2 μm波段InGaAsSb/AlGaAsSb宽条多量子阱激光器 被引量：3

1

作者 陈高庭 柏劲松 +5 位作者 张云妹 耿建新 方祖捷 李爱珍 郑燕兰 林春 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第12期1069-1072,共4页

报道了用ＭＢＥ生长的ＩｎＧａＡｓＳｂ／ＡｌＧａＡｓＳｂ多量子阱材料做成的宽条激光二极管的性能。室温下以脉冲方式工作，实现了８３ｍＷ的峰值功率输出，阈值电流为２５０ｍＡ，典型峰值波长为２．００μｍ左右。

关键词 中红外波段 激光器 量子阱材料 mbe生长

原文传递

GaAs脊形量子线结构的MBE生长机理研究 被引量：4

2

作者 牛智川 周增圻 +5 位作者 林耀望 周帆 潘昆 张子莹 祝亚芹 王守武 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第3期227-230,共4页

本文报道了非平面衬底上分子束外延生长ＧａＡｓ脊形量子线结构的实验研究．已成功地在ＧａＡｓ（００１）刻蚀条形衬底上生长出了由（１１１）面和（１１３）面构成的两种脊形量子线结构．本文讨论了非平面衬底上ＭＢＥ生长脊形结构的... 本文报道了非平面衬底上分子束外延生长ＧａＡｓ脊形量子线结构的实验研究．已成功地在ＧａＡｓ（００１）刻蚀条形衬底上生长出了由（１１１）面和（１１３）面构成的两种脊形量子线结构．本文讨论了非平面衬底上ＭＢＥ生长脊形结构的形成机制，认为在一定的生长条件下，脊形结构的表面取向是由两个原始交界面上生长速率的相对差异决定的；而生长速率的差异是由表面再构的不同决定的． 展开更多

关键词 砷化镓 脊形量子线结构 mbe生长

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MBE生长HgCdTe材料的As掺杂退火的研究 被引量：2

3

作者 徐非凡 《红外》 CAS 2003年第5期1-4,10,共5页

1 引言 近年来,随着碲镉汞(HgCdTe或MCT)红外焦平面(IRFPA)技术的快速发展,器件对材料的电学性质、面积和均匀性等参数的要求迅速提高.

关键词 mbe生长 HGCDTE材料 碲镉汞化合物 半导体材料 As掺杂 砷掺杂 退火 分子束外延生长 红外焦平面探测器

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MBE生长轻掺硅GaAs材料光荧光谱杂质特性研究 被引量：1

4

作者 牛智川 黎健 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1996年第2期133-136,共4页

采用低温光荧光谱测试方法，研究了ＭＢＥ生长的轻掺硅ＧａＡｓ材料的杂质特性，并结合Ｈａｌｌ测量结果，讨论了ＭＢＥ关键生长条件Ⅴ／Ⅲ束流比等对Ｓｉ在ＧａＡｓ中掺杂特性的影响，研究表明掺杂元素Ｓｉ在ＧａＡｓ中起两性（施主或... 采用低温光荧光谱测试方法，研究了ＭＢＥ生长的轻掺硅ＧａＡｓ材料的杂质特性，并结合Ｈａｌｌ测量结果，讨论了ＭＢＥ关键生长条件Ⅴ／Ⅲ束流比等对Ｓｉ在ＧａＡｓ中掺杂特性的影响，研究表明掺杂元素Ｓｉ在ＧａＡｓ中起两性（施主或受主）杂质作用，适当提高Ⅴ／Ⅲ束流比可以抑制Ｓｉ的自补偿效应，从而减小载流子的补偿度，进一步提高迁移率。通过优化生长条件，本实验已获得了杂质浓度小于１０１２ｃｍ－３，７７Ｋ下迁移率大于１．６×１０５ｃｍ２／Ｖ·ｓ的高纯、高迁移率ＧａＡｓ材料。 展开更多

