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纳米阴极材料电弧分散特性的理论分析 被引量:5
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作者 苏亚凤 胡明亮 +1 位作者 张孝林 丁秉钧 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期683-687,共5页
采用扫描电子显微镜观察了纳晶结构和粗晶结构的W-20%Cu和Cu的首击穿烧蚀形貌,指出纳晶电弧烧蚀痕迹分散,烧蚀比较轻微;常规材料烧蚀比较集中,且烧蚀比较严重。通过分析阴极材料的微观结构,建立了多晶材料电子所处势场结构模型,通过数... 采用扫描电子显微镜观察了纳晶结构和粗晶结构的W-20%Cu和Cu的首击穿烧蚀形貌,指出纳晶电弧烧蚀痕迹分散,烧蚀比较轻微;常规材料烧蚀比较集中,且烧蚀比较严重。通过分析阴极材料的微观结构,建立了多晶材料电子所处势场结构模型,通过数值计算得出:晶粒越小,对应价电子子能带间能隙越大。分析认为,纳米晶结构的阴极材料电弧分散是由于较大的能隙阻碍了大量电子同时参与导电并迫使阴极斑点快速运动,从而避免大电流产生的焦耳热所导致的严重烧蚀。 展开更多
关键词 纳米材料 烧蚀 子能带 kronig-penney模型
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1eV吸收带边GaInAs/GaNAs超晶格太阳能电池的阱层设计 被引量:4
2
作者 王海啸 郑新和 +3 位作者 吴渊渊 甘兴源 王乃明 杨辉 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第21期499-503,共5页
使用In,N分离的GaInAs/GaNAs超晶格作为有源区是实现高质量1eV带隙GaInNAs基太阳能电池的重要方案之一.为在实验上生长出高质量相应吸收带边的超晶格结构,本文采用计算超晶格电子态常用的Kronig-Penney模型比较了不同阱层材料选择下,吸... 使用In,N分离的GaInAs/GaNAs超晶格作为有源区是实现高质量1eV带隙GaInNAs基太阳能电池的重要方案之一.为在实验上生长出高质量相应吸收带边的超晶格结构,本文采用计算超晶格电子态常用的Kronig-Penney模型比较了不同阱层材料选择下,吸收带边为1 eV的GaInAs/GaNAs超晶格相关参数的对应关系以及超晶格应变状态.结果表明:GaNAs与GaInAs作为超晶格阱层材料在实现1 eV的吸收带边时具有不同的考虑和要求;在固定1 eV的吸收带边时,GaNAs材料作为阱层可获得较好的超晶格应变补偿,将有利于生长高质量且充分吸收的太阳能电池有源区. 展开更多
关键词 GaInAs/GaNAs超晶格 kronig-penney模型 太阳能电池
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Kronig-Penney能带模型的MATLAB分析与计算 被引量:3
3
作者 王忆锋 唐利斌 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2010年第7期770-774,共5页
综合利用MATLAB提供的求解常微分方程、矩阵行列式、代数表达式化简及绘图等函数,可使Kronig-Penney能带模型分析计算的工作量大为减少。讨论了Kronig-Penney模型衍生的相关概念和现象。该方法具有编程简单,使用方便、实用性强等特点。
关键词 kronig-penney模型 能带 半导体 薛定谔方程 MATLAB
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The effect of InAs quantum-dot size and interdot distance on GaInP/GaAs/GaInAs/Ge multi-junction tandem solar cells 被引量:2
4
作者 屈晓声 张思思 +1 位作者 包鸿音 熊丽玲 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2013年第6期11-15,共5页
