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主要协同转运蛋白超家族的研究进展 被引量：8
1
作者 李纯 孙春玉 +3 位作者 陈静 林彦萍 王义 张美萍 《生物技术通报》 CAS CSCD 北大核心 2018年第8期43-49,共7页
主要协同转运蛋白超家族(Major facilitator superfamily,MFS)是目前已知最大的膜转运蛋白超家族之一,包括100万个测序成员,其长度大都分布在400-600个氨基酸残基之间。根据TCDB数据库显示,MFS已经扩展到95个家族,它们可以促进糖、药物... 主要协同转运蛋白超家族(Major facilitator superfamily,MFS)是目前已知最大的膜转运蛋白超家族之一,包括100万个测序成员,其长度大都分布在400-600个氨基酸残基之间。根据TCDB数据库显示,MFS已经扩展到95个家族,它们可以促进糖、药物分子、肽、三羧酸循环代谢产物、有机阴离子和无机阴离子等溶质在电化学梯度下进行跨膜运输。目前,对于MFS转运蛋白的晶体结构及转运机制的研究较多,研究发现MFS转运蛋白家族通常具有12个跨膜螺旋单位,并拥有其独特的折叠方式(MFS折叠),蛋白呈现向胞内、胞外开口或闭合的构象,以"摇杆开关"的转运方式进行物质的运输。MFS转运蛋白超家族在动植物中的生理作用较为广泛,在近期,人源MFS转运蛋白的研究更是引发关注,一些MFS转运蛋白家族成员的缺失可导致大脑萎缩和发育迟缓等;还有一些MFS蛋白具有调节细胞酸碱平衡、促进抗癌和消炎药物吸收等作用,关于人源MFS转运蛋白的研究为糖尿病、疲劳综合征、心血管疾病、癌症等人类疾病的防治提供了依据。主要介绍MFS转运蛋白超家族的发展,阐述其晶体结构、转运机制及生理作用,并在此基础上进行展望,以期为MFS的进一步深入研究及探讨提供理论依据。 展开更多
关键词 mfs 结构 转运 生理作用
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MFS结构钛酸铋薄膜的C-V特性研究 被引量：3
2
作者 郭冬云 王耘波 +3 位作者 于军 王雨田 王宝义 魏龙 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期180-182,共3页
　利用sol gel方法在p Si(111)基底上制备钛酸铋薄膜。测量不同退火温度下得到的In/BTO/p Si结构的C V曲线,测量结果表明制备的MFS结构钛酸铋薄膜在合适的制备工艺下可望实现极化型存储。
关键词 mfs结构 钛酸铋薄膜 C-V特性 制备 铁电材料 FFET 信息存储
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CMMB中MFS码流分析及实现 被引量：2
3
作者 袁三男 王绍徐 《电视技术》 北大核心 2011年第18期88-91,共4页
针对CMMB在视音频解码播放及码流检测等应用的需要,对CMMB系统帧结构、码流复用标准等进行分析,提出了MFS码流分析解复用的一套方案,并且应用嵌入式系统进行了实现,提出了硬件实现框图、系统软件的设计及实现流程等关键内容。
关键词 mfs码流 帧结构 复用标准 嵌入式系统
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GaN基MFS结构C-V特性研究 被引量：2
4
作者 胡辉勇 张鹤鸣 +2 位作者 崔敏 戴显英 宋建军 《电子器件》 CAS 2010年第6期684-686,共3页
采用溶胶-凝胶法(Sol-Gel)在n型GaN衬底上制备了PZT铁电薄膜及其相应的金属-铁电体-半导体(MFS)结构,测量了该MFS结构的C-V特性,从理论上分析了所制备的MFS结构的阈值特性。阈值电压的实验与理论分析结果吻合较好。采用PZT铁电薄膜作为... 采用溶胶-凝胶法(Sol-Gel)在n型GaN衬底上制备了PZT铁电薄膜及其相应的金属-铁电体-半导体(MFS)结构,测量了该MFS结构的C-V特性,从理论上分析了所制备的MFS结构的阈值特性。阈值电压的实验与理论分析结果吻合较好。采用PZT铁电薄膜作为GaN基MFS结构的栅介质,利用其高介电常数和较强的极化电场可以显著降低GaN基MFS器件的工作电压。 展开更多
关键词 PZT铁电薄膜 溶胶—凝胶法 mfs结构 C-V特性 阈值电压
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金属-铁电薄膜-半导体结构的电容-电压特性理论分析
5
作者 顾豪爽 赵敏 +1 位作者 包定华 李晓萱 《湖北大学学报（自然科学版）》 CAS 1998年第2期145-148,共4页
用半导体理论讨论了金属铁电薄膜半导体（ＭＦＳ）结构的电容电压（ＣＶ）特性，其结果表明：在ｎ型Ｓｉ基片上，理想ＭＦＳ结构的ＣＶ曲线为逆时针回滞，有载流子注入的ＭＦＳ结构的ＣＶ曲线为顺时针回滞，这与实验结果是一致的．
关键词 铁电薄膜 载流子 mfs结构 电容-电压特性
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Bi_2VO_(5.5)铁电薄膜的制备及电学性质研究 被引量：1
6
作者 张振伦 邓红梅 +2 位作者 郭鸣 杨平雄 褚君浩 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期248-250,302,共4页
利用溶胶凝胶法在n-Si(100)衬底上成功制备了钒酸铋(Bi2VO5.5)铁电薄膜.利用X射线衍射和原子力显微镜对薄膜的微结构进行了分析,结果表明,Bi2VO5.5薄膜与n-Si衬底有着良好的晶格匹配并表现出高度的c轴择优取向,晶粒大小均匀.对薄膜电学... 利用溶胶凝胶法在n-Si(100)衬底上成功制备了钒酸铋(Bi2VO5.5)铁电薄膜.利用X射线衍射和原子力显微镜对薄膜的微结构进行了分析,结果表明,Bi2VO5.5薄膜与n-Si衬底有着良好的晶格匹配并表现出高度的c轴择优取向,晶粒大小均匀.对薄膜电学性质的研究表明,Bi2VO5.5薄膜具有良好的C-V特性,在±4V偏压下,存储窗大于0.4V.当外加偏压为3.2V时,漏电流密度为5×10-8Acm-2.1kHz下介电常数和介电损耗分别为95和0.22.这些结果说明,Bi2VO5.5在铁电存储器方面具有较大的应用前景. 展开更多
关键词 钒酸铋薄膜 金属/铁电薄膜/半导体结构 溶胶凝胶 电学特性
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多功能结构样机电路系统设计
7
作者 韩卿 纪彩华 +1 位作者 汪衡 范喆 《机械管理开发》 2010年第3期18-19,共2页
针对弹箭上的传统电子设备采用大量铝制机箱和铜质电缆,导致设备体积大、不规则、重量大等缺点,采用多功能结构集成技术对某弹载数据记录系统的中心程序器和远置单元的电路进行了详细设计。
关键词 多功能结构(mfs) 中心程序器 远置单元 电路设计
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