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双掺杂TGS晶体——LUTGS
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作者 史伟 王民 +1 位作者 孙洵 房昌水 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第4期24-27,共4页
分别在５８～５４℃和４５～３８℃温区生长了完整的ＬＵＴＧＳ单晶。揭示了两种晶体的生长习性。通过对两种晶体电滞回线、介电、热释电性能的测量，发现两温区生长的ＬＵＴＧＳ单晶的热释电材料优值Ｍ（Ｐ／ε）无大差异，但都比纯Ｔ... 分别在５８～５４℃和４５～３８℃温区生长了完整的ＬＵＴＧＳ单晶。揭示了两种晶体的生长习性。通过对两种晶体电滞回线、介电、热释电性能的测量，发现两温区生长的ＬＵＴＧＳ单晶的热释电材料优值Ｍ（Ｐ／ε）无大差异，但都比纯ＴＧＳ有显著提高。 展开更多
关键词 lutgs晶体 内偏压电场 材料优值 热释电晶体
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