A metamorphic GaInP/GaAs/GaInAs/Ge multi-junction solar cell with InAs quantum dots is investigated, and the analytical expression of the energy conversion efficiency on the multi-junction tandem solar cell is derived... A metamorphic GaInP/GaAs/GaInAs/Ge multi-junction solar cell with InAs quantum dots is investigated, and the analytical expression of the energy conversion efficiency on the multi-junction tandem solar cell is derived using the detailed balance principle and the Kronig-Penney model.The influences of interdot distance, quantum-dot size and the intermediate band location on the energy conversion efficiency are studied.This shows that the maximum efficiency,as a function of quantum-dot size and distance,is about 60.15%under the maximum concentration for only one InAs/GaAs subcell,and is even up to 39.69%for the overall cell.In addition,other efficiency factors such as current mismatch,the formation of a quasicontinuum conduction band and concentrated light are examined. 展开更多
关键词 multi-junction solar cell kronig-penney model quantum dot intermediate band high efficiency
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Si/SiN_x多层膜能带结构的理论研究 被引量:4
5
作者 徐明 魏屹 +1 位作者 何贤模 芦伟 《四川师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期545-548,共4页
利用Kronig-Penney模型计算了Si/SiNx多层膜结构中Si亚层的能带结构.结果表明,无论是减少Si或Si/SiNx亚层的厚度都将导致Si层的带隙发生宽化,计算结果与实验值符合较好.进而还发现,当Si层厚度减小时,Si/SiNx多层膜结构中载流子(电子和空... 利用Kronig-Penney模型计算了Si/SiNx多层膜结构中Si亚层的能带结构.结果表明,无论是减少Si或Si/SiNx亚层的厚度都将导致Si层的带隙发生宽化,计算结果与实验值符合较好.进而还发现,当Si层厚度减小时,Si/SiNx多层膜结构中载流子(电子和空穴)的有效质量均减小,有利于对载流子复合发光的控制.计算结果对实验上研究发光可控的Si/SiNx多层膜结构有重要指导意义. 展开更多
关键词 K—P模型 多层膜 能带结构 量子限制效应
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GaAs/Al_xGa_(1-x)As超晶格束缚态电子能级结构的理论研究 被引量:1
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作者 李文兵 《首都师范大学学报(自然科学版)》 2006年第1期23-27,共5页
我们运用Kronig-Penney模型,研究了GaAs/AlxGa1-xAs超晶格的束缚态电子能级结构、带宽,跃迁矩随超晶格的结构参量(阱宽、垒宽和Al组分)变化关系,以及子带能量色散关系.计算结果表明:影响光跃迁频率的最大因素是阱宽,随着阱宽的增加,光... 我们运用Kronig-Penney模型,研究了GaAs/AlxGa1-xAs超晶格的束缚态电子能级结构、带宽,跃迁矩随超晶格的结构参量(阱宽、垒宽和Al组分)变化关系,以及子带能量色散关系.计算结果表明:影响光跃迁频率的最大因素是阱宽,随着阱宽的增加,光跃迁频率逐渐减小;影响带宽的较大因素是垒宽,随垒宽的增大,带宽逐渐减小;超晶格结构参量对跃迁矩的影响很小;随着Al组分的增加,光跃迁频率逐渐增大;第一子能带随波矢的变化不是很明显,第二子能带随波矢变化比较明显.这些将对实验测量和器件应用有一定的参考价值和指导意义. 展开更多
关键词 Kroning-penney模型 子能带 超晶格 束缚态电子能级结构
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Kronig-Penney模型中的电子波函数 被引量:2
7
作者 祝娅 田强 《大学物理》 北大核心 2005年第2期38-39,42,共3页
利用波函数及其导数的连续性条件,讨论Kronig-Penney模型中的电子波函数,得到Kronig-Penney模型相邻周期中波函数的转移矩阵,通过转移矩阵分析得到Kronig-Penney模型中的电子波函数,并进行了讨论.
