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正交电磁场离子源及其在PVD法制备硬质涂层中的应用 被引量：3
1
作者 范迪 雷浩 +1 位作者 宫骏 孙超 《真空》 CAS 2014年第4期48-52,共5页
离子源是离子束产生的关键部件,正交电磁场离子源是以霍尔电流为理论基础的一类低能离子源。本文综述了考夫曼离子源、霍尔离子源以及阳极层线性离子源的发展历程及其在结构与功能方面的区别,分析了各种离子源在PVD法制备不同体系超硬... 离子源是离子束产生的关键部件,正交电磁场离子源是以霍尔电流为理论基础的一类低能离子源。本文综述了考夫曼离子源、霍尔离子源以及阳极层线性离子源的发展历程及其在结构与功能方面的区别,分析了各种离子源在PVD法制备不同体系超硬涂层中的应用及对涂层结构、性能的影响,概述了国内外离子源的现状,并指出了国内离子源存在的问题。 展开更多
关键词 考夫曼离子源 霍尔离子源 阳极层线性离子源 PVD
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离子源辅助电子枪蒸发制备Ge_(1-x)C_x薄膜 被引量：4
2
作者 王彤彤 高劲松 +5 位作者 王笑夷 宋琦 郑宣明 徐颖 陈红 申振峰 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期715-718,共4页
应用电子枪蒸发纯Ge,考夫曼离子源辅助的方法在Ge基底上沉积了Ge1-xCx薄膜.制备过程中,Ge作为蒸发材料,CH4作为反应气体.通过改变CH4/（CH4＋Ar）的气体流量比（G）,制备了G从40%到85%的Ge1-xCx薄膜.应用X射线衍射仪（XRD）测量了Ge1-xC... 应用电子枪蒸发纯Ge,考夫曼离子源辅助的方法在Ge基底上沉积了Ge1-xCx薄膜.制备过程中,Ge作为蒸发材料,CH4作为反应气体.通过改变CH4/（CH4＋Ar）的气体流量比（G）,制备了G从40%到85%的Ge1-xCx薄膜.应用X射线衍射仪（XRD）测量了Ge1-xCx薄膜的晶体结构,使用傅里叶红外光谱仪（FTIR）测量了2～22 μm的光学透过率,X射线光电子能谱测试（XPS）计算得到C的含量随G的变化关系,用纳米压痕硬度测试计测量了Ge1-xCx薄膜的硬度,原子力显微镜（AFM）测量了G为60%,85%时Ge1-xCx薄膜的表面粗糙度.测试结果表明：制备的Ge1-xCx薄膜在不同的G值下均为无定形结构.折射率随着G值的增加而减小,在3.14～3.89之间可变,并具有良好的均匀性以及极高的硬度. 展开更多
关键词 Ge1-xCx薄膜 电子枪蒸发 离子辅助沉积(IAD) 考夫曼离子源
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提高考夫曼型离子源束流密度的研究 被引量：3
3
作者 赵光兴 杨国光 陈洪璆 《真空电子技术》 北大核心 1995年第5期13-16,共4页
本文依据金属的索未菲自由电子模型的量子统计理论结果，对提高考夫曼型离子源束流密度进行了研究，取得了一些有价值的结果。
关键词 考夫曼离子源 束流密度 微光学元件 离子束刻蚀
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深亚微米/纳米CMOS器件离子蚀刻新技术
4
作者 成立 王振宇 +3 位作者 武小红 范木宏 祝俊 赵倩 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期35-40,共6页
综述了制备深亚微米/纳米CMOS器件的离子蚀刻新技术:考夫曼(Kaufman)离子铣蚀刻、氟基气体多晶硅蚀刻、氯基或溴基气体硅深蚀刻、电子回旋共振(ECR)蚀刻系统和电感耦合等离子体蚀刻器(ICPE)等,并对比分析了上述蚀刻技术各自的优缺点及... 综述了制备深亚微米/纳米CMOS器件的离子蚀刻新技术:考夫曼(Kaufman)离子铣蚀刻、氟基气体多晶硅蚀刻、氯基或溴基气体硅深蚀刻、电子回旋共振(ECR)蚀刻系统和电感耦合等离子体蚀刻器(ICPE)等,并对比分析了上述蚀刻技术各自的优缺点及其应用要点。 展开更多
关键词 超大规模集成电路 纳米CMOS器件 离子束蚀刻 考夫曼离子源 电子回旋共振 电感耦合等离子体蚀刻器
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离子束辅助脉冲激光沉积硼碳氮薄膜 被引量：1
5
作者 俞丹 卢意飞 +2 位作者 戴祝萍 孙剑 吴嘉达 《功能材料与器件学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期101-106,共6页
以烧结B4C为靶材料、在氮离子束辅助下用脉冲激光沉积方法制备了三元化合物硼碳氮(BCN)薄膜。用X光电子谱和傅立叶变换红外谱方法表征了制备的薄膜。结果表明,膜层中包含B-C、N-C、B-N键等复合结构,以B-C-N原子杂化的形式结合成键,而并... 以烧结B4C为靶材料、在氮离子束辅助下用脉冲激光沉积方法制备了三元化合物硼碳氮(BCN)薄膜。用X光电子谱和傅立叶变换红外谱方法表征了制备的薄膜。结果表明,膜层中包含B-C、N-C、B-N键等复合结构,以B-C-N原子杂化的形式结合成键,而并非各种成分的简单混合。还探讨了成膜过程和相关机理,离子束中的活性氮有效地和脉冲激光对B4C靶烧蚀产生的硼和碳结合成键,氮离子束的辅助还能在一定程度上抑制氧杂质进入膜层,给衬底适当加温有利于提高氮的含量并影响薄膜的化学结构。 展开更多
关键词 硼碳氮薄膜 脉冲激光沉积 离子束辅助沉积 Kauffman离子源
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考夫曼离子源多极磁场结构设计与数值模拟
6
作者 陈长琦 张建国 +1 位作者 王君 郭江涛 《真空》 CAS 北大核心 2008年第4期83-86,共4页
论述了考夫曼离子源中两种磁场结构的特点。在采用多极磁场的离子源中,由于放电室内低磁场区的存在,可获得均匀性好的离子束流。采用环形永久磁体改进设计了考夫曼离子源的多极磁场,简化了磁路结构。运用Ansoft软件对多极磁场进行了数... 论述了考夫曼离子源中两种磁场结构的特点。在采用多极磁场的离子源中,由于放电室内低磁场区的存在,可获得均匀性好的离子束流。采用环形永久磁体改进设计了考夫曼离子源的多极磁场,简化了磁路结构。运用Ansoft软件对多极磁场进行了数值模拟,结果分析表明设计是可行的,为该类型离子源的磁路优化设计提供了理论依据。 展开更多
关键词 考夫曼离子源 多极磁场 环形永久磁体 结构设计 数值模拟
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