反型时耗尽区最大宽度x dm、耗尽区内少子净产生率G和掺杂浓度N D等... 对MIS(金属-绝缘层-半导体)结构从深耗尽过渡至强反型状态所需的热弛豫时间进行了研究。通过建立较教科书更精确的模型,对热弛豫时间τth与深耗尽时耗尽区宽度x d0、强反型时耗尽区最大宽度x dm、耗尽区内少子净产生率G和掺杂浓度N D等关键物理量之间的关联进行了推导,并基于MEDICI平台对推导结果完成了仿真验证,从而加强了学生对半导体表面效应的理解,也利于他们未来从事半导体方面的创新研究。 展开更多

关键词 半导体物理 mis结构 热弛豫时间

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测量鱼鲜度的三甲胺MIS结构的敏感性与机理

4

作者 吴英才 《湛江海洋大学学报》 CAS 1999年第1期44-48,共5页

以ＴｉＯ２为材料制作的Ａｌ／ＴｉＯ２／Ｓｉ　ＭＩＳ结构对与鱼鲜度有关的三甲胺气体有良好的响应。实验表明：当三甲胺体积分数从０～１０３×１０－６变化时，在１ＭＨ的测试频率下，样品的电容值改变了２５０％；在３Ｖ的偏压... 以ＴｉＯ２为材料制作的Ａｌ／ＴｉＯ２／Ｓｉ　ＭＩＳ结构对与鱼鲜度有关的三甲胺气体有良好的响应。实验表明：当三甲胺体积分数从０～１０３×１０－６变化时，在１ＭＨ的测试频率下，样品的电容值改变了２５０％；在３Ｖ的偏压下，电流变化了４５０％。鲜鱼死后在２５ｈ内，在较高温度下样品的（Ｃ－ｔ）和（Ｉ－ｔ）关系响应敏感。并通过分析ＴｉＯ２膜各组分的介电常数，解释了样品的电容随体积分数变化的机理。提出了吸附模型，鉴于化学吸附产生的正电荷对界面势垒和电场的影响，结合Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｈｅｉｍ（Ｆ－Ｎ）隧道穿透机构对电流一体积分数（Ｉ—Ｄ）关系进行解释。 展开更多

关键词 mis结构 三甲胺 鱼鲜度 传感器 测量 敏感性

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表面光电压测量中的最佳相位

5

作者 庞山 张兴堂 +3 位作者 程轲 李蕴才 黄亚彬 杜祖亮 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2005年第1期42-46,共5页

对基于锁相放大技术的表面光电压测量中的“最佳相位”的物理意义及影响因素进行了系统的理论分析及实验验证．结果表明，对于通常所采用的金属-绝缘体-半导体(MIS)“三明治”测量结构，其等效阻抗会很大程度地影响到最佳相位．对于体... 对基于锁相放大技术的表面光电压测量中的“最佳相位”的物理意义及影响因素进行了系统的理论分析及实验验证．结果表明，对于通常所采用的金属-绝缘体-半导体(MIS)“三明治”测量结构，其等效阻抗会很大程度地影响到最佳相位．对于体相材料，“最佳相位”仅与测量条件有关；对于纳米材料等体系，光照可以改变MIS 结构的等效电阻(R_(ins))、等效电容(C_(ins))，从而将引起最佳相位角的显著变化，使“最佳相位”与所研究材料的特性直接关联起来，因此，该手段有可能成为一种新的纳米材料光电检测方法。 展开更多

关键词 表面光电压 锁相 最佳相位 mis结构 等效阻抗

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三甲胺[N(CH_3)_3]MIS传感器的研制 被引量：1

6

作者 吴英才 《湛江海洋大学学报》 CAS 1998年第3期54-56,共3页

研制探测鱼鲜度的传感元件。用含铟（In）杂质的TiO2材料作溅射靶，采用氩离子束镀膜机在硅片上镀膜，用常规蒸铝技术和光刻技术制成MIS结构。结果表明：在1MHz的测试频率下，当三甲胺浓度从0变化到0．1％时电容发生了250％的变化。在3... 研制探测鱼鲜度的传感元件。用含铟（In）杂质的TiO2材料作溅射靶，采用氩离子束镀膜机在硅片上镀膜，用常规蒸铝技术和光刻技术制成MIS结构。结果表明：在1MHz的测试频率下，当三甲胺浓度从0变化到0．1％时电容发生了250％的变化。在3V的偏压下，电流改变了450％。直接用鲜鱼测试时，在25h内该结构的电容和电流的响应很敏感，且接近线性关系。 展开更多