关键词 光荧光 硅 掺杂 分子束外延 mbe生长 砷化镓

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MBE生长GaAlAs/GaAs量子阱激光器材料的光谱和结构特性研究 被引量：1

5

作者 李梅 宋晓伟 +2 位作者 王晓华 张宝顺 李学千 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期355-358,共4页

本文用低温光致荧光 (PL )谱及 X射线双晶衍射方法对 MBE方法生长的 Ga Al As/Ga As(1 0 0 )量子阱结构材料进行了测试分析。结果表明 ,在材料生长过程中 ,深能级的引入严重影响了材料的光学特性及界面完整性。通过改变衬底温度、 / 速... 本文用低温光致荧光 (PL )谱及 X射线双晶衍射方法对 MBE方法生长的 Ga Al As/Ga As(1 0 0 )量子阱结构材料进行了测试分析。结果表明 ,在材料生长过程中 ,深能级的引入严重影响了材料的光学特性及界面完整性。通过改变衬底温度、 / 速流比等实验条件 ,得到了质量较好的材料 ,低温光致荧光峰的半峰宽达到 1 .7me V,双晶衍射峰的半峰宽为 9.6 8″.同时对实验样品的双晶衍射回摆曲线中干涉条纹及峰的劈裂现象进行了理论分析 ,并利用 PL谱将深能级对材料、器件性能的影响做了有益的讨论。 展开更多

关键词 mbe生长 GaAlAs/GaAs量子阱激光器 分子束外延 双晶衍射

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应变自组装InAs／GaAs量子点材料与器件光学性质研究 被引量：2

6

作者 钱家骏 徐波 +3 位作者 陈涌海 叶小玲 韩勤 王占国 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第B05期51-55,共5页

采用MBE技术生长应变自组装InAs／GaAs量子点微结构材料，以这种纳米尺度微结构材料作有源层制备出激光二极管，研究了材料的光致发光和器件电致发光的特性，条宽为100μm、腔长为1.6mm，腔面未经镀膜的量子点激光二极管，室温下最大光... 采用MBE技术生长应变自组装InAs／GaAs量子点微结构材料，以这种纳米尺度微结构材料作有源层制备出激光二极管，研究了材料的光致发光和器件电致发光的特性，条宽为100μm、腔长为1.6mm，腔面未经镀膜的量子点激光二极管，室温下最大光功率输出为2．74W。 展开更多

关键词 应变自组装量子点 电致发光谱 InAs量子点结构 量子点激光器 mbe生长

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InAs薄膜Hall器件的材料生长与特性研究 被引量：1

7

作者 王红梅 曾一平 +4 位作者 周宏伟 董建荣 潘栋 潘量 孔梅影 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第6期413-416,共4页

本文在国内首次报道了利用ＩｎＡｓ外延薄膜制作霍尔器件，通过分子束外延技术在ＧａＡｓ衬底上生长的ＩｎＡｓ薄膜具有较高的迁移率和较好的温度特性．用这种材料制作的霍尔器件在每千欧姆内阻条件下灵敏度与ＧａＡｓ平面Ｈａｌ器件相... 本文在国内首次报道了利用ＩｎＡｓ外延薄膜制作霍尔器件，通过分子束外延技术在ＧａＡｓ衬底上生长的ＩｎＡｓ薄膜具有较高的迁移率和较好的温度特性．用这种材料制作的霍尔器件在每千欧姆内阻条件下灵敏度与ＧａＡｓ平面Ｈａｌ器件相比提高了５０％． 展开更多

关键词 霍尔器件 砷化铟 mbe生长

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MBE生长轻掺Si高迁移率GaAs材料的杂质补偿特性研究 被引量：1

8

作者 牛智川 周增圻 +1 位作者 林耀望 李朝勇 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第12期897-900,共4页

