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A 3.01–3.82 GHz CMOS LC voltage-controlled oscillator with 6.29% VCO-gain variation for WLAN applications 被引量:2
1
作者 刘小龙 张雷 +2 位作者 张莉 王燕 余志平 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2014年第7期125-131,共7页
A wideband low-phase-noise LC voltage-controlled oscillator (VCO) with low VCO gain (Kvco) vari- ation for WLAN fractional-N frequency synthesizer application is proposed and designed on a 0.13-μm CMOS process. I... A wideband low-phase-noise LC voltage-controlled oscillator (VCO) with low VCO gain (Kvco) vari- ation for WLAN fractional-N frequency synthesizer application is proposed and designed on a 0.13-μm CMOS process. In order to achieve a low Kvco variation, an extra switched varactor array was added to the LC tank with the conventional switched capacitor array. Based on the proposed switched varactor array compensation technique, the measured Kvco is 43 MHz/V with only 6.29% variation across the entire tuning range. The proposed VCO provides a tuning range of 23.7% from 3.01 to 3.82 GHz, while consuming 9 mA of quiescent current from a 2.3 V supply. The VCO shows a low phase noise of-121.94 dBc/Hz at 1 MHz offset, from the 3.6 GHz carrier. 展开更多
关键词 lc vco vco gain (Kvco low Kvco variation tuning range phase noise CMOS
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一种高性能宽带LCVCO的设计 被引量:4
2
作者 戴惜时 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期47-50,共4页
基于TSMC65nmCMOS工艺,采用电流偏置型差分负阻结构,设计了一个宽频率覆盖范围(7.6~10.7GHz)的电感电容谐振压控振荡器(LCVCO)。采用差分控制电压方式,减小共模噪声对VCO性能的影响。采用三组可变电容共同作用的方式,减小VC... 基于TSMC65nmCMOS工艺,采用电流偏置型差分负阻结构,设计了一个宽频率覆盖范围(7.6~10.7GHz)的电感电容谐振压控振荡器(LCVCO)。采用差分控制电压方式,减小共模噪声对VCO性能的影响。采用三组可变电容共同作用的方式,减小VCO增益随振荡频率的变化,同时实现频率的温度补偿。创新性地采用一种新型开关结构,在基本不增加面积的情况下,优化了LCVCO的相位噪声性能。将该LCVCO用于为4.2~5GHz双沿采样DAC提供时钟的锁相环电路,实现了良好的相位噪声性能。 展开更多
关键词 lc vco 相位噪声 温度补偿
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增强型MOS变容管LCVCO增益建模 被引量:1
3
作者 王飞 来金梅 +2 位作者 张海清 孙承绶 章倩苓 《计算机辅助设计与图形学学报》 EI CSCD 北大核心 2005年第8期1813-1817,共5页
研究分析了大信号振荡电压对变容管的调制效应,导出增强型变容管LCVCO增益解析模型.将该模型应用于Chartered0.35μmCMOS2P4MRF工艺实现的2.4GHzLCVCO设计中,spectreRF电路仿真得到的VCO增益曲线与模型预测的增益曲线吻合.
