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中性空位引起的本征扩散对硅中注入砷离子在退火过程中再分布的影响
1
作者
汤庭鳌
郑大卫
C.A.Paz de Araujo
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1990年第8期642-645,共4页
本文对硅中砷扩散系数考虑了中性空位引起的本征扩散项D^0的影响,推导而得出D^0对表面浓度N_s,结深x_j(t)等的影响大约为5-10％。在离子注入退火的解析模型中考虑其影响是有实际意义的。
关键词
离子注入
硅
砷离子
退火
本征扩散
下载PDF
职称材料
题名
中性空位引起的本征扩散对硅中注入砷离子在退火过程中再分布的影响
1
作者
汤庭鳌
郑大卫
C.A.Paz de Araujo
机构
复旦大学电子工程系
University of Colorado at Colorado Springs
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1990年第8期642-645,共4页
文摘
本文对硅中砷扩散系数考虑了中性空位引起的本征扩散项D^0的影响,推导而得出D^0对表面浓度N_s,结深x_j(t)等的影响大约为5-10％。在离子注入退火的解析模型中考虑其影响是有实际意义的。
关键词
离子注入
硅
砷离子
退火
本征扩散
Keywords
Ion
implantation
Annealing
intrinsic
diffusion
analytical model
分类号
TN305.3 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
中性空位引起的本征扩散对硅中注入砷离子在退火过程中再分布的影响
汤庭鳌
郑大卫
C.A.Paz de Araujo
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1990
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