本文报道了用ＭＢＥ生长轻掺Ｓｉ高迁移率ＧａＡｓ材料的杂质补偿特性实验研究．已得到７７Ｋ温度下迁移率为１６．２×１０４ｃｍ２／（Ｖ·ｓ）的ＧａＡｓ材料．样品的Ｈａｌｌ测量结果表明：在较低的杂质浓度范围（１×... 本文报道了用ＭＢＥ生长轻掺Ｓｉ高迁移率ＧａＡｓ材料的杂质补偿特性实验研究．已得到７７Ｋ温度下迁移率为１６．２×１０４ｃｍ２／（Ｖ·ｓ）的ＧａＡｓ材料．样品的Ｈａｌｌ测量结果表明：在较低的杂质浓度范围（１×１０１３ｃｍ－３＜ｎ＜１×１０１５ｃｍ－３）内，在大体相同的生长温度（５９０℃左右）下，选择适当的生长速率Ｇｒ会增强对浅受主杂质的抑制作用，同时也会抑制Ｓｉ的自补偿效应，减小杂质的补偿度Ｎａ／Ｎｄ之值，从而提高ＭＢＥ外延ＧａＡｓ材料的迁移率． 展开更多

关键词 砷化镓 mbe生长 掺杂 硅 杂质补偿 迁移率

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优质Al_xGa_(1-x)As/GaAs(x≤0.6)SAM—APD超晶格结构的MBE生长 被引量：1

9

作者 林耀望 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第11期715-717,共3页

本文描述了采用Varian GenⅡMBE系统,和VA-175型砷裂解炉,以及5个“9”的铍作p型掺杂剂,严格仔细地控制外延生长过程,成功地制备了优质的Al_xGa_(1-x)As/GaAs(x≤0.6)SAM-APD超晶格结构外延材料。倍增层p-Al_(0.6)Ga_(0.4)As的载流子浓... 本文描述了采用Varian GenⅡMBE系统,和VA-175型砷裂解炉,以及5个“9”的铍作p型掺杂剂,严格仔细地控制外延生长过程,成功地制备了优质的Al_xGa_(1-x)As/GaAs(x≤0.6)SAM-APD超晶格结构外延材料。倍增层p-Al_(0.6)Ga_(0.4)As的载流子浓度低达2.3×10^(14)cm^(-3)电子与空穴离化率的比值为25.0。此材料用于制作超晶格雪崩光电探测器,器件性能有显著的提高。在初始光电流I_(po)=100nA下,反向偏压为80伏得到的内部雪崩增益为1900,计算分析最大雪崩倍增因子高达6050。 展开更多

关键词 化合物半导体 超晶格 结构 mbe生长

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MBE生长的InAs薄膜Hall器件

10

作者 周宏伟 曾一平 +3 位作者 李歧旺 王红梅 潘量 孔梅影 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第10期873-876,共4页

　利用ＧａＡｓ 衬底上的ＩｎＡｓ薄膜制备的Ｈａｌｌ器件，具有灵敏度高（在相同的电子浓度、室温附近灵敏度是ＧａＡｓ Ｈａｌｌ器件的１．５ 倍），不等位电压温漂小等优点．可用于电流传感器、无刷电机等磁敏传感器中。

关键词 mbe生长 Hall器件 砷化铟 半导体薄膜技术

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MBE生长温度对InGaAs/GaAs应变单量子阱激光器性能的影响

11

作者 曾一平 孔梅影 +3 位作者 王晓亮 朱世荣 李灵霄 李晋闽 《电子显微学报》 CAS CSCD 1997年第4期381-384,共4页

采用分子束外延（ＭＢＥ）技术，研制生长了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变单量子阱激光器材料，并研究了生长温度及界面停顿生长对激光器性能的影响。结果表明，较高的ＩｎＧａＡｓ生长温度和尽可能短的生长停顿时间，将有利于降低激光器... 采用分子束外延（ＭＢＥ）技术，研制生长了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变单量子阱激光器材料，并研究了生长温度及界面停顿生长对激光器性能的影响。结果表明，较高的ＩｎＧａＡｓ生长温度和尽可能短的生长停顿时间，将有利于降低激光器的阈值电流。所外延的激光器材料在２５０μｍ×５００μｍ宽接触、脉冲工作方式下测量的阈电流密度的典型值为１６０ｍＡ／ｃｍ２。用湿法腐蚀制作的４μｍ条宽的脊型波导激光器，阈值电流为１６ｎＡ，外微分量子效率为０４ｍＷ／ｍＡ，激射波长为９７６±２ｎｍ，线性输出功率为１００ｍＷ。 展开更多

