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Ti掺杂LiZnAs的电子结构和磁学性能
被引量：
2
1
作者
王满富
何明
+2 位作者
崔岩
陶华龙
张志华
《大连交通大学学报》
CAS
2022年第1期68-72,共5页
通过采用第一性原理计算,研究Ti不同掺杂位置对LiZnAs电子结构和磁学性能的影响.在Ti原子附近,随机位置添加Li间隙原子,进而为掺杂体系引入电子载流子,研究电子载流子对掺杂体系磁稳定性的影响.结果表明:Li(ZnTi)As体系的磁性起源于p-d...
通过采用第一性原理计算,研究Ti不同掺杂位置对LiZnAs电子结构和磁学性能的影响.在Ti原子附近,随机位置添加Li间隙原子,进而为掺杂体系引入电子载流子,研究电子载流子对掺杂体系磁稳定性的影响.结果表明:Li(ZnTi)As体系的磁性起源于p-d杂化作用,p-d杂化导致Ti-3d电子自旋极化.掺杂组态的磁矩主要由Ti原子提供,其中最近邻掺杂组态Ti提供的原子磁矩最大为1.90μ_(B).Li(ZnTi)As体系的基态为铁磁稳定,Ti离子间通过双交换作用发生铁磁耦合.Li间隙原子属于n型掺杂,为掺杂体系提供电子载流子.巡游的载流子有助于磁性离子之间的电子交换,体系的铁磁稳定性增强.
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关键词
第一性原理计算
电子结构
磁学性能
liznas
电子载流子
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职称材料
新型稀磁半导体Mn掺杂LiZnAs的第一性原理研究
被引量：
10
2
作者
王爱玲
毋志民
+2 位作者
王聪
胡爱元
赵若禺
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第13期444-452,共9页
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,对纯LiZnAs,Mn掺杂的LiZnAs,Li过量和不足下Mn掺杂的LiZnAs体系进行几何结构优化,计算并对比分析了体系的电子结构、半金属性、光学性质及形成能.结果表明新型稀磁半导体Li(Zn0.875...
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,对纯LiZnAs,Mn掺杂的LiZnAs,Li过量和不足下Mn掺杂的LiZnAs体系进行几何结构优化,计算并对比分析了体系的电子结构、半金属性、光学性质及形成能.结果表明新型稀磁半导体Li(Zn0.875Mn0.125)As,Li1.1(Zn0.875Mn0.125)As和Li0.9(Zn0.875Mn0.125)As均表现为100%自旋注入,材料均具有半金属性,Li过量和不足下体系的半金属性明显增强.Li过量可以提高体系的居里温度,改善材料的导电性,使体系的形成能降低.说明LiZnAs半导体可以实现自旋和电荷注入机理的分离,磁性和电性可以分别通过Mn的掺入和Li的含量进行调控.进一步对比分析光学性质发现,低能区的介电函数虚部和复折射率函数明显受到Li的化学计量数的影响.
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关键词
掺杂电子结构光学性质第一性原理
原文传递
GaN基和LiZnAs基稀磁半导体的研究进展
被引量：
2
3
作者
王爱玲
毋志民
+1 位作者
王聪
赵若禺
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第15期113-118,共6页
综述了稀磁半导体及其研究进展,阐述了提高居里温度的方法。从晶体结构、材料的研究现状和待解决的问题几个方面详述了以GaN为代表的传统的Ⅲ-Ⅴ族基和LiZnAs为代表的新型Ⅰ-Ⅱ-Ⅴ族基两类稀磁半导体的基本特点,并展望了今后的研究重点...
综述了稀磁半导体及其研究进展,阐述了提高居里温度的方法。从晶体结构、材料的研究现状和待解决的问题几个方面详述了以GaN为代表的传统的Ⅲ-Ⅴ族基和LiZnAs为代表的新型Ⅰ-Ⅱ-Ⅴ族基两类稀磁半导体的基本特点,并展望了今后的研究重点及发展方向。
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关键词
GaN基稀磁半导体
liznas
基新型稀磁半导体居里温度
晶体结构
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职称材料
Cr掺杂LiZnAs稀磁半导体的第一性原理研究
被引量：
1
4
作者
张云丽
朱自强
+3 位作者
李晓川
刘奎立
巫洪章
周小东
《浙江大学学报（理学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第4期429-435,共7页
采用第一性原理研究了Li过量情况下Cr掺杂LiZnAs体系(Li_(1.1)(Zn_(1-x)Cr_x)As)(x=0.1)的稳定构型、磁性来源以及电子结构.首先,通过比较不同构型下Cr掺杂LiZnAs稀磁半导体体系得到稳定构型的能量,发现一定的Li过量、Cr掺杂浓度下,当...
