La_3Ga_5SiO_(14)单晶的生长、性能及SAW应用 被引量：14

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作者 武安华 徐家跃 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期559-564,共6页

本文综述了新型压电晶体La3 Ga5SiO14 的最新研究进展 ,详细讨论了该晶体的生长问题 ,简单介绍了该晶体的性能及其在SAW和BAW方面的应用 ,分析了该晶体在压电应用方面的优势。

关键词 单晶 应用 SAW la3ga5sio14 Gzochralski LPE 晶体生长 压电性能 声表面波

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La_3Ga_5SiO_(14)晶体生长研究 被引量：1

2

作者 蒋春健 胡少勤 +1 位作者 吴兆刚 李和新 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2003年第2期133-135,共3页

报道了用直接法生长新型压电材料La3Ga5SiO14晶体的研究结果。采用化学计量比La3Ga5SiO14多晶料,铂丝引出晶种,中频感应加热生长晶体。对晶体生长的温场及其相应的拉速和转速进行了研究,生长出 50mm×140mm的La3Ga5SiO14晶体,并测... 报道了用直接法生长新型压电材料La3Ga5SiO14晶体的研究结果。采用化学计量比La3Ga5SiO14多晶料,铂丝引出晶种,中频感应加热生长晶体。对晶体生长的温场及其相应的拉速和转速进行了研究,生长出 50mm×140mm的La3Ga5SiO14晶体,并测试了部分压电性能。 展开更多

关键词 la3ga5sio14 晶体 直拉法 压电性能

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零声表面波频率温度系数方向的硅酸镓镧晶体生长

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作者 张健 王继扬 +3 位作者 于永贵 张怀金 王春雷 丛恒将 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期379-383,400,共6页

采用提拉法生长了高质量、大尺寸、结构完整的声表面波零温度系数切向LGS晶体。XRD图谱显示,生长的晶体为单一相LGS晶体,晶格常数为a=0.816274 nm,c=0.509253 nm,密度为5.7463 g/cm3。压电常数、介电常数、热膨胀性能等与传统方向生长... 采用提拉法生长了高质量、大尺寸、结构完整的声表面波零温度系数切向LGS晶体。XRD图谱显示,生长的晶体为单一相LGS晶体,晶格常数为a=0.816274 nm,c=0.509253 nm,密度为5.7463 g/cm3。压电常数、介电常数、热膨胀性能等与传统方向生长的晶体一致。用此方向生长的LGS晶体制作声表面波频率温度性能优化的切片,只需要垂直生长方向进行切割,可以大大简化晶体的加工工艺、提高LGS晶体的利用率,节省材料成本。 展开更多

关键词 硅酸镓镧 晶体生长 声表面波 频率温度系数 晶体切割利用率

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La_3Ga_5SiO_(14)晶体压电系数的温度特性 被引量：4

4

作者 赵明磊 王增梅 +3 位作者 袁多荣 王矜奉 王春雷 王渊旭 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期65-69,共5页

测量了(yxf)-30°切La3Ga5SiO14(LGS)晶体30～300℃温度范围内的谐振特性.室温时压电常数d11和d14分别为5.59×10-12C/N和-5.01×10-12C/N.在室温至300℃范围内(yxl)-30°切La3Ga5SiO14晶片厚度切变振动的谐振频率和机... 测量了(yxf)-30°切La3Ga5SiO14(LGS)晶体30～300℃温度范围内的谐振特性.室温时压电常数d11和d14分别为5.59×10-12C/N和-5.01×10-12C/N.在室温至300℃范围内(yxl)-30°切La3Ga5SiO14晶片厚度切变振动的谐振频率和机电耦合系数k′26都随温度升高而升高,因此压电常数d11和d14也随温度升高而略有升高. 展开更多

关键词 谐振特性 晶片 la3ga5sio14晶体 谐振频率 温度特性 压电常数 室温 压电系数 温度范围 振动

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加电旋光晶体La_3Ga_5SiO_(14)中光的传播方程的研究 被引量：2

5

作者 田召兵 张少军 李世忱 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期1539-1542,共4页

