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LiNbO_3/SiO_2/Si薄膜的蓝光发射 被引量：1
1
作者 刘技文 刘莹 +3 位作者 张澎丽 赵捷 马永昌 安玉凯 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第8期1063-1066,共4页
采用射频磁控溅射方法制备了LiNbO3/SiO2/Si薄膜。通过X射线衍射(XRD)、电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)和傅立叶变换红外吸收光谱(FT-IR)对薄膜的物相、晶体取向和成分进行了表征。采用荧光分光光度计研究了LiNbO3/SiO2/Si薄膜的光致发... 采用射频磁控溅射方法制备了LiNbO3/SiO2/Si薄膜。通过X射线衍射(XRD)、电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)和傅立叶变换红外吸收光谱(FT-IR)对薄膜的物相、晶体取向和成分进行了表征。采用荧光分光光度计研究了LiNbO3/SiO2/Si薄膜的光致发光。研究结果表明:在280 nm激发光的激发下,LiNbO3/SiO2/Si薄膜在室温下发射470 nm的蓝光,来源于LiNbO3薄膜与SiO2层界面处自捕获激子的辐射复合,发现在SiO2/Si薄膜上生长LiNbO3薄膜调制SiO2/Si薄膜的发光机制。 展开更多
关键词 linbo3/sio2/si薄膜 sio2层 光致发光
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