关键词 kronigpenney模型 波函数 转移矩阵
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System of Potential Barriers in Nanostructures 被引量:1
8
作者 A. G. Gulyamov 《World Journal of Condensed Matter Physics》 2015年第2期60-65,共6页
Nanoscale superlattice has been investigated theoretically. It has been shown that the deformation effects on the energy spectrum of nanoscale superlattice by changing the interatomic distances as well as varying the ... Nanoscale superlattice has been investigated theoretically. It has been shown that the deformation effects on the energy spectrum of nanoscale superlattice by changing the interatomic distances as well as varying the width and height of the potential barrier. The potential deformation has been estimated. It has been shown that for different edges of forbidden bands the deformation potential has different values. It has been also analyzed the dependence of the effective mass on energy. It has been determined that the effective mass crosses periodically the zero mark. It has been concluded that this phenomena contributes to the periodic change of the oscillation frequency de Haas-van Alphen effect. 展开更多
关键词 NANOPARTICLE POTENTIAL BARRIER The POTENTIAL Well kronig-penney model The Deformation POTENTIAL
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Si/SiO2和Si/SiNx/SiO2超晶格的能带结构 被引量:3
9
作者 魏屹 董成军 徐明 《中国科学(G辑)》 CSCD 北大核心 2010年第1期55-59,共5页
利用Kronig-Penney模型从理论上计算了Si/SiO2和Si/SiNx/SiO2多层膜结构中量子阱的能带结构,进一步分析了各亚层薄膜厚度对能带结构和有效质量的影响.结果发现,适当减少亚层的厚度都能使得纳米Si薄膜的带隙发生明显宽化.在Si/SiO2超晶格... 利用Kronig-Penney模型从理论上计算了Si/SiO2和Si/SiNx/SiO2多层膜结构中量子阱的能带结构,进一步分析了各亚层薄膜厚度对能带结构和有效质量的影响.结果发现,适当减少亚层的厚度都能使得纳米Si薄膜的带隙发生明显宽化.在Si/SiO2超晶格中,Si量子阱层带隙能量随着Si层厚度的变化符合EPL(eV)=1.6+0.7/d2关系,与我们的计算结果十分吻合.在Si/SiNx/SiO2超晶格系统中,可以通过控制各亚层厚度,尤其是Si和SiNx层厚度,均能够有效地控制发光. 展开更多
关键词 K—P模型 超晶格 能带结构 Si层厚度 带隙宽化 量子限制效应
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纳米发光材料电荷迁移激发光谱的红移机理研究 被引量:1
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作者 卜树坡 尚春宇 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第5期519-524,共6页
基于Kronig-Penney模型,得出了晶体材料禁带宽度或特定能级在禁带中的位置随着晶体体积畸变而变化的趋势,进而推断出Y_2O3:Eu^(3+)发光材料的零声子电荷迁移能E_(zp)将随着材料纳米尺寸的下降而下降.此外,Y_2O3:Eu^(3+)纳米发光材料晶... 基于Kronig-Penney模型,得出了晶体材料禁带宽度或特定能级在禁带中的位置随着晶体体积畸变而变化的趋势,进而推断出Y_2O3:Eu^(3+)发光材料的零声子电荷迁移能E_(zp)将随着材料纳米尺寸的下降而下降.此外,Y_2O3:Eu^(3+)纳米发光材料晶格环境刚性的下降导致了发光中心电荷迁移(CT)态坐标偏差的增大,这意味着在CT激发中发光中心将跃迁至更高的振动能级。随着Y_2O3:Eu^(3+)发光材料纳米尺寸的下降,振动能E_(vib)的上升幅度小于零声子电荷迁移能E_(zp)的下降幅度,电荷迁移能蜀E_(CT)由此下降,CT激发光谱向低能端移动。 展开更多