关键词 lc vco 增强型变容管 大信号分析 vco增益
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一种2.2~5.5G宽带低相位噪声LC VCO设计 被引量:4
4
作者 谷华宝 吴建辉 《电子器件》 CAS 2009年第1期144-147,共4页
论文基于BiCMOS工艺,采用了8个LC VCO并列的工作模式实现了2.2~5.5 GHz的带宽范围的LC VCO,每个LC VCO可以进行单独的调节。在LC VOC的核心电路中采用电阻代替电流镜方式以及在输出处增加了两个三极管限幅,以得到较低的相位噪声。在各个... 论文基于BiCMOS工艺,采用了8个LC VCO并列的工作模式实现了2.2~5.5 GHz的带宽范围的LC VCO,每个LC VCO可以进行单独的调节。在LC VOC的核心电路中采用电阻代替电流镜方式以及在输出处增加了两个三极管限幅,以得到较低的相位噪声。在各个LC VCO的中心频率处其相位噪声优于-96 dBc@100 kHz。当电源电压为5 V时,各个LCVCO的工作电流为3.2 mA^4.2 mA。 展开更多
关键词 宽带 lc压控振荡器 相位噪声
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恒定压控增益的宽带CMOS LC VCO的设计 被引量:2
5
作者 田密 韩婷婷 王志功 《电子技术应用》 北大核心 2017年第1期39-42,共4页
采用SMIC 0.18μm Mixed Signal CMOS工艺设计了恒定压控增益的宽带LC压控振荡器。采用模拟式振幅负反馈的方式,通过模拟电路实现对偏置电流的负反馈控制,同时采用了通过数字控制的单刀双掷开关控制可变电容阵列的调谐,并且对固定电容... 采用SMIC 0.18μm Mixed Signal CMOS工艺设计了恒定压控增益的宽带LC压控振荡器。采用模拟式振幅负反馈的方式,通过模拟电路实现对偏置电流的负反馈控制,同时采用了通过数字控制的单刀双掷开关控制可变电容阵列的调谐,并且对固定电容单元进行开关的方法,从而实现恒定的压控增益且相邻频带之间的频率间隔近似相等。后仿真结果表明,本设计的LC VCO调谐频率范围2.15~3.03 GHz,压控增益在全部频率调谐范围内为70~80 MHz/V,相位噪声在全部频率调谐范围内低于-120.0 d Bc/Hz@1 MHz。 展开更多
关键词 lc vco 振幅负反馈 压控增益
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CMOS LC VCO中交叉耦合MOS管的结构和特点 被引量:2
6
作者 宁彦卿 王志华 陈弘毅 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期21-25,共5页
在近年来的文献报道中,CMOS LC VCO中交叉耦合MOS管的电路结构变化多端。在不同的设计中,MOS管的类型、数目和连接方式有很多不同的结构。从其基本结构出发总结这些结构,就不同结构MOS管电路对振荡器性能做了简要分析。着重介绍了近年... 在近年来的文献报道中,CMOS LC VCO中交叉耦合MOS管的电路结构变化多端。在不同的设计中,MOS管的类型、数目和连接方式有很多不同的结构。从其基本结构出发总结这些结构,就不同结构MOS管电路对振荡器性能做了简要分析。着重介绍了近年来在理论认识,低电压、低相位噪声和宽频率覆盖设计方面所做的努力。 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体 电感电容压控振荡器 交叉耦合 低电压 宽频带
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基于背靠背PN变容管的低相位噪声LCVCO研究 被引量:3
7
作者 周殿宇 王军 《通信技术》 2010年第2期201-203,共3页
研究了一种新型单片集成LC压控振荡器。该压控振荡器在传统的单端PN变容管电路结构基础上,通过对调谐电路进行改进,在保证调谐范围的前提下,有效地降低了相位噪声。压控振荡器使用高Q值螺旋电感,并采用SMIC0.18μm1P6M混合信号CMOS工艺... 研究了一种新型单片集成LC压控振荡器。该压控振荡器在传统的单端PN变容管电路结构基础上,通过对调谐电路进行改进,在保证调谐范围的前提下,有效地降低了相位噪声。压控振荡器使用高Q值螺旋电感,并采用SMIC0.18μm1P6M混合信号CMOS工艺实现。仿真结果表明,在调谐范围不变情形下,新型设计的VCO相位噪声比传统的改善了16.25dB@1kHz、8.08dB@100kHz。压控振荡器的中心频率1.8GHz,工作电压为1.8V,工作电流为3mA。 展开更多
关键词 电感电容压控振荡器 相位噪声 背靠背PN变容管
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5GHz0.18μm CMOS宽带LC VCO 被引量:3
8
