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题名应用于5G的新型高线性度功率放大器设计
被引量：1
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作者
姚凤薇
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机构
上海电子信息职业技术学院
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出处
《现代电子技术》
2023年第22期5-8,共4页
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基金
上海市自然科学基金项目(17ZR1411100)
上海电子信息职业技术学院高层次科研启动资助项目(GCC2023027)。
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文摘
基于三安公司的2μm GaAs HBT工艺,设计一种工作在5G N78频段的高线性功率放大器。为了解决大信号和高温下功率管静态工作点稳定性差的问题,提出一种在传统电流镜结构中添加分压晶体管、负反馈电阻及镇流电阻的新型有源自适应偏置电路,通过调节阻值大小来调节分压晶体管电压,从而达到减小静态工作点的偏移、提高线性度的目的。此外,在功放的末级匹配中添加多LC串联及TANK结构,既对输出匹配网络进行了优化,又抑制了二、三、四阶高次模频率。结果表明:小信号增益大于31.2 dB;输出功率为20 dBm时,IMD3低于-44.46 dBc;输出功率为27.56 dBm时,相邻信道泄漏比小于-37.62 dBc。所提方法具有良好的线性性能。
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关键词
射频功率放大器
高线性度
5G
分压晶体管电压
偏置电路
lc匹配结构
IMD3仿真
ACLR测试
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Keywords
ration frequency power amplifier
high linearity
5G
voltage of voltage divider transistor
bias circuit
lc matching structure
IMD3 simulation
ACLR testing
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分类号
TN454-34
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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