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Laser-direct-writing of 3D self-supported NiS2/MoS2 heterostructures as an efficient electrocatalyst for hydrogen evolution reaction in alkaline and neutral electrolytes 被引量:9
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作者 Peng-Fei Cheng Ting Feng +2 位作者 Zi-Wei Liu De-Yao Wu Jing Yang 《Chinese Journal of Catalysis》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第8期1147-1152,共6页
Searching for low-cost widely applicable electrocatalysts for hydrogen production is very important. Here, 3D self-supported NiS2/MoS2 heterostructures were synthesized via a one-step millisecond- laser-direct-writing... Searching for low-cost widely applicable electrocatalysts for hydrogen production is very important. Here, 3D self-supported NiS2/MoS2 heterostructures were synthesized via a one-step millisecond- laser-direct-writing method;these structures exhibited excellent hydrogen evolution reaction activities over a wide pH range. The current density of 10 mA cm^-2 could be reached at low overpotentials of 98 and 159 mV in alkaline and neutral electrolytes, respectively. Such an outstanding electrocatalytic performance should be attributed to the integration of the 3D self-supported nanostructures, the high conductivity of the framework, and particularly, the incalculable heterointerfaces formed between NiS2 and MoS2. This work provides a new strategy to study interfacial engineering and the mechanism of interface enhancement. 展开更多
关键词 HETEROSTRUCTURE Hydrogen evolution reaction laser-direct-writing
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激光直写CdS/Graphene的氨基甲酸乙酯分子印迹光电化学传感器
2
作者 林歆彤 赖紫萱 +4 位作者 雷宇芬 朱金满 邱桢丽 陈毅挺 叶晓霞 《井冈山大学学报(自然科学版)》 2024年第2期28-35,共8页
将分子印迹(Molecular Imprinting Polymer)和光电化学(Photoelectrochemical)传感器相结合,并利用激光直写技术生成CdS/Graphene,构建氨基甲酸乙酯分子印迹光电化学传感器。利用溶液聚合法制备氨基甲酸乙酯分子印迹聚合物,探究了分子... 将分子印迹(Molecular Imprinting Polymer)和光电化学(Photoelectrochemical)传感器相结合,并利用激光直写技术生成CdS/Graphene,构建氨基甲酸乙酯分子印迹光电化学传感器。利用溶液聚合法制备氨基甲酸乙酯分子印迹聚合物,探究了分子印迹聚合物中各组分的摩尔比等因素对氨基甲酸乙酯的光电流信号的影响。实验结果表明,所设计的传感器对氨基甲酸乙酯浓度在0.0001~0.0075 mmol/L之间呈现良好的线性关系,检测限为0.08μmol/L,且其线性相关系数R^(2)为0.99184。 展开更多
关键词 分子印迹 光电化学传感器 激光直写 氨基甲酸乙酯
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High-definition colorful perovskite narrowband photodetector array enabled by laser-direct-writing 被引量:3
3
作者 Xiaobao Xu Yuhang Dong +8 位作者 Yuanzhou Zhang Zeyao Han Jiaxin Liu Dejian Yu Yi Wei Yousheng Zou Bo Huang Jun Chen Haibo Zeng 《Nano Research》 SCIE EI CSCD 2022年第6期5476-5482,共7页