作者 邓翔 段吉海 +1 位作者 杨丽燕 李石林 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期372-375,共4页
采用0.18μm RF CMOS工艺,设计了一个5GHz的宽带电感电容压控振荡器。该压控振荡器的电路结构选用互补交叉耦合型,采用噪声滤波技术降低相位噪声,并采用开关电容阵列扩展其调谐范围。后仿真结果表明,实现了4.44~5.44GHz的宽调谐。振荡... 采用0.18μm RF CMOS工艺,设计了一个5GHz的宽带电感电容压控振荡器。该压控振荡器的电路结构选用互补交叉耦合型,采用噪声滤波技术降低相位噪声,并采用开关电容阵列扩展其调谐范围。后仿真结果表明,实现了4.44~5.44GHz的宽调谐。振荡器的电源电压为1.8V,工作电流为2.78mA,版图面积为0.37mm2。 展开更多
关键词 电感电容压控振荡器 CMOS电路 相位噪声
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宽带低相噪CMOS LC VCO的设计 被引量:2
9
作者 王云峰 叶青 +1 位作者 满家汉 叶甜春 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期511-514,共4页
设计了一款宽带CMOSLCVCO,在分析VCO相位噪声来源的基础上,对VCO进行了结构优化和噪声滤除,并采用了开关电容阵列以增加带宽。电路采用0.18μmCMOS射频工艺进行流片验证,芯片面积为0.4mm×1mm。测试结果显示:芯片的工作频率为3.34~... 设计了一款宽带CMOSLCVCO,在分析VCO相位噪声来源的基础上,对VCO进行了结构优化和噪声滤除,并采用了开关电容阵列以增加带宽。电路采用0.18μmCMOS射频工艺进行流片验证,芯片面积为0.4mm×1mm。测试结果显示:芯片的工作频率为3.34~4.17GHz,中心频率为4.02GHz时输出功率是-9.11dBm,相位噪声为-120dBc/Hz@1MHz,在1.8V工作电压下的功耗为10mW。 展开更多
关键词 电感电容压控振荡器 宽带 噪声滤除 开关电容阵列
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基于CMOS工艺的低相位噪声LC压控振荡器 被引量:1
10
作者 张原 衣晓峰 洪志良 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期205-208,共4页
介绍了一种用于锁相环型频率合成器的单片集成LC压控振荡器。该压控振荡器在传统的电路结构基础上进行了改进,在保证调谐范围的前提下,有效地降低了相位噪声。压控振荡器使用了片上集成螺旋电感,采用中芯国际(SMIC)0.35μm 1P6M... 介绍了一种用于锁相环型频率合成器的单片集成LC压控振荡器。该压控振荡器在传统的电路结构基础上进行了改进,在保证调谐范围的前提下,有效地降低了相位噪声。压控振荡器使用了片上集成螺旋电感,采用中芯国际(SMIC)0.35μm 1P6M混合信号CMOS工艺。测试结果表明,该压控振荡器的可调频率为303.55GHz,在3.55GHz中心频率附近的相位噪声达到-128dBe/Hz(600kHz),整个压控振荡器的工作电压为3.3V,工作电流为13mA。 展开更多
关键词 电感电容压控振荡器 相位噪声 频率合成器
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Design and analysis of a bang-bang PLL for 6.25 Gbps SerDes
11
作者 周明珠 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2012年第12期73-80,共8页
An analysis illustrates the loop nonlinear performance in a bang-bang PLL. A third-order equivalent model is deduced to give an approximate evaluation of the loop parameters. The architecture of the proposed phase det... An analysis illustrates the loop nonlinear performance in a bang-bang PLL. A third-order equivalent model is deduced to give an approximate evaluation of the loop parameters. The architecture of the proposed phase detector is composed of four master-slave DFFs and two XORs based on