关键词 传感器 mis结构 三甲胺 鱼鲜度 鱼类

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一种双层介质及MIS结构微带传输线传输常数的全波分析方法 被引量：1

7

作者 史维华 卞正才 王宗欣 《复旦学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2001年第1期1-7,共7页

推导了双层介质微带传输线的电场积分方程 ,用电场积分方程法计算了单层、双层无耗或有耗介质以及MIS结构的微带线的复传输常数 ,并与其他方法、实验结果作了比较 .

关键词 电场积分方程法 传输常数 mis结构 微带传输线 集成电路

原文传递

MIS结构中快速热氮化的SiO_xN_y膜电荷特性 被引量：1

8

作者 陈蒲生 杨劲 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1992年第1期22-29,共8页

本文报导了采用光I—V法研究MIS结构中新型的快速热氮化的SiO_xN_y膜电荷特性。给出这种介质膜和传统的SiO_2膜的体电荷面密度及其分布重心位置等实验结果。文中还用“改进”的雪崩热电子注入装置研究MIS结构中快速热氮化的SiO_xN_y膜... 本文报导了采用光I—V法研究MIS结构中新型的快速热氮化的SiO_xN_y膜电荷特性。给出这种介质膜和传统的SiO_2膜的体电荷面密度及其分布重心位置等实验结果。文中还用“改进”的雪崩热电子注入装置研究MIS结构中快速热氮化的SiO_xN_y膜的电荷特性。结果指出:快速热氮化后的再氧化工艺可有效地降低SiO_xN_y膜的体电子陷阱和界面陷阱密度;雪崩注入到一定程度后平带电压漂移出现“回转效应”,随后又前漂,弱呈现“N”形。本文就此提出了物理解释。结果还给出:界面电荷陷阱密度在禁带中分布随雪崩注入剂量(时间)的变化关系。文中还对实验结果进行了分析讨论。 展开更多

关键词 mis结构 电荷特性 雪崩 界面陷阱

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商业银行MIS总体构架及实现步骤

9

作者 田苗 李红 《管理学报》 2005年第S2期237-240,共4页

银行管理信息系统是以业务处理系统和办公自动化系统为基础,运用信息技术和系统工程方法实现银行全部信息的处理、分析、预测、风险控制,是管理决策的高度集成化、网络化的人机系统。针对我国商业银行信息化管理的现状及存在的问题,根... 银行管理信息系统是以业务处理系统和办公自动化系统为基础,运用信息技术和系统工程方法实现银行全部信息的处理、分析、预测、风险控制,是管理决策的高度集成化、网络化的人机系统。针对我国商业银行信息化管理的现状及存在的问题,根据国外3级管理模型理论,并参照一些成功的跨国银行管理信息系统的“金字塔型”结构,提出了我国商业银行建立管理信息系统的总体构架以及实施的步骤。 展开更多

关键词 商业银行 mis结构 总体构架

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光湿敏元件及特性 被引量：1

10

作者 郭志友 黄钊洪 +1 位作者 李观启 黄美浅 《应用光学》 CAS CSCD 2002年第4期33-36,25,共5页

介绍硅衬底的半导体陶瓷材料钛酸镧锶 (Sr1-x Lax Ti O3 )光湿敏元件的工作原理及结构 ,MIS结构元件的光湿敏特性参数和曲线。利用光湿敏元件研制成光湿敏传感器和测量仪 ,智能光湿敏测量仪具有软件湿度补偿、智能判断声光报警等特性。

关键词 光湿敏元件 钛酸镧锶 mis结构 相对湿度 工作原理 光湿敏传感器

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利用金属/绝缘体/半导体(MIS)结构研究IPN的介电常数 被引量：1

11

作者 刘萍 刘菊英 张大博 《应用科技》 CAS 2001年第5期33-35,共3页

采用自制的制膜工具在n型硅片上制备了互穿聚合物网络 (IPN)绝缘层膜。用真空镀在IPN膜上蒸镀铝圆顶电极形成了Al/IPN/nSi(MIS)结构。在室温条件下测定了电容—电压 (C—V)特性。根据测定的C—V特性曲线计算了IPN膜的介电常数。