Narrowband photodetectors as specific spectral sensing pixels have drawn intense attention in multispectral detection due to their distinct characteristic of filter-free spectrum discrimination,in which the emerging h... Narrowband photodetectors as specific spectral sensing pixels have drawn intense attention in multispectral detection due to their distinct characteristic of filter-free spectrum discrimination,in which the emerging halide lead perovskites witness a booming development in their performance and wavelength-selectivity from blue to near-infrared light.However,the challenge in integrating perovskite narrowband photodetectors on one chip imposes an impediment on practical application.In this work,the combination of laser-direct-writing and ion exchange is proposed as an efficient way to fabricate high-definition colorful sensing array with perovskite narrowband photodetector unit as pixel.Under laser irradiation,the photolysis of halocarbon solvent(CHCl_(3),CH_(3)CH_(2)I,etc)releases the halide ions,which brings the ion exchange and gives rise to slow-varying bandgap in single perovskite photoactive film.This ion exchange can be controlled via laser irradiation time and focus point,thus enabling precisely engineerable bandgap.By optimizing the process,it is successfully applied to develop patterned perovskite narrow blue and green photodetectors array with a high-definition of~53 ppi.We believe this result will make a great step forward to integrate multifunctional perovskite devices on one chip,which will pave the way for perovskite optoelectronic device to the commercial application. 展开更多
关键词 photodetector NARROWBAND imaging array laser-direct-writing PEROVSKITE
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激光直写布线技术的现状与展望 被引量:20
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作者 刘敬伟 曾晓雁 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2001年第6期15-18,共4页
本文归纳了激光直写布线技术的特点 ,重点综述了该技术在电子线路板的应用及在国内外发展的现状 ,并展望了激光直写技术的应用前景。
关键词 激光直写 电子线路板 布线技术
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离焦激光直写光刻工艺研究 被引量:18
5
作者 李凤友 卢振武 +3 位作者 谢永军 张殿文 裴苏 赵晶丽 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第9期850-854,共5页
采用理论计算和光线追迹分析了激光直写光刻中离焦对写入焦斑光场分布的影响;使用四轴激光直写设备开展了离焦激光直写光刻工艺实验,实验和理论计算及光线追迹的结果吻合得很好。利用离焦激光直写光刻方法制作了光栅和分划版,测得实验... 采用理论计算和光线追迹分析了激光直写光刻中离焦对写入焦斑光场分布的影响;使用四轴激光直写设备开展了离焦激光直写光刻工艺实验,实验和理论计算及光线追迹的结果吻合得很好。利用离焦激光直写光刻方法制作了光栅和分划版,测得实验结果达到工艺要求。 展开更多
关键词 激光直写光刻 离焦写入 四轴激光直写系统
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激光直写光刻中线条轮廓的分析 被引量:20
6
作者 李凤有 谢永军 +3 位作者 孙强 曹召良 卢振武 王肇圻 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期136-139,共4页
考虑了光刻胶对光吸收作用 ,在已有描述胶层内光场分布模型的基础上 ,较为准确地推导出光刻胶层内不同深度位置的光场分布 使用迭代方法计算得到了胶层内曝光量空间分布曲线 ,分析了不同曝光量下胶层内的线条轮廓 ,为直写光刻中曝光量... 考虑了光刻胶对光吸收作用 ,在已有描述胶层内光场分布模型的基础上 ,较为准确地推导出光刻胶层内不同深度位置的光场分布 使用迭代方法计算得到了胶层内曝光量空间分布曲线 ,分析了不同曝光量下胶层内的线条轮廓 ,为直写光刻中曝光量的选择提供了依据 展开更多
关键词 激光直写光刻 曝光量 线条轮廓