the current mode logic circuit. A no-load architecture is introduced in the XOR design. The oscillator is designed with an LC VCO implementation for the jitter requirement. A simple voltage-to-current converter is proposed to drive the loop filter. The loop filter design is described in detail, which is important to ensure the nonlinear loop stability. The chip is fabricated in a 0.18 μm CMOS technology. The experimental results show that it can achieve the frequency range of 2.995 to 3.35 GHz, and a phase noise of-118.38 dBc/Hz at 1 MHz offset. The frequency to voltage gain is 270 MHz/V. The chip consumes less than 81 mW with 1.8 V supply voltage, and it occupies a 0.5 mm2 area. 展开更多
关键词 PLL bang-bang PD lc vco
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宽带低噪声LC VCO及一种新式稳幅电路的设计
12
作者 孙文 唐守龙 +1 位作者 吴烜 宋莹莹 《电路与系统学报》 CSCD 北大核心 2007年第4期105-108,共4页
本文给出了基于0.35μm CMOS工艺的VHFH波段宽带低噪声LC VCO的设计。并提出了一种新的自动幅度控制电路:电荷泵式自动幅度控制电路(CP_AAC)。测试结果表明:该VCO在全波段相位噪声低于-79dBc/Hz@10kHz,而且CP_AAC对VCO相位噪声的影响低... 本文给出了基于0.35μm CMOS工艺的VHFH波段宽带低噪声LC VCO的设计。并提出了一种新的自动幅度控制电路:电荷泵式自动幅度控制电路(CP_AAC)。测试结果表明:该VCO在全波段相位噪声低于-79dBc/Hz@10kHz,而且CP_AAC对VCO相位噪声的影响低于1dB。 展开更多
关键词 CMOS lc vco 相位噪声 自动幅度控制
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A wideband 0.13μm CMOS LC-VCO for IMT-advanced and UWB applications
13
作者 唐欣 黄风义 +1 位作者 唐旭升 邵明驰 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2013年第1期83-88,共6页
This paper presents an LC voltage controlled oscillator(VCO) in a dual-band frequency synthesizer for IMT-advanced and UWB applications.The switched current source,cross-coupled pair and noise filtering technique ar... This paper presents an LC voltage controlled oscillator(VCO) in a dual-band frequency synthesizer for IMT-advanced and UWB applications.The switched current source,cross-coupled pair and noise filtering technique are adopted in this VCO design to improve the performance of the phase noise,power consumption,voltage amplitude,and tuning range.In order to achieve a wide tuning range,a reconfigurable LC tank with 4 bits switch control is adopted in the core circuit design.The size of the entire chip with pad is 1.11 0.98 mm2.The test results show that the current dissipation of the VCO at UWB and IMT-Advanced band is 3 mA and 4.5 mA in a 1.2 V supply.The tuning range of the designed VCO is 3.86-5.28 GHz and 3.14-3.88 GHz.The phase-noise at 1 MHz frequency offset from a 3.5 GHz and 4.2 GHz carrier is-123 dBc/Hz and-119 dBc/Hz,respectively. 展开更多
