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LV/HV兼容N-Well CMOS芯片与制程结构 被引量：2
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作者 潘桂忠 《集成电路应用》 2017年第8期51-55,共5页
LV/HV兼容N-Well CMOS技术,该技术能够实现低压5 V与高压100~700 V(或更高)兼容CMOS工艺。为了便于高低压MOS器件兼容集成,采用具有漂移区的偏置栅结构的HV MOS器件。改变漂移区参数可以得到不同的高压。使用MOS芯片结构设计﹑工艺与制... LV/HV兼容N-Well CMOS技术,该技术能够实现低压5 V与高压100~700 V(或更高)兼容CMOS工艺。为了便于高低压MOS器件兼容集成,采用具有漂移区的偏置栅结构的HV MOS器件。改变漂移区参数可以得到不同的高压。使用MOS芯片结构设计﹑工艺与制造技术,依该技术得到了芯片制程结构。 展开更多
关键词 集成电路制造工艺 偏置栅结构 lv/hv兼容n-wellcmos芯片结构 制程剖面结构
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