关键词 应变单量子阱 激光器 mbe生长 外延生长

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三角形点结构的MBE生长及其量子阱限制能量的横向变化

12

作者 牛智川 周增圻 +5 位作者 韩勤 吴荣汉 R.Notzel U.Jahn M.Ramsteiner K.H.Ploog 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第4期311-315,共5页

本文首次报道了在腐蚀图形的（３１１）Ａ衬底上，一种新型三角形点结构的ＭＢＥ生长及其量子阱限制能量的横向变化研究．原子力显微镜三维图象清晰地显示出在原腐蚀凹面图形之间的平面区域，ＭＢＥ选择性生长形成了均匀的三角形收缩结... 本文首次报道了在腐蚀图形的（３１１）Ａ衬底上，一种新型三角形点结构的ＭＢＥ生长及其量子阱限制能量的横向变化研究．原子力显微镜三维图象清晰地显示出在原腐蚀凹面图形之间的平面区域，ＭＢＥ选择性生长形成了均匀的三角形收缩结构，其尖角沿［２３３］方向，收缩面由对称的｛１１１｝Ａ面构成．低温阴极荧光谱和图象测试研究结果表明：这种点状外延结构存在三个分离的荧光发射区域，分别对应于三个不同的激发光波长．说明这种点结构中量子阱层厚度的变化引入了量子阱限制能量的横向变化．低温微区光致发光谱测试得到高度可分辨的三个发光峰，结果说明在围绕点状结构顶部区域形成了１３ｍｅＶ横向势垒，且具有较高的辐射复合发光效率． 展开更多

关键词 mbe生长 量子阱 限制能量 外延生长

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MBE生长Zn_（1－x）Cd_xSe／ZnSe超晶格的SIMS和AES谱

13

作者 叶海 陈云良 王海龙 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第1期60-64,共5页

本文简要叙述了运用ＭＢＥ技术成功生长出Ｚｎ１－ｘＣｄｘＳｅ／ＺｎＳｅ超晶格的一些工艺和参数，并对不同的样品进行了ＳＩＭＳ和ＡＥＳ的测试，首次测得了这种材料的元素分布，结果显示ＺｎＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ超晶格有着良好的纵向... 本文简要叙述了运用ＭＢＥ技术成功生长出Ｚｎ１－ｘＣｄｘＳｅ／ＺｎＳｅ超晶格的一些工艺和参数，并对不同的样品进行了ＳＩＭＳ和ＡＥＳ的测试，首次测得了这种材料的元素分布，结果显示ＺｎＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ超晶格有着良好的纵向元素分布． 展开更多

关键词 mbe生长 硒化锌 ZNCDSE 超晶格 SIMS AES谱

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自旋电子学的研究现状和未来发展趋势

14

作者 邓志杰（摘译） 《现代材料动态》 2005年第9期1-3,共3页

自旋电子学是目前固体物理和电子学中的一个“热点”，其中心议题是利用和控制固体，尤其是半导体中的自旋自由度。本文主要内容是：1、MBE生长的Ⅲ-Ⅴ族基铁电薄膜和异质结构，2、具有高铁磁转变温度的Mm6掺杂的GaAs／P-A1GaAs异质结... 自旋电子学是目前固体物理和电子学中的一个“热点”，其中心议题是利用和控制固体，尤其是半导体中的自旋自由度。本文主要内容是：1、MBE生长的Ⅲ-Ⅴ族基铁电薄膜和异质结构，2、具有高铁磁转变温度的Mm6掺杂的GaAs／P-A1GaAs异质结及与自旋相关性质的控制，3、Si基自旋电子学。 展开更多