关键词 lc vco voltage controlled oscillator phase noise CMOS UWB IMT-ADVANCED
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超宽带无线收发机中的正交LC VCO设计
14
作者 王勇 黄风义 +2 位作者 程嘉 唐旭升 汪小军 《电子器件》 CAS 2009年第4期749-752,共4页
基于SMIC0.18μm CMOS工艺设计了一种可应用于MB-OFDM UWB无线收发机的宽带正交压控振荡器(QV-CO,Quadrature VCO)。在研究VCO的相位噪声理论的基础上,采用了优化噪声的电路结构。此外,鉴于片上螺旋电感在VCO设计中的重要性,采用了一... 基于SMIC0.18μm CMOS工艺设计了一种可应用于MB-OFDM UWB无线收发机的宽带正交压控振荡器(QV-CO,Quadrature VCO)。在研究VCO的相位噪声理论的基础上,采用了优化噪声的电路结构。此外,鉴于片上螺旋电感在VCO设计中的重要性,采用了一种快速选取工艺库螺旋电感的方法。仿真结果显示,QVCO的频率调谐范围为3.4-4.5GHz,在1MHz频率偏移处,相位噪声小于-119.6dBc/Hz。在1.8V电源电压下,电路总功耗为27mW。 展开更多
关键词 CMOS MB-OFDM UWB 正交 电感电容压控振荡器(lc vco) 相位噪声
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应用于UHF RFID阅读器中低相位噪声LC VCO设计 被引量:1
15
作者 程知群 周云芳 +2 位作者 傅开红 李进 周霄鹏 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2010年第6期149-152,共4页
设计了一种应用于860~960MHz UHF RFID阅读器低相位噪声的CMOS LC压控振荡器.电路经过一个SCL结构的1/2分频器输出四相正交信号.电路设计采用SMIC0.18μm CMOS工艺库和Cadence SpectreRF仿真器.仿真结果表明:VCO在分频前,实现了调频范... 设计了一种应用于860~960MHz UHF RFID阅读器低相位噪声的CMOS LC压控振荡器.电路经过一个SCL结构的1/2分频器输出四相正交信号.电路设计采用SMIC0.18μm CMOS工艺库和Cadence SpectreRF仿真器.仿真结果表明:VCO在分频前,实现了调频范围为1620~2020MHz;在振荡频率为1.8GHz时,相位噪声为-127.5dBc/Hz@1MHz;VCO经过2分频电路后,实现了调频范围为810~1010MHz;在频率900MHz,其相位噪声-133.5dBc/Hz@1MHz. 展开更多
关键词 RFID阅读器 lc振荡器 低相位噪声 正交输出
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卫星电视天线射频电路中LC压控振荡器设计 被引量:1
16
作者 王魏 黎希 +3 位作者 宫召英 马晓英 杨丽君 王岳生 《电视技术》 北大核心 2012年第21期71-73,共3页
设计了一款应用于卫星电视天线电路中低功耗、低相噪的宽带单片集成压控振荡器。该振荡器利用PMOS尾电流源和MIM电容阵列结构。在保证调谐范围的前提下,有效地降低了相位噪声。使得该压控振荡器实现了3.384~4.022 GHz频段的覆盖,在中... 设计了一款应用于卫星电视天线电路中低功耗、低相噪的宽带单片集成压控振荡器。该振荡器利用PMOS尾电流源和MIM电容阵列结构。在保证调谐范围的前提下,有效地降低了相位噪声。使得该压控振荡器实现了3.384~4.022 GHz频段的覆盖,在中心频率为3.7 GHz时,100 Hz和1 MHz频偏处的相位噪声分别为-90.4 dBc/Hz和-119.1 dBc/Hz,工作电压下为1.8 V,功耗仅为2.5 mW。 展开更多
关键词 天线电路 lc压控振荡器 宽带 相位噪声
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Ku波段0.18μm CMOS压控振荡器电路设计 被引量:1
17
作者 冯海洋 杜慧敏 +1 位作者 张博 明远先 《电子技术应用》 北大核心 2014年第4期32-34,38,共4页