关键词 纳米材料 红移机理 kronig-penney模型 Y2O3:Eu^3+发光材料 电荷迁移激发
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Kronig-Penney模型的超对称伙伴势及其精确解 被引量:1
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作者 朱涛 《贵州师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2005年第4期82-86,共5页
对Kron ig-Penney模型进行Darboux变换,获得了一种新的精确可解周期势能函数,给出了此新势的本征能量及对应的定态波函数。通过计算机的数值运算,给出了具体的一个有限深K-P模型的能带数值解,定量得出了其能带结构。
关键词 超对称量子力学 超对称变换 kronigpenney模型 能带
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非线性超晶格中波的传播 被引量:1
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作者 潘学琴 刘炳灿 《装甲兵工程学院学报》 2006年第6期89-92,共4页
通过二维实映射研究了非线性Kmnig—Penney超晶格中波的传播。数值计算得到非线性系数不同、以及透射波幅不同时的映射图。结果表明,非线性系数对波传播有明显的调制作用,而透射波幅对非线性系数的有效性有明显的改变。
关键词 非线性超晶格 kronigpenney模型 实映射
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GaAs/Al_xGa_(1-x)As超晶格扩展态电子能级结构的理论研究
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作者 李文兵 赵国忠 王福合 《首都师范大学学报(自然科学版)》 2005年第4期21-24,31,共5页
运用Kroning_Penney模型,研究了GaAs/AlxGa1-xAs超晶格扩展态(E>V0)的电子能级结构和带宽随超晶格的阱宽、垒宽和A1组分的变化关系,以及扩展态能量随波矢k的变化关系.计算结果表明:影响光跃迁频率的最大因素是阱宽和A1的组分,随着阱... 运用Kroning_Penney模型,研究了GaAs/AlxGa1-xAs超晶格扩展态(E>V0)的电子能级结构和带宽随超晶格的阱宽、垒宽和A1组分的变化关系,以及扩展态能量随波矢k的变化关系.计算结果表明:影响光跃迁频率的最大因素是阱宽和A1的组分,随着阱宽的增加,光跃迁频率逐渐减小,随着A1组分的增加,光跃迁频率逐渐增大;影响带宽的较大因素是阱宽和垒宽,随着阱宽和垒宽的增大,带宽逐渐减小.这些将对实验和器件设计具有指导意义. 展开更多
关键词 Kroning—penney模型 扩展态 电子有级结构
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Study of Photofield Emission in GaAs Using Kronig-Penney Model
14
作者 Leishangthem Nirmala Devi Benjamin Vanlalruata +1 位作者 Ram Kumar Thapa A.H. Reshak 《材料科学与工程(中英文A版)》 2016年第2期110-112,共3页
关键词 kronig-penney模型 GAAS 场发射 密度泛函理论 发射电流 计算结果 初始状态 费米能级
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应变补偿1eV吸收带边GaInAsN/GaAs超晶格太阳能电池格层设计
15
作者 何右青 唐吉玉 潘保瑞 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2017年第3期432-437,422,共7页
本文采用计算超晶格电子态常用的Kronig-Penney模型和形变势理论,从理论上探讨了GaInNAs/GaAs超晶格能带系统的能带结构,计算得到了能带结构随各亚层参量变化的一般性规律、超晶格的能量色散关系、应变造成的影响以及不同亚层厚度的系... 本文采用计算超晶格电子态常用的Kronig-Penney模型和形变势理论,从理论上探讨了GaInNAs/GaAs超晶格能带系统的能带结构,计算得到了能带结构随各亚层参量变化的一般性规律、超晶格的能量色散关系、应变造成的影响以及不同亚层厚度的系统禁带宽度。计算了超晶格的阱层材料在不同的组分选择下,GaInAsN/GaAs超晶格吸收带边为1eV的超晶格相关参数的对应关系以及超晶格应变状态。计算表明采用高In低N的GaInNAs材料作为GaInNAs/GaAs超晶格的阱层时更有利于获得高质量且较厚的GaInNAs/GaAs超晶格有源区,并且此时可以获得较好的应变补偿;进一步对超晶格太阳能电池的内量子效率进行了模拟计算,分析了1eV吸收带边GaInAsN/GaAs超晶格太阳能电池对提高整体光电转换效率的可行性。 展开更多