关键词 自旋电子学 发展趋势 现状 固体物理 异质结构 自旋自由度 mbe生长 磁转变温度 铁电薄膜

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InAs/GaAs多层堆垛量子点激光器的激射特性

15

作者 钱家骏 叶小玲 +3 位作者 陈涌海 徐波 韩勤 王占国 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期184-188,共5页

利用固态源分子束外延技术,按S-K模式生长出五层堆垛InAs/GaAs量子点(QD)微结构材料.用这种QD材料制成的激光器,内光学损耗为2.1cm-1,透明电流密度为15士10 A/cm2.对于条宽100μm,腔长2.4mm的激光器(腔面未经镀膜处理),室温下基态激射... 利用固态源分子束外延技术,按S-K模式生长出五层堆垛InAs/GaAs量子点(QD)微结构材料.用这种QD材料制成的激光器,内光学损耗为2.1cm-1,透明电流密度为15士10 A/cm2.对于条宽100μm,腔长2.4mm的激光器(腔面未经镀膜处理),室温下基态激射的波长为1.08μm,阈值电流密度为144A/cm2,连续波光功率输出达2.67W(双面),外量子效率为63%,特征温度为320K.研究了QD激光器翟激射特性,并对结果作了讨论. 展开更多

关键词 应变自组装量子点 InAs/GaAs多层堆垛量子点 量子点激光器 mbe生长

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MBE生长面发射激光器的原位厚度监测

16

作者 周增圻 潘钟 +2 位作者 林耀望 吴荣汉 王圩 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第8期589-594,共6页

在ＭＢＥ生长“ＤＢＲ型结构性材料”的过程中，由于生长中的多层结构干涉效应，使高温黑体辐射谱呈现振荡现象，利用此现象辅以计算机数据拟合，可以实现ＭＢＥ生长中层次、组分和厚度的实时监控，对ＭＢＥ系统生长垂直腔型结构材料的... 在ＭＢＥ生长“ＤＢＲ型结构性材料”的过程中，由于生长中的多层结构干涉效应，使高温黑体辐射谱呈现振荡现象，利用此现象辅以计算机数据拟合，可以实现ＭＢＥ生长中层次、组分和厚度的实时监控，对ＭＢＥ系统生长垂直腔型结构材料的实时质量监控有重要意义．我们首次在国内采用这项技术，利用红外高温仪对ＶＣＳＥＬ器件生长全过程（包括谐振腔）及多种组分ＤＢＲ的表观衬底热辐射振荡进行监测，采用准黑体模型，结合扫描电镜、光反射谱等结果进行了分析，理论与实验得到了较好的吻合． 展开更多

关键词 mbe生长 面发射激光器 监测 激光器

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铁磁半导体

17

作者 邓志杰(摘译) 《现代材料动态》 2005年第8期4-6,共3页

对载流子自旋的控制是开发新型多功能磁电器件的基础。居里点温度（正）在室温以上的磁性半导体的开发将导致新一代微电子学器件，包括自旋FET、超致密非易失半导体存储器和有着极化光输出的自旋LED。迄今，对GaMnAs材料系统进行了深入... 对载流子自旋的控制是开发新型多功能磁电器件的基础。居里点温度（正）在室温以上的磁性半导体的开发将导致新一代微电子学器件，包括自旋FET、超致密非易失半导体存储器和有着极化光输出的自旋LED。迄今，对GaMnAs材料系统进行了深入研究，用MBE生长的材料正约170K。 展开更多

关键词 磁性半导体 铁磁 半导体存储器 材料系统 mbe生长 微电子学 电器件 多功能 自旋

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Role of Double MgO/ZnO Buffer Layers on Defect Reduction of ZnO Layers Grown on c-Sapphire by P-MBE