关键词 mis结构 IPN 电容-电压特性 介电常数 互穿聚合物网络 绝缘层膜 硅片

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MIS结构电容器的湿敏特性研究

12

作者 杨发权 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2006年第7期43-44,共2页

在室温情况下，研究了MIS结构电容器的湿敏特性。用交流串联电路，测量其电流与相对湿度和频率的依赖关系，实验结果表明：此结构有良好的感湿灵敏度和短的响应时间。其中相对湿度从12％变化到98％时，在较宽频率范围（10^2～10^5Hz）... 在室温情况下，研究了MIS结构电容器的湿敏特性。用交流串联电路，测量其电流与相对湿度和频率的依赖关系，实验结果表明：此结构有良好的感湿灵敏度和短的响应时间。其中相对湿度从12％变化到98％时，在较宽频率范围（10^2～10^5Hz）内，元件的电流有较大的变化。还对器件的物理模型进行了分析。 展开更多

关键词 电子技术 mis结构 相对湿度 传感器

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薄硅膜金属-绝缘层-半导体结构的电容-电压特性 被引量：1

13

作者 高梓喻 蒋永吉 +3 位作者 李曼 郭宇锋 杨可萌 张珺 《应用科技》 CAS 2017年第1期40-44,共5页

随着各种新纳米CMOS器件技术的出现,在等比例缩小原则的限制下,硅膜厚度逐渐减薄,这对通过电容-电压法进行物理参数提取带来了挑战。本文借助半导体二维仿真器件——MEDICI,研究了不同硅膜厚度下金属-绝缘层-半导体结构的低频和高频电容... 随着各种新纳米CMOS器件技术的出现,在等比例缩小原则的限制下,硅膜厚度逐渐减薄,这对通过电容-电压法进行物理参数提取带来了挑战。本文借助半导体二维仿真器件——MEDICI,研究了不同硅膜厚度下金属-绝缘层-半导体结构的低频和高频电容-电压特性,通过研究不同偏置下的能带结构探讨了其内在物理机理,并分析了考虑金属与半导体功函数差、绝缘层固定电荷等因素的影响时该结构的电容-电压特性,为通过电容-电压特性法对薄硅膜MIS结构进行参数提取与表征进行了有益探索。 展开更多

关键词 硅膜厚度 mis结构 电容-电压特性 绝缘层固定电荷

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微梁结构热偶微波功率传感器的灵敏度分析

14

作者 者文明 崔大付 陈德勇 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2003年第3期1-3,共3页

在微波技术研究中 ,微波功率是表征微波信号特性的一个重要参数。微波功率测量已成为电磁测量的重要部分 ,可应用于很多场合 ,如发射机输出功率 (包括天线系统辐射的功率 )和振荡器输出功率的测量 ,毫瓦计的校准 ,标准信号发生器的校准... 在微波技术研究中 ,微波功率是表征微波信号特性的一个重要参数。微波功率测量已成为电磁测量的重要部分 ,可应用于很多场合 ,如发射机输出功率 (包括天线系统辐射的功率 )和振荡器输出功率的测量 ,毫瓦计的校准 ,标准信号发生器的校准等。微波功率传感器是微波功率计探头中的核心元件。微梁结构热偶微波功率传感器选择具有低电阻温度系数的Ta2 N和高热电功率塞贝克系数的Si作为热偶材料 ,利用半导体工艺和MEMS工艺制作。器件获得了比薄膜结构更高的灵敏度 ,并且具有动态范围大、零点漂移小等特点 ,此结构已有多种形式。着重从理论上分析了MIS结构对该传感器灵敏度的影响 ,并提出了一种新的结构设计 。 展开更多

关键词 热偶 微梁结构微波功率传感器 mis结构

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不同介质膜的InP MIS结构界面陷阱的研究 被引量：1

15

作者 卢励吾 周洁 +1 位作者 瞿伟 张盛廉 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第4期225-231,共7页