采用第一性原理研究了Li过量情况下Cr掺杂LiZnAs体系(Li_(1.1)(Zn_(1-x)Cr_x)As)(x=0.1)的稳定构型、磁性来源以及电子结构.首先,通过比较不同构型下Cr掺杂LiZnAs稀磁半导体体系得到稳定构型的能量,发现一定的Li过量、Cr掺杂浓度下,当掺杂的Cr原子之间的初始距离一定时,过剩的Li空位之间的距离对其构型稳定性有较大影响;其次,分析了Cr掺杂LiZnAs的磁性来源,发现其磁性主要来源于Cr原子的3d轨道;最后,研究了Cr掺杂LiZnAs体系的电子结构,结果显示Cr掺杂LiZnAs体系的电子结构具有稀磁半导体特性.
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关键词
Cr掺杂
liznas
第一性原理
磁性特征
电子结构
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职称材料
题名
Ti掺杂LiZnAs的电子结构和磁学性能
被引量：
2
1
作者
王满富
何明
崔岩
陶华龙
张志华
机构
大连交通大学材料科学与工程学院
大连民族大学物理与材料工程学院
出处
《大连交通大学学报》
CAS
2022年第1期68-72,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(51872034,52072058,51722205)
辽宁省科学技术研究计划资助项目(2020JH2/10100012)
+2 种基金
辽宁省兴辽计划资助项目(XLYC1807173)
国家民族事务委员会新能源与稀土资源利用重点实验室课题资助项目(NERE201905)
大连市技术创新基金资助项目(2020JJ26GX043)。
文摘
通过采用第一性原理计算,研究Ti不同掺杂位置对LiZnAs电子结构和磁学性能的影响.在Ti原子附近,随机位置添加Li间隙原子,进而为掺杂体系引入电子载流子,研究电子载流子对掺杂体系磁稳定性的影响.结果表明:Li(ZnTi)As体系的磁性起源于p-d杂化作用,p-d杂化导致Ti-3d电子自旋极化.掺杂组态的磁矩主要由Ti原子提供,其中最近邻掺杂组态Ti提供的原子磁矩最大为1.90μ_(B).Li(ZnTi)As体系的基态为铁磁稳定,Ti离子间通过双交换作用发生铁磁耦合.Li间隙原子属于n型掺杂,为掺杂体系提供电子载流子.巡游的载流子有助于磁性离子之间的电子交换,体系的铁磁稳定性增强.
关键词
第一性原理计算
电子结构
磁学性能
liznas
电子载流子
Keywords
first-principle calculations
electronic structure
magnetic properties
liznas
electronic carrier
分类号
O469 [理学—凝聚态物理]
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职称材料
题名
新型稀磁半导体Mn掺杂LiZnAs的第一性原理研究
被引量：
10
2
作者
王爱玲
毋志民
王聪
胡爱元
赵若禺
机构
重庆师范大学物理与电子工程学院
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第13期444-452,共9页
基金
国家自然科学基金(批准号:612011119)
教育部科学技术重点项目(批准号:211152)
+1 种基金
重庆市教委科技项目(批准号:KJ110634)
重庆市高校创新团队项目(批准号:201013)资助的课题~~
文摘
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,对纯LiZnAs,Mn掺杂的LiZnAs,Li过量和不足下Mn掺杂的LiZnAs体系进行几何结构优化,计算并对比分析了体系的电子结构、半金属性、光学性质及形成能.结果表明新型稀磁半导体Li(Zn0.875Mn0.125)As,Li1.1(Zn0.875Mn0.125)As和Li0.9(Zn0.875Mn0.125)As均表现为100%自旋注入,材料均具有半金属性,Li过量和不足下体系的半金属性明显增强.Li过量可以提高体系的居里温度,改善材料的导电性,使体系的形成能降低.说明LiZnAs半导体可以实现自旋和电荷注入机理的分离,磁性和电性可以分别通过Mn的掺入和Li的含量进行调控.进一步对比分析光学性质发现,低能区的介电函数虚部和复折射率函数明显受到Li的化学计量数的影响.