在TSMC 0.18μm RF CMOS工艺下设计了一个Ku波段电感电容压控振荡器,该电路采用NMOS交叉耦合型,结合滤波技术降低相位噪声,并利用开关电容阵列为其扩频,使电路获得卓越的性能。后仿真结果表明,该电路实现了10 GHz^14 GHz的宽调频,在整... 在TSMC 0.18μm RF CMOS工艺下设计了一个Ku波段电感电容压控振荡器,该电路采用NMOS交叉耦合型,结合滤波技术降低相位噪声,并利用开关电容阵列为其扩频,使电路获得卓越的性能。后仿真结果表明,该电路实现了10 GHz^14 GHz的宽调频,在整个频带内其相位噪声低于-112 dBc/Hz在1 MHz的偏移处;在1.8 V的电压下,核心电路工作电流为5 mA。 展开更多
关键词 电感电容压控振荡器 KU波段 相位噪声
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3.7GHz宽带CMOS LC VCO的设计 被引量:1
18
作者 王云峰 叶青 +3 位作者 满家汉 吴永俊 陈勇 叶甜春 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第12期1126-1129,共4页
设计了一款3.7 GHz宽带CMOS电感电容压控振荡器。采用了电容开关的技术以补偿工艺、温度和电源电压的变化,并对片上电感和射频开关进行优化设计以得到最大的Q值。电路采用和舰0.18μm CMOS混合信号制造工艺,芯片面积为0.4 mm×1 mm... 设计了一款3.7 GHz宽带CMOS电感电容压控振荡器。采用了电容开关的技术以补偿工艺、温度和电源电压的变化,并对片上电感和射频开关进行优化设计以得到最大的Q值。电路采用和舰0.18μm CMOS混合信号制造工艺,芯片面积为0.4 mm×1 mm。测试结果显示,芯片的工作频率为3.4~4 GHz,根据输出频谱得到的相位噪声为-100 dBc/Hz@1 MHz,在1.8 V工作电压下的功耗为10 mW。测试结果表明,该VCO有较大的工作频率范围和较低的相位噪声性能,可以用于锁相环和频率合成器。 展开更多
关键词 电感电容压控振荡器 宽带 片上电感 射频开关 锁相环
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基于谐振开关技术的低相噪LC VCO的设计 被引量:1
19
作者 奉荣 姜丹丹 《成都信息工程大学学报》 2020年第5期509-513,共5页
基于TSMC 65nm CMOS工艺,设计了一种低相噪宽调谐范围的电压控制振荡器(VCO)。VCO的负电阻部分创新性地使用由NMOS和PMOS晶体管组成的电流复用拓扑结构,谐振开关结构用于实现宽调谐范围和高频振荡时保持较为稳定的压控增益(Kvco)。电路... 基于TSMC 65nm CMOS工艺,设计了一种低相噪宽调谐范围的电压控制振荡器(VCO)。VCO的负电阻部分创新性地使用由NMOS和PMOS晶体管组成的电流复用拓扑结构,谐振开关结构用于实现宽调谐范围和高频振荡时保持较为稳定的压控增益(Kvco)。电路的尾电流部分采用POMS电流镜结构用于减小晶体管闪烁噪声对VCO相位噪声的影响。在1.2 V电源电压下,压控振荡器的功耗为4.5 m W,1.72 GHz频率处相位噪声达到-112 d Bc/Hz@100 k Hz。该LC VCO的宽调谐范围和良好的相位噪声性能较好地用于各种PLL电路中。 展开更多
关键词 电容电感压控振荡器 电流复用 电容阵列 谐振开关 锁相环
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无线传感网SoC芯片中4.8GHz压控振荡器设计
20
作者 樊祥宁 郑浩 陈晓光 《电子器件》 CAS 2009年第4期733-736,741,共5页
采用SMIC0.18μm1P6M RF CMOS工艺设计了一个4.8GHzLC压控振荡器,该压控振荡器应用于无线传感SoC芯片射频前端频率综合器中。电路核心采用带电阻反馈的差分负阻结构,因此具有良好的相位噪声性能;2bit的开关电容阵列进一步提高了电路的... 采用SMIC0.18μm1P6M RF CMOS工艺设计了一个4.8GHzLC压控振荡器,该压控振荡器应用于无线传感SoC芯片射频前端频率综合器中。电路核心采用带电阻反馈的差分负阻结构,因此具有良好的相位噪声性能;2bit的开关电容阵列进一步提高了电路的调谐范围;共源级输出缓冲提供了较好的反向隔离度。所设计的芯片版图面积为600μm×475μm。在电源电压为1.8V时,后仿真结果表明,电路调谐范围最高可达40%,有效地补偿了工艺角偏差;在4.95GHz处,后仿真测得的相位噪声为-125.3dBc/Hz@3MHz,优于系统要求5.3dB;核心电路工作电流约5.2mA。 展开更多
关键词 无线传感网 RFCMOS工艺 lc压控振荡器 相位噪声 宽调谐范围
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