对经 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)生长的不同介质膜 InPMIS结构样品的界而陷阶进行了研究.样品介质膜的生长是在特定实验条件下进行.分别利用C-V(Capacitance-Voltage)和 DLTS(Deep Level Transient Spectroscopy... 对经 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)生长的不同介质膜 InPMIS结构样品的界而陷阶进行了研究.样品介质膜的生长是在特定实验条件下进行.分别利用C-V(Capacitance-Voltage)和 DLTS(Deep Level Transient Spectroscopy)技术进行研究.结果表明,在介质膜和InP之间InP 一侧有若干界面陷阱存在,获得了与界面陷阱有关的深能级参数.这些陷阱的来源可能是:(1)介质膜淀积过程中InP表面部分P原子挥发造成的P空位;(2)InP衬底材料中的原生缺陷;(3)介质膜淀积过程中等离子体引进的有关辐照损伤. 展开更多

关键词 介质膜 mis结构 界面陷阱

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具有MIS结构的n-AlGaAs/InGaAs/n-GaAs双调制掺杂赝HEMT

16

作者 相奇 罗晋生 +2 位作者 曾庆明 周均铭 黄绮 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第2期109-115,T001,共8页

本文设计和研制了具有MIS结构的n-AlGaAs/InGaAs/n-GaAs 双调制掺杂赝HEMT.它结合了MISFET和双调制掺杂赝HEMT的特点.1μm栅长器件的最大漏电流密度达400mA/mm,栅反向击穿电压高达15V.器件还显示了良好的微波射频特性.

关键词 调制掺杂 HEMT mis结构 mis-DHEMT

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MIS结构中Ψ_s—V_G关系的测定

17

作者 吴应前 《四川大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1991年第4期479-484,共6页

分析了准静态法的局限性,描述了杂质分布确定、高频C—V测量与数值计算三结合的测定方法.讨论了泊松方程的数值解,推导了非均匀结点下的迭代公式,给出了边界条件的恰当形式.

关键词 mis结构 表面势 栅压 半导体

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P-InP MIS结构界面陷阱的深能级研究

18

作者 卢励吾 周洁 +1 位作者 瞿伟 张盛廉 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第11期72-75,共4页

对经PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)生长的P-InP MIS结构的界面陷阱进行了研究。样品介质膜生长是在特定条件下进行的。分别利用C-V和DLTS(Deep Level Tran sient Spectroscopy)技术进行研究。结果表明,在介质膜和In... 对经PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)生长的P-InP MIS结构的界面陷阱进行了研究。样品介质膜生长是在特定条件下进行的。分别利用C-V和DLTS(Deep Level Tran sient Spectroscopy)技术进行研究。结果表明,在介质膜和InP之间的InP一侧有界面陷阱存在,并获得了与之有关的深能级参数。这些陷阱可能是在不同生长条件的介质膜淀积过程中等离子体引进的有关辐照损伤。 展开更多

关键词 mis结构 界面陷阱 深能级 INP

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研究MIS结构电荷特性的光Ⅰ～Ⅴ法

19

作者 杨劲 陈蒲生 《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 1992年第2期50-58,共9页

介绍以高能紫外激光为光源的、研究 MIS 结构电荷特性的光Ⅰ-Ⅴ法。简述了该法实验原理、实验装置和测试方法;给出了由传统热氧化的 SiO_2介质膜和新型快速热氮化的 SiOxNy 膜(缩写为 RTNF)组成的 MIS 结构的光Ⅰ-Ⅴ实验数据、体电荷密... 介绍以高能紫外激光为光源的、研究 MIS 结构电荷特性的光Ⅰ-Ⅴ法。简述了该法实验原理、实验装置和测试方法;给出了由传统热氧化的 SiO_2介质膜和新型快速热氮化的 SiOxNy 膜(缩写为 RTNF)组成的 MIS 结构的光Ⅰ-Ⅴ实验数据、体电荷密度和平均分布中心的实验结果。并就该法优缺点、应用前景及改进途径作了讨论. 展开更多

关键词 电荷特性 mis结构 光I-V法

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LB绝缘膜MIS少数载流子隧道二极管

20

作者 林海安 吴冲若 石一心 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1993年第2期100-103,共4页

采用单层(～0.5nm)或多层LB聚酰亚胺超薄膜,在掺杂浓度为1×10^(15)cm^(-3)的p—Si(100)衬底上制作了超薄MIS结构。通过掩模蒸铝形成顶部电极。I—V和C—V特性表明,样品具有少子隧道二极管特性。

关键词 LB超薄膜 mis结构 隧道二极管

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