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500A、1200V光控双向晶闸管的研制
1
作者
赵善麒
高鼎三
王正元
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1994年第5期54-60,共7页
本文具体描述了中心锥形槽状光敏门极结构光控双向晶闸管的结构特点，介绍了该新型结构器件的关键生产工艺，并对器件的触发特性进行了较深入的理论研究，研制成功的直径为４０ｍｍ，电流容量为５００Ａ，耐压为１２００Ｖ的光控双向晶...
本文具体描述了中心锥形槽状光敏门极结构光控双向晶闸管的结构特点，介绍了该新型结构器件的关键生产工艺，并对器件的触发特性进行了较深入的理论研究，研制成功的直径为４０ｍｍ，电流容量为５００Ａ，耐压为１２００Ｖ的光控双向晶闸管的最小光触发功率小于１５ｍＷ，动态峰值压降小于１．６Ｖ，换向ｄｖ／ｄｔ耐量大于１００Ｖ／μｓ，换向ｄｉ／ｄｔ耐量大于５０Ａ／μｓ．
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关键词
双向晶闸管
光控可控硅
LT
triac
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职称材料
题名
500A、1200V光控双向晶闸管的研制
1
作者
赵善麒
高鼎三
王正元
机构
吉林大学电子工程系
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1994年第5期54-60,共7页
基金
国家自然科学基金
文摘
本文具体描述了中心锥形槽状光敏门极结构光控双向晶闸管的结构特点，介绍了该新型结构器件的关键生产工艺，并对器件的触发特性进行了较深入的理论研究，研制成功的直径为４０ｍｍ，电流容量为５００Ａ，耐压为１２００Ｖ的光控双向晶闸管的最小光触发功率小于１５ｍＷ，动态峰值压降小于１．６Ｖ，换向ｄｖ／ｄｔ耐量大于１００Ｖ／μｓ，换向ｄｉ／ｄｔ耐量大于５０Ａ／μｓ．
关键词
双向晶闸管
光控可控硅
LT
triac
Keywords
light
triggered
triac
light
sensitive
gate
Ligh
trigger
ing
sensitivity
Commutating
dv/dt
capability
Commutating
di/dt
capability
分类号
TN342.3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
500A、1200V光控双向晶闸管的研制
赵善麒
高鼎三
王正元
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1994
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