基于OKI(冲电气工业株式会社)0.5μm BCD(Bipolar,CMOS and DMOS)工艺,设计了一种带曲率补偿的低温漂低功耗带隙基准电压源。采用放大器钳位的传统实现方式,将一个类指数性质的电流叠加到基准源的核心部分,达到曲率补偿的效果。仿真结...基于OKI(冲电气工业株式会社)0.5μm BCD(Bipolar,CMOS and DMOS)工艺,设计了一种带曲率补偿的低温漂低功耗带隙基准电压源。采用放大器钳位的传统实现方式,将一个类指数性质的电流叠加到基准源的核心部分,达到曲率补偿的效果。仿真结果表明,在5 V供电电压下,223~423 K(–50^+150℃)内,基准电压的波动范围为1.175~1.182 V,温漂为2.15×10–6/K,具有较高精度,低频时电路电源抑制比为–64 d B,整体静态电流仅为5.6μA。展开更多
文摘基于OKI(冲电气工业株式会社)0.5μm BCD(Bipolar,CMOS and DMOS)工艺,设计了一种带曲率补偿的低温漂低功耗带隙基准电压源。采用放大器钳位的传统实现方式,将一个类指数性质的电流叠加到基准源的核心部分,达到曲率补偿的效果。仿真结果表明,在5 V供电电压下,223~423 K(–50^+150℃)内,基准电压的波动范围为1.175~1.182 V,温漂为2.15×10–6/K,具有较高精度,低频时电路电源抑制比为–64 d B,整体静态电流仅为5.6μA。
