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Ce^(3+)激活的LiSrBO_3材料发光特性及晶体学格位研究 被引量：7
1
作者 李盼来 王志军 +2 位作者 王颖 杨志平 郭庆林 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第8期1487-1491,共5页
采用固相法制备了蓝白色LiSrBO3∶Ce3+材料.测得LiSrBO3∶Ce3+材料的发射光谱为一个主峰位于436 nm的非对称单峰宽谱;监测436 nm发射峰时所得材料的激发光谱为一个主峰位于369 nm的宽谱.利用Van Uitert公式计算了Ce3+取代LiSrBO3中Sr时... 采用固相法制备了蓝白色LiSrBO3∶Ce3+材料.测得LiSrBO3∶Ce3+材料的发射光谱为一个主峰位于436 nm的非对称单峰宽谱;监测436 nm发射峰时所得材料的激发光谱为一个主峰位于369 nm的宽谱.利用Van Uitert公式计算了Ce3+取代LiSrBO3中Sr时所占晶体学格位,得出433 nm发射带归属于九配位的Ce3+发射,469 nm发射带起源于八配位的Ce3+发射.研究了Ce3+浓度对LiSrBO3∶Ce3+材料发光强度的影响,研究结果显示,随着Ce3+浓度的增大,发光强度呈现先增大后减小的趋势,在Ce3+摩尔分数为3%时到达峰值,根据Dexter理论,其浓度猝灭机理为电偶极-偶极相互作用.引入Li+,Na+和K+作为电荷补偿剂时发现,LiSrBO3∶Ce3+材料的发射光谱强度均得到了明显的增强.利用InGaN管芯(370 nm)激发LiSrBO3∶Ce3+材料时,获得了很好的蓝白光发射,色坐标为(x=0.289,y=0.293). 展开更多
关键词 白光LED lisrbo3∶ce3+ 晶体学格位 发光特性
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