为了更好地解决用旋光晶体制作电光Q开关中的问题,需要从理论上对光的传播方程进行研究。通过对硅酸镓镧旋光晶体中电光效应和旋光效应对光的偏振态影响的研究,推导出了处于外加电场中的旋光晶体中光的传播方程的表达式,以及透过光强的... 为了更好地解决用旋光晶体制作电光Q开关中的问题,需要从理论上对光的传播方程进行研究。通过对硅酸镓镧旋光晶体中电光效应和旋光效应对光的偏振态影响的研究,推导出了处于外加电场中的旋光晶体中光的传播方程的表达式,以及透过光强的表达式,并利用几种简单的光学器件在实验上得到了很好的验证。利用光的传播方程和实验的结果,推算出硅酸镓镧晶体电光系数1γ1=2.1×10-12m/V,与以前测量的结果吻合得很好;找到了利用旋光晶体制作电光开关应该满足的条件,给出了一种制作方法,在实验上得到了很好的实现,从而证实了旋光晶体作为电光开关材料的可行性。 展开更多

关键词 激光物理 电光Q开关 旋光晶体 硅酸镓镧晶体

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La_3Ga_5SiO_(14)声光可调谐滤波器设计

6

作者 魏爱俭 王宝林 马跃进 《光学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期74-76,共3页

分析了La3Ga5SiO14(简称LGS)既可以做成同向声光可调谐滤波器,又可以做成大孔径非同向声光可调谐滤波器。推导出超声波频率f和光波波长λo的调谐关系;计算出滤波器的光谱分辨率R和集光能力δiθ;光入射角iθ与衍射角θd、声入射角θa之... 分析了La3Ga5SiO14(简称LGS)既可以做成同向声光可调谐滤波器,又可以做成大孔径非同向声光可调谐滤波器。推导出超声波频率f和光波波长λo的调谐关系;计算出滤波器的光谱分辨率R和集光能力δiθ;光入射角iθ与衍射角θd、声入射角θa之间的关系。为LGS声光可调滤波器的实用化设计提供了充分可靠的理论依据。把LGS与TeO2声光可调滤波器的光谱分辨率和集光能力做了比较,认为LGS设计成同向声光可调谐滤波器既简便又实用。 展开更多

关键词 la3ga5sio14晶体 声光可调谐滤波器 设计

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楔角Nd∶YVO_4晶体电光调Q激光器性能研究 被引量：4

7

作者 张赟珅 陈檬 +2 位作者 庞庆生 常亮 李港 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第10期2456-2459,共4页

通过对自然双折射晶体Nd∶YVO4偏振特性的研究,采用带有楔角的Nd∶YVO4晶体进行电光调Q,腔内可以不加入偏振片,这种设计有简化腔内元件、缩短腔长和降低损耗的优点,可得到更高的功率和更窄的激光脉冲宽度。实验使用尺寸3 mm×3 mm&#... 通过对自然双折射晶体Nd∶YVO4偏振特性的研究,采用带有楔角的Nd∶YVO4晶体进行电光调Q,腔内可以不加入偏振片,这种设计有简化腔内元件、缩短腔长和降低损耗的优点,可得到更高的功率和更窄的激光脉冲宽度。实验使用尺寸3 mm×3 mm×5 mm,10°楔角的Nd∶YVO4晶体,用La3Ga5SiO14晶体作为退压式调Q元件,在1 kHz重复频率下,获得平均输出功率2.2 W,脉冲宽度6.3 ns,光-光转换效率39.2%,峰值功率超过300 kW的激光输出。 展开更多

关键词 激光器 Nd∶YVO4激光器 偏振光 电光调Q la3ga5sio14晶体

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旋光晶体在偏光干涉实验中电光效应的研究 被引量：9

8

作者 尹鑫 王继扬 张少军 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第12期1484-1488,共5页

研究了旋光晶体在偏光干涉实验中的电光效应 ,给出了旋光晶体在偏光干涉实验中出射光强与晶体旋光性之间关系的表达式I =A20 cos2 β -(π/λ) (nl-nr)l ,以及与旋光晶体电光效应之间关系的表达式I =A20 cos2 β -(π/λ) (nl-nr)l+ (π... 研究了旋光晶体在偏光干涉实验中的电光效应 ,给出了旋光晶体在偏光干涉实验中出射光强与晶体旋光性之间关系的表达式I =A20 cos2 β -(π/λ) (nl-nr)l ,以及与旋光晶体电光效应之间关系的表达式I =A20 cos2 β -(π/λ) (nl-nr)l+ (π/λ) (n2 -n1)l 。根据这些表达式给出的关系 ,将典型的旋光晶体La3Ga5 SiO14制作成了电光Q开关 ,像那些用无旋光性晶体制作的Q开关一样工作良好。在中等功率输出的激光器中 ,La3Ga5 SiO14晶体电光Q开关有可能取代氘化磷酸二氢钾 (DKDP) 展开更多

