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洛伦兹与超高斯矩形超短脉冲的时间带宽积 被引量:1
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作者 陈聪 陈海燕 《长江大学学报(自科版)(上旬)》 CAS 2013年第1期10-11,2,共2页
利用傅立叶变换法,计算了洛伦兹、超高斯矩形超短脉冲的变换极限。计算结果表明,洛伦兹和超高斯矩形超短脉冲的变换极限分别为0.221和0.443,所得结果可用于实际洛伦兹和超高斯矩形超短脉冲特性分析。
关键词 超快激光 时间带宽积 洛伦兹型 超高斯矩形 变换极限
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Voigt线型宽度的经验公式及其应用 被引量:3
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作者 尹增谦 袁春琪 王永杰 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第8期1064-1069,共6页
根据Voigt线型函数的解析形式,利用数值计算方法建立了Voigt线型宽度与洛仑兹线型宽度和高斯线型宽度的经验公式。以该线型宽度经验公式为基础,建立了由实验获得的光谱线型宽度计算得到洛仑兹和高斯宽度的方案,以一组线型函数为例验证... 根据Voigt线型函数的解析形式,利用数值计算方法建立了Voigt线型宽度与洛仑兹线型宽度和高斯线型宽度的经验公式。以该线型宽度经验公式为基础,建立了由实验获得的光谱线型宽度计算得到洛仑兹和高斯宽度的方案,以一组线型函数为例验证了我们计算方案的可靠性。根据本工作建立的方法,对Ar气等离子体射流的696.5nm谱线进行了计算,得到了与其对应的洛仑兹线型和高斯线型函数。 展开更多
关键词 洛仑兹线型函数 高斯线型函数 Voigt线型函数 半高全宽
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The Uncertain Energy of an Excited State 被引量:1
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作者 Richard A. Hutchin 《Optics and Photonics Journal》 2015年第6期201-204,共4页
This paper asks an experimental question about photon absorption and emission in a two-state electronic system where the incident frequency of exciting light is below the mean frequency of the emission line but still ... This paper asks an experimental question about photon absorption and emission in a two-state electronic system where the incident frequency of exciting light is below the mean frequency of the emission line but still within the line width. Since it is well known that the absorption spectrum and the emission spectrum are identical [1]-[3], then quantum mechanics as well as astronomical observations say that excitations will still occur. Once a quantum state excites, then it is expected to decay back with a typical time constant and the usual emission spectrum. The problem is that the mean frequency of that emission spectrum will then be higher than the frequency of the exciting photon, suggesting that more energy is emitted than being received on average. A search of quantum mechanical references finds no discussion of this issue, so this paper considers the options available to resolve this inconsistency, including an experiment. 展开更多
关键词 PHOTONIC Emission ABSORPTION lorentz line shape CONSERVATION of ENERGY
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InAs/GaAs表面量子点的压电调制反射光谱研究 被引量:1
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作者 余晨辉 王茺 +2 位作者 龚谦 张波 陆卫 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第9期4934-4939,共6页
运用压电调制反射光谱(PzR)方法测量了在以GaAs(311)B为衬底的In0.35Ga0.65As模板上生长的InAs表面量子点结构的反射谱.在77K温度下,观察到了来自样品各个组成结构(包括表面量子点本身、被覆盖层覆盖的量子点、In0.35Ga0.65As模板以及G... 运用压电调制反射光谱(PzR)方法测量了在以GaAs(311)B为衬底的In0.35Ga0.65As模板上生长的InAs表面量子点结构的反射谱.在77K温度下,观察到了来自样品各个组成结构(包括表面量子点本身、被覆盖层覆盖的量子点、In0.35Ga0.65As模板以及GaAs衬底等)的调制信号.来自表面量子点本身的调制信号是多个清晰的调制峰.用一阶和三阶微分洛伦兹线形对PzR谱中对应结构的实验数据进行了拟合,精确确定了与样品的各个组成结构相对应的调制峰的能量位置.对不同样品PzR谱的差异进行了定性的说明. 展开更多
关键词 压电调制光谱 InAs/GaAs表面量子点 洛伦兹线形拟合
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