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硅锭中少子寿命的计算公式
1
作者
陈学全
罗耀煌
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1995年第4期330-334,共5页
论述了用现有的光电导衰减法测单晶硅锭中少子寿命计算公式存在的问题。对此提出了相应的改进公式。用改进公式算出的值与实验测得的数据基本一致。
关键词
硅锭
少子寿命
硅
计算
下载PDF
职称材料
题名
硅锭中少子寿命的计算公式
1
作者
陈学全
罗耀煌
机构
云南大学物理系
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1995年第4期330-334,共5页
文摘
论述了用现有的光电导衰减法测单晶硅锭中少子寿命计算公式存在的问题。对此提出了相应的改进公式。用改进公式算出的值与实验测得的数据基本一致。
关键词
硅锭
少子寿命
硅
计算
Keywords
lifetime
of
minority
carriers
silicon
ingot
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
发文年
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操作
1
硅锭中少子寿命的计算公式
陈学全
罗耀煌
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1995
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