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激光直写技术的研究现状及其进展 被引量:11
7
作者 徐兵 魏国军 陈林森 《光电子技术与信息》 2004年第6期1-5,共5页
介绍了激光直写技术的最新发展现状,系统的功能、结构和工作方式,对当前该系统存在的一些问题进行了归纳分析,探讨了系统的应用范围和今后的发展方向。
关键词 激光直写 二元光学元件 光刻 空间光调制器 光变图像
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一种二元整形元件激光直写方法的实验研究 被引量:15
8
作者 陈林森 邵洁 +3 位作者 王雪辉 徐兵 解剑峰 沈雁 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期346-349,共4页
为了实现具有复杂位相结构的二元光束整形元件,提出了采用方光点的激光直写系统来逐点光刻浮雕位相结构的方法,通过双远心投影缩微光路获得5~20 μm方点,光点尺寸对应于最小位相单元,从而获得了位相结构的高质量直写. 分析了高斯光点... 为了实现具有复杂位相结构的二元光束整形元件,提出了采用方光点的激光直写系统来逐点光刻浮雕位相结构的方法,通过双远心投影缩微光路获得5~20 μm方点,光点尺寸对应于最小位相单元,从而获得了位相结构的高质量直写. 分析了高斯光点和方光点位相单元结构对二元整形元件衍射效率的影响,方形两台阶二元整形元件的+1级衍射效率达到31%,给出了实验结果. 展开更多
关键词 二元光学 衍射 位相编码 激光直写
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一种激光微细熔覆直写布线的新技术 被引量:11
9
作者 祁小敬 刘敬伟 +1 位作者 李祥友 曾晓雁 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第7期883-887,共5页
激光直写技术因其不需要掩模就可以在绝缘基板表面直接制备各种高精度、复杂形状的导电层而受到广泛重视。但是 ,布线速度过低和工艺复杂一直是阻碍该技术工业化应用的瓶颈。提出了一种以导电金属粒子、有机成膜物质构成的复合导电浆料... 激光直写技术因其不需要掩模就可以在绝缘基板表面直接制备各种高精度、复杂形状的导电层而受到广泛重视。但是 ,布线速度过低和工艺复杂一直是阻碍该技术工业化应用的瓶颈。提出了一种以导电金属粒子、有机成膜物质构成的复合导电浆料为熔覆物质 ,以有机环氧板为绝缘基板 ,采用CO2 激光加热直接制备线路板的新工艺、新方法。所布导线宽度为 35 0 μm ,布线速率为 2~ 2 0mm/s,所用的激光功率为 0~ 2 0W ,光斑直径约为 10 0μm。系统研究了激光直写导电层的组织结构特征、导线与基板的结合强度以及导线导电率的变化特征。结果表明 ,激光微细熔覆直写布线层与基材结合牢固 ,所布导线的电阻率与导电银颗粒的体积分数及激光功率的大小有关 ,工艺参数与材料配比合适时 ,导线电阻率可以达到 10 -6Ωcm的数量级 ,能够满足工业应用的要求。最后 ,对普通环氧树脂板下激光微细熔覆金属导电浆料直写导线时导线的形成机理和导电机理进行了分析。 展开更多
关键词 激光技术 激光直写 微细熔覆 导电浆料 导线
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基于边缘光抑制技术的双光束激光直写纳米光刻系统 被引量:12
10
作者 周国尊 何敏菲 +5 位作者 杨臻垚 曹春 谢飞 曹耀宇 匡翠方 刘旭 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第2期1-11,共11页
利用边缘光抑制技术,设计并研制了一套双光束激光三维直写光刻系统。该系统含有高速扫描振镜和三维纳米压电平台两组扫描机构,可以根据不同加工需求完成多种扫描模式下的微纳结构制造。分析了光刻光束中激发光与抑制光的能量变化对加工... 利用边缘光抑制技术,设计并研制了一套双光束激光三维直写光刻系统。该系统含有高速扫描振镜和三维纳米压电平台两组扫描机构,可以根据不同加工需求完成多种扫描模式下的微纳结构制造。分析了光刻光束中激发光与抑制光的能量变化对加工精度的影响,通过对光刻光束能量的精确控制,实现了基板表面最小线宽为64 nm的均匀线条和线宽为30 nm的悬浮线的稳定加工,加工结构的线宽变化符合理论预期。该系统在进行实用器件加工时,最高加工产率可达到0.6 mm;/min。使用该系统加工制造了多种微纳结构,证实了其具备加工大深宽比周期结构、复杂曲线结构和不规则三维结构的能力。 展开更多
关键词 激光技术 光学制造 受激发射损耗 激光直写 微纳光学器件
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飞秒激光光镊直写银微纳结构 被引量:12
11
作者 陈忠贇 方淦 +4 位作者 曹良成 付芸 曹洪忠 姜肇国 段宣明 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第4期178-183,共6页
利用800nm飞秒激光光镊捕获了水中分散的银纳米颗粒,在玻璃基片表面直写银线,通过调控激光参数研究了激光功率对银线线宽及表面形貌的影响,实现了线宽为378nm的银线直写。经过测试,直写的银线电阻率为固体银的19.88倍。此外,还利用该方... 利用800nm飞秒激光光镊捕获了水中分散的银纳米颗粒,在玻璃基片表面直写银线,通过调控激光参数研究了激光功率对银线线宽及表面形貌的影响,实现了线宽为378nm的银线直写。经过测试,直写的银线电阻率为固体银的19.88倍。此外,还利用该方法制备了银二维网格结构,体现了该技术在二维结构直写方面的良好加工能力。 展开更多
关键词 激光技术 激光直写 光镊 飞秒激光 银微纳结构
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Laser-Assisted Reduction of Highly Conductive Circuits Based on Copper Nitrate for Flexible Printed Sensors 被引量:11