18

作者 Agus Setiawan Takafumi Yao 《材料科学与工程（中英文A版）》 2011年第3X期380-389,共10页

关键词 ZnO缓冲层 纳米氧化镁 mbe生长 蓝宝石 锌层 缺陷 等离子体辅助分子束外延 临界厚度

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RF-MBE生长AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料 被引量：3

19

作者 孙殿照 胡国新 +5 位作者 王晓亮 刘宏新 刘成海 曾一平 李晋闽 林兰英 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第11期1425-1428,共4页

用射频等离子体辅助分子束外延技术 (RF- MBE)在 C面蓝宝石衬底上外延了高质量的 Ga N膜以及 Al Ga N/Ga N极化感应二维电子气材料 .所外延的 Ga N膜室温背景电子浓度为 2× 10 1 7cm- 3 ,相应的电子迁移率为 177cm2 /(V· s) ;... 用射频等离子体辅助分子束外延技术 (RF- MBE)在 C面蓝宝石衬底上外延了高质量的 Ga N膜以及 Al Ga N/Ga N极化感应二维电子气材料 .所外延的 Ga N膜室温背景电子浓度为 2× 10 1 7cm- 3 ,相应的电子迁移率为 177cm2 /(V· s) ;Ga N (0 0 0 2 ) X射线衍射摇摆曲线半高宽 (FWHM)为 6′;Al Ga N/Ga N极化感应二维电子气材料的室温电子迁移率为 730 cm2 /(V· s) ,相应的电子气面密度为 7.6× 10 1 2 cm- 2 ;用此二维电子气材料制作的异质结场效应晶体管 (HFET)室温跨导达 5 0 m S/mm (栅长 1μm) ,截止频率达 13GHz(栅长 0 .5 μm) 展开更多

关键词 RF-mbe生长 二维电子气 ALGAN/GAN 分子束外延生长 极化感应 氮化镓

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蓝宝石衬底上RF-MBE生长的GaN中的极性控制和螺旋位错的降低(英文) 被引量：1

20

作者 Kishino K, Kikuchi A (Sophia University 7-1, Kioi-cho, Chiyoda-ku, Tokyo, 102-8554, Japan) 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期319-323,共5页

近年来人们报道了用ＭＢＥ方法生长ＧａＮ的飞速进展，利用ＲＦ－ＭＢＥ方法可以获得高的ＧＡＮ生长速率和高的电子迁移率。本文讨论了用ＲＦ－ＭＢＥ方法在蓝宝石衬底上生长ＧａＮ过程中的极性控制和螺旋位错的降低。在充分氮化的蓝宝... 近年来人们报道了用ＭＢＥ方法生长ＧａＮ的飞速进展，利用ＲＦ－ＭＢＥ方法可以获得高的ＧＡＮ生长速率和高的电子迁移率。本文讨论了用ＲＦ－ＭＢＥ方法在蓝宝石衬底上生长ＧａＮ过程中的极性控制和螺旋位错的降低。在充分氮化的蓝宝石衬底上直接生长ＧａＮ，使ＧａＮ的极性控制为Ｎ－极性，并用高温生长的ＡｌＮ核化层实现ＧａＮ的Ｇａ－极性。对于Ｎ－和Ｇａ－极性的ＧａＮ这两种情况，高温生长的ＡｌＮ中间迭层的引入，可以有效地抑制螺旋位错的扩散。位错的降低使ＧａＮ的室温电子迁移率得到提高，对于Ｇａ－极性的ＧａＮ，其值为３３２ｃｍ２／Ｖ·ｓ；而对于 Ｎ－极性的 ＧａＮ，其值为 ６８８ｃｍ２／Ｖ·ｓ。 展开更多

关键词 GAN RF-mbe生长 极性控制 螺旋位错 蓝宝石 氮化镓 半导体材料

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