关键词
掺杂电子结构光学性质第一性原理
Keywords
Mn-doped
liznas
, electronic structures, optical properties, first-principle
分类号
O469 [理学—凝聚态物理]
原文传递
题名
GaN基和LiZnAs基稀磁半导体的研究进展
被引量：
2
3
作者
王爱玲
毋志民
王聪
赵若禺
机构
重庆师范大学物理与电子工程学院
重庆市光电功能材料重点实验室
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第15期113-118,共6页
基金
国家自然科学基金(612011119)
教育部科学技术重点项目(211152)
+1 种基金
重庆市教委科技项目(KJ110634)
重庆市高校创新团队项目(201013)
文摘
综述了稀磁半导体及其研究进展,阐述了提高居里温度的方法。从晶体结构、材料的研究现状和待解决的问题几个方面详述了以GaN为代表的传统的Ⅲ-Ⅴ族基和LiZnAs为代表的新型Ⅰ-Ⅱ-Ⅴ族基两类稀磁半导体的基本特点,并展望了今后的研究重点及发展方向。
关键词
GaN基稀磁半导体
liznas
基新型稀磁半导体居里温度
晶体结构
Keywords
diluted magnetic semiconductor based on GaN, diluted magnetic semiconductor based on
liznas
,Curie temperature, crystal structure
分类号
TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]
O472 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
Cr掺杂LiZnAs稀磁半导体的第一性原理研究
被引量：
1
4
作者
张云丽
朱自强
李晓川
刘奎立
巫洪章
周小东
机构
周口师范学院物理与电信工程学院
周口师范学院稀土功能材料及应用实验室
周口师范学院机械与电气工程学院
出处
《浙江大学学报（理学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第4期429-435,共7页
基金
国家自然科学基金资助项目(11405280)
河南省科技攻关计划项目(162102210129)
周口师范学院2016年度科研创新基金资助项目(zknuA201603)
文摘
采用第一性原理研究了Li过量情况下Cr掺杂LiZnAs体系(Li_(1.1)(Zn_(1-x)Cr_x)As)(x=0.1)的稳定构型、磁性来源以及电子结构.首先,通过比较不同构型下Cr掺杂LiZnAs稀磁半导体体系得到稳定构型的能量,发现一定的Li过量、Cr掺杂浓度下,当掺杂的Cr原子之间的初始距离一定时,过剩的Li空位之间的距离对其构型稳定性有较大影响;其次,分析了Cr掺杂LiZnAs的磁性来源,发现其磁性主要来源于Cr原子的3d轨道;最后,研究了Cr掺杂LiZnAs体系的电子结构,结果显示Cr掺杂LiZnAs体系的电子结构具有稀磁半导体特性.
关键词
Cr掺杂
liznas
第一性原理
磁性特征
电子结构
Keywords
Cr doped
liznas
system
the first principles
magnetic characteristics
the electronic structure
分类号
O411.3 [理学—理论物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Ti掺杂LiZnAs的电子结构和磁学性能
王满富
何明
崔岩
陶华龙
张志华
《大连交通大学学报》
CAS
2022
2
下载PDF
职称材料
2
新型稀磁半导体Mn掺杂LiZnAs的第一性原理研究
王爱玲
毋志民
王聪
胡爱元
赵若禺
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
10
原文传递
3
GaN基和LiZnAs基稀磁半导体的研究进展
王爱玲
毋志民
王聪
赵若禺
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
2
下载PDF
职称材料
4
Cr掺杂LiZnAs稀磁半导体的第一性原理研究
张云丽
朱自强
李晓川
刘奎立
巫洪章
周小东
《浙江大学学报（理学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2018
1
下载PDF
职称材料
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