12
作者 Shi Bai Shigang Zhang +4 位作者 Weiping Zhou Delong Ma Ying Ma Pooran Joshi Anming Hu 《Nano-Micro Letters》 SCIE EI CAS 2017年第4期49-61,共13页
Stretchable electronic sensing devices are defining the path toward wearable electronics. High-performance flexible strain sensors attached on clothing or human skin are required for potential applications in the ente... Stretchable electronic sensing devices are defining the path toward wearable electronics. High-performance flexible strain sensors attached on clothing or human skin are required for potential applications in the entertainment,health monitoring, and medical care sectors. In this work,conducting copper electrodes were fabricated onpolydimethylsiloxane as sensitive stretchable microsensors by integrating laser direct writing and transfer printing approaches. The copper electrode was reduced from copper salt using laser writing rather than the general approach of printing with pre-synthesized copper or copper oxide nanoparticles. An electrical resistivity of 96 l X cm was achieved on 40-lm-thick Cu electrodes on flexible substrates. The motion sensing functionality successfully demonstrated a high sensitivity and mechanical robustness.This in situ fabrication method leads to a path toward electronic devices on flexible substrates. 展开更多
关键词 laser direct writing Copper circuit Stretchable sensor laser reduction
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二元光学器件激光直写技术的研究进展 被引量:7
13
作者 颜树华 戴一帆 +1 位作者 吕海宝 李圣怡 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期159-162,共4页
二元光学器件的激光直写技术可克服传统的半导体工艺 (掩模套刻法或多次沉积薄膜法 )所带来的加工环节多、对准精度难以控制、周期长、成本高等问题 ,可进一步提高二元光学器件的制作精度和衍射效率。分析了二元光学器件激光直写的基本... 二元光学器件的激光直写技术可克服传统的半导体工艺 (掩模套刻法或多次沉积薄膜法 )所带来的加工环节多、对准精度难以控制、周期长、成本高等问题 ,可进一步提高二元光学器件的制作精度和衍射效率。分析了二元光学器件激光直写的基本原理 ,对已有的各种激光直写方法和最新研究成果进行了综述 。 展开更多
关键词 二元光学 激光直写 变灰度掩模法
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基于超精密激光直写系统制作二维光栅 被引量:13
14
作者 李民康 向显嵩 +5 位作者 周常河 韦春龙 贾伟 项长铖 鲁云开 朱世曜 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第9期38-46,共9页
二维光栅是光刻机光栅尺系统的核心元件。搭建了超精密激光直写系统,基于二维超精密工件台,通过旋转基片90°进行两次曝光,制作出栅线密度为1200 line/mm的二维光栅掩模。原子力显微镜和扫描电镜结果表明,所制作的掩模轮廓清晰,空... 二维光栅是光刻机光栅尺系统的核心元件。搭建了超精密激光直写系统,基于二维超精密工件台,通过旋转基片90°进行两次曝光,制作出栅线密度为1200 line/mm的二维光栅掩模。原子力显微镜和扫描电镜结果表明,所制作的掩模轮廓清晰,空间分布均匀。实验结果证明了超精密激光直写系统能够制作出二维光栅掩模,在制作大尺寸、高精度二维计量光栅方面有着广阔的应用前景。 展开更多
关键词 光栅 超精密系统 激光直写 栅距测量
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激光直接写入工艺的研究 被引量:5
15
作者 李凤友 卢振武 +4 位作者 张殿文 李红军 赵晶丽 丛小杰 翁志成 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第9期949-952,共4页
本文介绍了四轴激光直接写入系统 ,对激光直接在光刻胶上写入图形的工艺进行了研究 ,讨论了在不同离焦情况下 ,胶层内光斑的大小和强度分布 ,采用离焦的方法在光刻胶上刻画了周期为 2 0μm的线光栅和线宽为 10 μm的分划板 。
关键词 激光直接写入 离焦 光刻