关键词 旋光晶体 电光开关 光学器件 电光效应 偏光干涉 旋光性 硅酸镓镧晶体 物理光学

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La_3Ga_5SiO_(14)的BAW传播特性 被引量：2

9

作者 魏爱俭 袁多荣 +1 位作者 赵奕君 祁海峰 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期200-204,共5页

详细推导计算了声体波(BAW)在La3Ga5SiO14 (LGS)晶体中分别沿YZ、XY、XZ面传播的纯切变波,准切变波,准纵波的表达式。绘制了LGS晶体在(100)、(010)、(001)这三个主晶面内声的慢度分布曲线图。计算了声速的最大值并与石英进行比较,结果表... 详细推导计算了声体波(BAW)在La3Ga5SiO14 (LGS)晶体中分别沿YZ、XY、XZ面传播的纯切变波,准切变波,准纵波的表达式。绘制了LGS晶体在(100)、(010)、(001)这三个主晶面内声的慢度分布曲线图。计算了声速的最大值并与石英进行比较,结果表明LGS晶体的BAW传播速度一般比石英低1000m/s左右。为该晶体在声体波器件等方面的设计和应用提供了一定的理论指导作用。 展开更多

关键词 la3ga5sio14晶体 克里斯托夫方程 慢度曲线 声速 声体波 非铁电压电晶体

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硅酸镓镧晶体的旋光及声学性质研究 被引量：1

10

作者 魏爱俭 袁多荣 王宝林 《山东大学学报（理学版）》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期53-56,65,共5页

研究了新型压电材料硅酸镓镧的旋光性质和声学性质.实验得出硅酸镓镧的旋光率ρ比石英小;旋光率色散满足波尔兹曼方程.并由克里斯托夫方程推导出声光沿硅酸镓镧晶体x,y,z轴的传播特性以及声波沿着yz,xy,xz3个面的慢度(倒速度)曲线方程,... 研究了新型压电材料硅酸镓镧的旋光性质和声学性质.实验得出硅酸镓镧的旋光率ρ比石英小;旋光率色散满足波尔兹曼方程.并由克里斯托夫方程推导出声光沿硅酸镓镧晶体x,y,z轴的传播特性以及声波沿着yz,xy,xz3个面的慢度(倒速度)曲线方程,并绘制了3个主晶面内声的慢度分布曲线图,以便于LGS纯切变波、准纵波和准切变波波速的计算. 展开更多

关键词 la3ga5sio14晶体 旋光率p 克里斯托夫方程 声速

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旋光性与电光效应交互作用及其对旋光晶体电光Q开关的影响 被引量：6

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作者 尹鑫 王继扬 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第10期3565-3570,共6页

研究了晶体的旋光性与电光效应的交互作用。

关键词 电光Q开关 电光效应 晶体 旋光性 交互作用

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硅酸镓镧晶体谐振器的高频振动分析

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作者 吴荣兴 王晓明 +1 位作者 唐忠平 王骥 《声学技术》 CSCD 北大核心 2023年第6期852-856,共5页

利用Mindlin板理论分析了硅酸镓镧晶体板强耦合的厚度剪切振动和弯曲振动,获得了硅酸镓镧晶体板高频振动的色散关系、频谱关系和振动模态位移图。数值计算结果表明,Mindlin板理论可以获得硅酸镓镧晶体板厚度剪切振动的一阶精确截止频率... 利用Mindlin板理论分析了硅酸镓镧晶体板强耦合的厚度剪切振动和弯曲振动,获得了硅酸镓镧晶体板高频振动的色散关系、频谱关系和振动模态位移图。数值计算结果表明,Mindlin板理论可以获得硅酸镓镧晶体板厚度剪切振动的一阶精确截止频率,无需修正系数。基于石英晶体谐振器设计晶片最佳长厚比的选取方法,确定了硅酸镓镧晶片的最佳尺寸,避免了厚度剪切振动模态和弯曲振动模态的强耦合。通过绘制硅酸镓镧晶体板在最佳尺寸时的各振动模态位移图,发现厚度剪切振动模态是主振模态,具有很好的能陷效应。Mindlin板理论在硅酸镓镧晶体板高频振动的应用分析可以指导硅酸镓镧晶体谐振器的实际研发。 展开更多

关键词 硅酸镓镧晶体 振动 频率 厚度剪切 谐振器

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