期刊导航
期刊开放获取
cqvip
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
单结In_xGa_(1-x)N太阳电池特性的研究
1
作者
阮兴祥
张富春
《电源技术》
CAS
北大核心
2019年第1期120-122,共3页
采用第一性原理和电子连续方程方法,研究了p层厚度和In的掺杂浓度对单结In_xGa_(1-x)N太阳电池性能的影响。计算结果表明:p层厚度从0.05μm增加到0.07μm,In0.1Ga0.9N电池的转换效率缓慢增大;当p层厚度从0.07μm逐渐增大到0.25μm时,太...
采用第一性原理和电子连续方程方法,研究了p层厚度和In的掺杂浓度对单结In_xGa_(1-x)N太阳电池性能的影响。计算结果表明:p层厚度从0.05μm增加到0.07μm,In0.1Ga0.9N电池的转换效率缓慢增大;当p层厚度从0.07μm逐渐增大到0.25μm时,太阳电池的转换效率逐渐减小。当In掺杂浓度在0.5～0.7范围内逐渐增大时,短路电流密度逐渐增大,开路电压逐渐减小。当In的掺杂浓度为0.63时,转换效率达到最大,为19.80%,填充因子为0.82。因此,通过调节p层厚度和改变In掺杂浓度的方法可以提高单结InxGa1-xN太阳电池的光电特性。
展开更多
关键词
p层厚度
In掺杂
inxga
1-
xn
太阳电池
光电特性
下载PDF
职称材料
衬底温度对In_xGa_(1-x)N薄膜结构特性的影响
2
作者
王金飞
薛玉明
+11 位作者
祝俊刚
周凯
谭炳尧
张衷维
李石亮
裴涛
汪子涵
王一
牛伟凯
姜舒博
杨醒
蓝英杰
《天津理工大学学报》
2012年第1期79-82,共4页
本文采用MOCVD工艺,通过调整衬底温度(固定其它工艺参数)来沉积用于太阳电池的InxGa1-xN薄膜,并利用X射线衍射仪(XRD)、X射线荧光光谱仪(XRF)、扫描电子显微镜(SEM)和台阶仪来分析研究其结构特性.衬底温度较低时有利于薄膜的In注入,衬...
本文采用MOCVD工艺,通过调整衬底温度(固定其它工艺参数)来沉积用于太阳电池的InxGa1-xN薄膜,并利用X射线衍射仪(XRD)、X射线荧光光谱仪(XRF)、扫描电子显微镜(SEM)和台阶仪来分析研究其结构特性.衬底温度较低时有利于薄膜的In注入,衬底温度较高时有利于沉积高结晶质量的InxGa1-xN薄膜.当衬底温度为470℃时,在硅衬底上所沉积的InxGa1-xN薄膜In含量较高,为46.92%;薄膜表面光滑致密,粗糙度小;颗粒较大,且颗粒大小均匀.
展开更多
关键词
inxga
1-
xn
薄膜
MOCVD
太阳电池
衬底温度
下载PDF
职称材料
题名
单结In_xGa_(1-x)N太阳电池特性的研究
1
作者
阮兴祥
张富春
机构
广西民族师范学院物理与电子工程学院
延安大学物理与电子信息学院
出处
《电源技术》
CAS
北大核心
2019年第1期120-122,共3页
基金
广西高校中青年教师基础能力提升项目(2017KY0831)
文摘
采用第一性原理和电子连续方程方法,研究了p层厚度和In的掺杂浓度对单结In_xGa_(1-x)N太阳电池性能的影响。计算结果表明:p层厚度从0.05μm增加到0.07μm,In0.1Ga0.9N电池的转换效率缓慢增大;当p层厚度从0.07μm逐渐增大到0.25μm时,太阳电池的转换效率逐渐减小。当In掺杂浓度在0.5～0.7范围内逐渐增大时,短路电流密度逐渐增大,开路电压逐渐减小。当In的掺杂浓度为0.63时,转换效率达到最大,为19.80%,填充因子为0.82。因此,通过调节p层厚度和改变In掺杂浓度的方法可以提高单结InxGa1-xN太阳电池的光电特性。
关键词
p层厚度
In掺杂
inxga
1-
xn
太阳电池
光电特性
Keywords
p-layer
In-doped
inxga
1-
xn
solar cells
photoelectric
properties
分类号
TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]
下载PDF
职称材料
题名
衬底温度对In_xGa_(1-x)N薄膜结构特性的影响
2
作者
王金飞
薛玉明
祝俊刚
周凯
谭炳尧
张衷维
李石亮
裴涛
汪子涵
王一
牛伟凯
姜舒博
杨醒
蓝英杰
机构
天津理工大学天津市薄膜电子与通信器件重点实验室
天津南大强芯半导体芯片设计有限公司
出处
《天津理工大学学报》
2012年第1期79-82,共4页
基金
天津市教委基金资助项目(20060607)
大学生创新实验计划项目(DCSX10-002)
文摘
本文采用MOCVD工艺,通过调整衬底温度(固定其它工艺参数)来沉积用于太阳电池的InxGa1-xN薄膜,并利用X射线衍射仪(XRD)、X射线荧光光谱仪(XRF)、扫描电子显微镜(SEM)和台阶仪来分析研究其结构特性.衬底温度较低时有利于薄膜的In注入,衬底温度较高时有利于沉积高结晶质量的InxGa1-xN薄膜.当衬底温度为470℃时,在硅衬底上所沉积的InxGa1-xN薄膜In含量较高,为46.92%;薄膜表面光滑致密,粗糙度小;颗粒较大,且颗粒大小均匀.
关键词
inxga
1-
xn
薄膜
MOCVD
太阳电池
衬底温度
Keywords
inxga
1-
xn
thin
films
MOCVD
solar cells
substrate
temperature
分类号
O484.4 [理学—固体物理]
O472.8 [理学—物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
单结In_xGa_(1-x)N太阳电池特性的研究
阮兴祥
张富春
《电源技术》
CAS
北大核心
2019
0
下载PDF
职称材料
2
衬底温度对In_xGa_(1-x)N薄膜结构特性的影响
王金飞
薛玉明
祝俊刚
周凯
谭炳尧
张衷维
李石亮
裴涛
汪子涵
王一
牛伟凯
姜舒博
杨醒
蓝英杰
《天津理工大学学报》
2012
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