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激光直写邻近效应的校正 被引量:11
16
作者 杜惊雷 黄奇忠 +4 位作者 姚军 张怡霄 郭永康 邱传凯 崔铮 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第7期953-957,共5页
邻近效应是限制光刻系统分辨力的一个重要因素,它也限制了激光直写在亚微米和亚半微米光刻中的应用。分析了激光直写邻近效应产生的原因,指出它和电子束直写及投影光刻的区别,提出了一种简便有效的邻近校正方法。实验表明,通过光学... 邻近效应是限制光刻系统分辨力的一个重要因素,它也限制了激光直写在亚微米和亚半微米光刻中的应用。分析了激光直写邻近效应产生的原因,指出它和电子束直写及投影光刻的区别,提出了一种简便有效的邻近校正方法。实验表明,通过光学邻近校正(OPC),利用微米级激光直写系统,制作出了0. 展开更多
关键词 激光直写 亚微米 邻近效应 光学邻近校正 光刻
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激光直接写入过程的计算机仿真研究 被引量:6
17
作者 周光亚 陈益新 +1 位作者 王宗光 杨国光 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第2期277-282,共6页
基于光刻胶正胶曝光显影过程的理论模型,用梯度折射率介质光线追迹的方法进行了由于局部溶解速率不同而造成的显影过程中胶面面形随时间变化过程的计算。对任意给定的曝光量分布及显影时间,可以精确地确定显影后的面形,为激光直写研... 基于光刻胶正胶曝光显影过程的理论模型,用梯度折射率介质光线追迹的方法进行了由于局部溶解速率不同而造成的显影过程中胶面面形随时间变化过程的计算。对任意给定的曝光量分布及显影时间,可以精确地确定显影后的面形,为激光直写研究提供了一种有效的工具。同时,通过对显影速率作阈值近似后,导出了光刻胶曝光显影后面形与表面所需曝光量分布之间的关系,为激光直接写入提供了理论指导。 展开更多
关键词 衍射光学 激光直接写入 计算机仿真
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基于飞秒激光的高速双光子刻写技术 被引量:7
18
作者 杨顺华 丁晨良 +4 位作者 朱大钊 杨臻垚 刘勇 匡翠方 刘旭 《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2023年第3期34-55,共22页
基于飞秒激光的双光子聚合(two-photon polymerization,TPP)加工技术一直是三维微纳加工技术中的研究热点。随着生命科学、材料工程、微纳光学等领域对复杂、大面积微型三维器件制备需求的提升,TPP加工效率不足的问题日益严重,加工时间... 基于飞秒激光的双光子聚合(two-photon polymerization,TPP)加工技术一直是三维微纳加工技术中的研究热点。随着生命科学、材料工程、微纳光学等领域对复杂、大面积微型三维器件制备需求的提升,TPP加工效率不足的问题日益严重,加工时间过长不仅造成加工结构的不稳定,更是严重阻碍这些重要三维器件的进一步推广应用。本文以TPP加工效率提升方面的研究工作为主线,分别从单光束刻写、并行多光束刻写、面曝光和体曝光四个方式进行总结与对比,阐述相应的光学系统设计、刻写策略、刻写精度与通量等方面的研究情况,总结各种技术的优势与劣势,同时展望未来发展趋势。 展开更多
关键词 飞秒激光直写 双光子光刻 单光束扫描 多焦点并行 面曝光 体曝光
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采用DMD并行输入的激光干涉直写方法 被引量:11
19
作者 吴智华 周小红 +2 位作者 魏国军 邵洁 陈林森 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2008年第5期424-428,共5页
基于HoloMaker-IV激光干涉直写系统的数字微反射镜(digital micro-mirror device,DMD)并行输入光刻方式,提出了根据图形特性的智能边界处理,实现了超高分辨率图像的高效激光直写干涉光刻。通过DMD输入图形与系统干涉控制参数相互匹配处... 基于HoloMaker-IV激光干涉直写系统的数字微反射镜(digital micro-mirror device,DMD)并行输入光刻方式,提出了根据图形特性的智能边界处理,实现了超高分辨率图像的高效激光直写干涉光刻。通过DMD输入图形与系统干涉控制参数相互匹配处理的方式对256色位图进行了图形格式转换,从而支持2D/3D,3D光变图像以及各种微图形文字的处理,为高效率制作高品质光变图像提供了新方法。实验表明:在2400DPI分辨率下,该方法比传统逐点光刻法的运行效率提高90倍。给出了高质量的实验结果。 展开更多
关键词 并行激光直写 图像处理软件 数字光变图像
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硅基光子晶体板的光刻和反应离子刻蚀 被引量:7
20
作者 张磊 张晓玉 +4 位作者 张福甲 姚汉民 杜春雷 刘强 潘莉 《光电工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期1-3,7,共4页
用光刻和反应离子刻蚀的方法对硅材料光子晶体板的制作进行了研究。实验发现,与激光 直写曝光相比,光刻曝光更有利于胶上图形的陡直度。扫描电子显微镜测试表明,反应离子刻蚀后得到深3.3μm,晶格周期10.95μm,占空比50%的孔状光子晶体... 用光刻和反应离子刻蚀的方法对硅材料光子晶体板的制作进行了研究。实验发现,与激光 直写曝光相比,光刻曝光更有利于胶上图形的陡直度。扫描电子显微镜测试表明,反应离子刻蚀后得到深3.3μm,晶格周期10.95μm,占空比50%的孔状光子晶体板结构,孔的陡直度保持较好,基本满足设计要求。 展开更多
关键词 光子晶体 光刻 离子蚀刻 激光直写 扫描电子显微镜
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