关键词 kronig-penney模型 GaInAsN/GaAs超晶格 应变补偿 应变 太阳能电池
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基于狄拉克方程推导求解一维势垒问题
16
作者 王怀玉 《华北科技学院学报》 2022年第1期97-107,共11页
量子力学教科书中,粒子做非相对论运动遇到势垒时,按照薛定谔方程来求解。作者之前的研究表明,在粒子能量小于势能的势垒区域,应该运用负动能薛定谔方程。本文重新处理了六个量子力学上常见的例子,一维有限深势阱,三维有限深球形势阱和... 量子力学教科书中,粒子做非相对论运动遇到势垒时,按照薛定谔方程来求解。作者之前的研究表明,在粒子能量小于势能的势垒区域,应该运用负动能薛定谔方程。本文重新处理了六个量子力学上常见的例子,一维有限深势阱,三维有限深球形势阱和有限高球形势垒,线性势,Kronig-Penney模型,WKB近似方法。结果表明:在有限高无限宽的势垒内部,波函数为零;在有限高有限宽势垒内部,波函数是平面波的叠加;线性势中的波函数具有对称或者反对称性质;势垒穿透的透射系数是随着势垒宽度有周期性变化的。这些结果都与量子力学教科书有所区别。相比之下,本文的结果更为合理。原因是负动能薛定谔是从相对论量子力学方程做低动量近似得到的结果,具有坚实的理论基础。 展开更多
关键词 薛定谔方程 负动能薛定谔方程 一维有限深方势阱 线性势 kronig-penney模型 WKB近似方法 透射系数O413
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Transport Properties of "Man-Made" Crystalline Semiconductor Superlattices
17
作者 M. K. Awodele A. O. Awodugba 《材料科学与工程(中英文B版)》 2017年第1期1-5,共5页
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InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测器光电特性理论计算 被引量:6
18
作者 史衍丽 李凡 +1 位作者 赵鲁生 徐文 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2011年第6期981-985,共5页
InAs/GaSbⅡ类超晶格是目前国际上公认的制备第三代高性能红外探测器的理想材料之一,具有能带结构可调、波长响应范围宽、量子效率高、利于实现大面积焦平面阵列等独特优势。为了充分利用这一材料的优点,对材料进行优化设计,采用Kronig-... InAs/GaSbⅡ类超晶格是目前国际上公认的制备第三代高性能红外探测器的理想材料之一,具有能带结构可调、波长响应范围宽、量子效率高、利于实现大面积焦平面阵列等独特优势。为了充分利用这一材料的优点,对材料进行优化设计,采用Kronig-Penney模型对材料的能带结构进行了理论计算;同时,利用输运理论的质量和动量平衡方程对材料的光电导特性进行了计算分析,探讨了这类材料进行非制冷探测的优势。计算结果对深入认识该类材料的光电特性,从而对材料及器件进行优化设计具有重要的指导意义。 展开更多
关键词 InAs/GaSbⅡ类超晶格 第三代红外探测器 kronig-penney方法 质量和动量平衡方程
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非线性系数对超晶格透射的影响 被引量:2
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作者 刘炳灿 潘学琴 任志明 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第12期6595-6599,共5页
研究了非线性系数对超晶格中波透射的影响.把非线性薛定谔方程转化成二阶差分方程,通过迭代此差分方程得到透射谱.透射谱显示非线性系数对波的透射有明显的调制作用.
关键词 透射 非线性kronig-Penny模型 非线性系数
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二维量子点阵列的能带结构的初步研究
20
作者 徐光照 徐至中 蒋平 《江西大学学报(自然科学版)》 1992年第1期65-68,共4页
本文计算了由GaAs/AlGaAs量子点构成的二维量子点阵列的能带结构。其中,对圆形量子点构成的二维阵列采用了紧束缚方法,而对二维Kronig-Penney模型采用微扰法。
关键词 异质结 半导体 量子点阵列 能带
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