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LaSrGaO_4:Cu^(2+)晶体电子顺磁共振参量和缺陷结构的研究
被引量：
3
1
作者
冯文林
刘虹刚
方旺
《四川大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第3期666-668,共3页
采用3d9离子在四角对称中的高阶微扰公式,计算了LaSrGaO4:Cu2+晶体的电子顺磁共振(EPR)参量g因子g∥,g⊥和超精细结构常数A∥,A⊥.计算结果与实验值较好符合.由于晶体中顺磁杂质中心的EPR参量与其缺陷结构密切相关,本计算还获得了Cu2+...
采用3d9离子在四角对称中的高阶微扰公式,计算了LaSrGaO4:Cu2+晶体的电子顺磁共振(EPR)参量g因子g∥,g⊥和超精细结构常数A∥,A⊥.计算结果与实验值较好符合.由于晶体中顺磁杂质中心的EPR参量与其缺陷结构密切相关,本计算还获得了Cu2+杂质中心缺陷结构的信息.我们对上述结果进行了讨论.
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关键词
电子顺磁共振参量
缺陷结构
^
lasrgao
4
:
cu
^2+
晶体
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职称材料
题名
LaSrGaO_4:Cu^(2+)晶体电子顺磁共振参量和缺陷结构的研究
被引量：
3
1
作者
冯文林
刘虹刚
方旺
机构
重庆工学院数理学院应用物理系
四川大学材料科学系
出处
《四川大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2007年第3期666-668,共3页
基金
重庆工学院科研基金(2005Z077)
文摘
采用3d9离子在四角对称中的高阶微扰公式,计算了LaSrGaO4:Cu2+晶体的电子顺磁共振(EPR)参量g因子g∥,g⊥和超精细结构常数A∥,A⊥.计算结果与实验值较好符合.由于晶体中顺磁杂质中心的EPR参量与其缺陷结构密切相关,本计算还获得了Cu2+杂质中心缺陷结构的信息.我们对上述结果进行了讨论.
关键词
电子顺磁共振参量
缺陷结构
^
lasrgao
4
:
cu
^2+
晶体
Keywords
^
EPR
parameters,
defect
structure,
lasrgao
4
：
cu
^2＋
crystal
分类号
O737 [理学—晶体学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
LaSrGaO_4:Cu^(2+)晶体电子顺磁共振参量和缺陷结构的研究
冯文林
刘虹刚
方旺
《四川大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2007
3
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职称材料
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