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具有花状形貌Lu_(x)Bi_(2-x)Te_(3)合金的制备及性能
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作者 吴芳 王伟 《河北大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2023年第1期58-66,共9页
Bi_(2)Te_(3)基材料在室温附近具有良好的热电性能,通过掺杂和纳米技术可以提高Bi_(2)Te_(3)基热电材料的热电性能,其主要由热电优值(ZT)决定.本文通过水热法成功制备了具有纳米花形貌的Lu_(x)Bi_(2-x)Te_(3)粉体,并对制备的纳米粉体分... Bi_(2)Te_(3)基材料在室温附近具有良好的热电性能,通过掺杂和纳米技术可以提高Bi_(2)Te_(3)基热电材料的热电性能,其主要由热电优值(ZT)决定.本文通过水热法成功制备了具有纳米花形貌的Lu_(x)Bi_(2-x)Te_(3)粉体,并对制备的纳米粉体分别进行XRD和SEM表征,讨论了Lu元素掺杂和乙二胺四乙酸(EDTA)用量对Lu_(x)Bi_(2-x)Te_(3)纳米花粉体形貌的影响,结果表明:Lu元素掺杂不利于纳米花形貌的形成,而EDTA用量的合适选取对于纳米花形貌的形成起着至关重要的作用.接着采用热压法将Lu_(x)Bi_(2-x)Te_(3)纳米花粉体压制成致密块体,讨论了Lu元素掺杂对Lu_(x)Bi_(2-x)Te_(3)块体热电性能的影响,结果表明:Lu掺杂和纳米花形貌有利于提高样品的功率因子同时保持较低的热导率,从而可以达到较高的ZT值;Lu_(0.2)Bi_(1.8)Te_(3)样品和Lu_(0.25)Bi_(1.75)Te_(3)样品的ZT值均高于区域熔炼商用Bi_(2)Te_(3)块体的值,并且Lu_(0.25)Bi_(1.75)Te_(3)样品的ZT值在测温范围内均高于1,其ZT值在473 K时达到了1.14,高于其他相关报道的n型块体的值.这一研究为提高Bi_(2)Te_(3)基合金热电材料的热电性能提供了一个新的途径. 展开更多
关键词 lu_(x)bi_(2-x)te_(3)粉体 lu元素掺杂 EDTA用量 纳米花形貌 热电性能
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