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高压大电流绝缘栅驱动器验证平台
1
作者 唐宁 初振东 《微处理机》 2019年第5期9-12,共4页
高压大电流绝缘栅驱动器在应用时具有一定的通用性,为快速充分验证不同绝缘栅驱动器的工作性能,设计高压大电流绝缘栅驱动验证平台。验证平台由上位机和下位机两部分组成,上位机和下位机之间设计通信接口电路,以确保数据交互的稳定性。... 高压大电流绝缘栅驱动器在应用时具有一定的通用性,为快速充分验证不同绝缘栅驱动器的工作性能,设计高压大电流绝缘栅驱动验证平台。验证平台由上位机和下位机两部分组成,上位机和下位机之间设计通信接口电路,以确保数据交互的稳定性。上位机可以对平台的验证模式和基本参数进行配置,下位机可以根据上位机的配置,控制整个系统进行工作。系统支持全参数自动验证模式,可以根据配置对不同频率、不同电压情况下绝缘栅驱动器的性能进行全自动验证,以提高验证效率。系统处于高压大电流的应用环境下,为保证系统的安全稳定性,设计电压监控、电流监控和安全保护机制。 展开更多
关键词 绝缘栅驱动器 死区时间 电流监控 全桥电路
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高压IGBT的驱动器应用研究 被引量:7
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作者 陈建峰 陶生桂 康劲松 《同济大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期214-218,共5页
介绍了一种新一代高性能的高压IGBT的集成驱动器SCALE的工作原理、特性以及过流保护的特点 ,重点讨论了在实际应用中注意事项 。
关键词 逆变器 绝缘栅双极型晶体管 集成驱动器 短路保护 过流保护 IGBT SCALE 轻轨车辆
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绝缘栅型功率开关器件栅极驱动主动控制技术综述 被引量:9
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作者 朱义诚 赵争鸣 +2 位作者 施博辰 鞠佳禾 虞竹珺 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第7期2082-2092,共11页
近10年来,绝缘栅型功率开关器件的栅极驱动主动控制技术因其对开关瞬态过程可控性高、无需对主电路进行改动的优势,在高压大容量电力电子应用场合得到越来越多的关注。首先介绍了主动栅极驱动电路的基本结构与电路实现,总结了现有栅极... 近10年来,绝缘栅型功率开关器件的栅极驱动主动控制技术因其对开关瞬态过程可控性高、无需对主电路进行改动的优势,在高压大容量电力电子应用场合得到越来越多的关注。首先介绍了主动栅极驱动电路的基本结构与电路实现,总结了现有栅极驱动主动控制技术的研究现状。在此基础上,从控制策略的设计、控制稳定性的分析、控制参数自适应调整能力、多功能集成以及宽禁带器件的主动控制方法等方面对当前的热点问题进行分析阐释。最后,围绕该技术有待研究的问题进行了讨论,并对其发展趋势做出展望。 展开更多
关键词 栅极驱动主动控制 绝缘栅型功率开关器件 驱动电路 开关瞬态过程 开关特性
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NPC三电平IGBT模块驱动电路设计及动态特性测试 被引量:1
4
作者 于浪浪 李贺龙 +1 位作者 殷千辰 韩亮亮 《电源学报》 CSCD 北大核心 2024年第3期146-155,共10页
二极管中点钳位NPC(neutral point clamped)三电平逆变器具备较低的开关应力、谐波分量和较好的抗干扰能力,促使其成为光伏、储能等新能源领域DC-AC变换器的主要拓扑之一。针对大功率应用场景中普遍采用的NPC三电平IGBT功率半导体模块... 二极管中点钳位NPC(neutral point clamped)三电平逆变器具备较低的开关应力、谐波分量和较好的抗干扰能力,促使其成为光伏、储能等新能源领域DC-AC变换器的主要拓扑之一。针对大功率应用场景中普遍采用的NPC三电平IGBT功率半导体模块开展研究,分析NPC三电平功率模块的换流回路,并据此给出对应换流回路的寄生参数精准仿真评估方法。依据换流回路寄生参数最小原则,设计适用于NPC三电平功率半导体模块的动态特性测试电路。根据换流回路以及电路工作原理,设计NPC三电平功率模块的驱动电路,并给出增强驱动电流、防直通及死区时间可调的驱动方案。最后,通过对NPC三电平IGBT模块的动态测试,详细评估了不同工况下功率器件的动态损耗。 展开更多
关键词 IGBT模块 双脉冲测试 门极驱动
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一种适用于充电机的IGBT高频驱动电路
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作者 艾胜胜 李康乐 +3 位作者 王雷 田地 许克磊 常超 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第9期844-850,共7页
随着国内地铁行业的快速发展,辅助系统充电机所用绝缘栅双极晶体管(IGBT)的开关频率已经可以达到上百千赫兹,一般的驱动器已经无法满足高频条件下对驱动信号的要求,IGBT高频驱动成为当前的研究焦点。基于MOS管开关速度快的特性以及比较... 随着国内地铁行业的快速发展,辅助系统充电机所用绝缘栅双极晶体管(IGBT)的开关频率已经可以达到上百千赫兹,一般的驱动器已经无法满足高频条件下对驱动信号的要求,IGBT高频驱动成为当前的研究焦点。基于MOS管开关速度快的特性以及比较器高精度、良好的稳定性、灵敏性、开关等特性,设计了一款IGBT高频驱动器。比较器把接收到的驱动信号转换为两路不同的驱动信号传输至PMOS管与NMOS管,从而实现IGBT高频驱动功能。搭建实验平台,经测试IGBT高频驱动开关频率可以实现100 kHz。和传统驱动电路对比,IGBT开关频率提高了50 kHz,实现了IGBT开关频率高频化。研究成果对大功率IGBT及SiC MOSFET驱动技术的应用具有一定的参考价值。 展开更多
关键词 充电机 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 高频 驱动器 欠压监测
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新型高压大功率开关功率放大器的研制 被引量:5
6
作者 张红彩 牛晓峰 +3 位作者 邹文 李婧 王一东 张巧寿 《航天器环境工程》 2010年第5期625-630,540,共6页
文章针对大型电动振动台的需求,提出了一种新型高压大功率开关功率放大器的设计方法,采用绝缘栅双极性晶体管(IGBT)全桥逆变电路和脉宽调制(PWM)集成控制电路来实现,研制出的样机调试取得良好效果。文中还对大功率IGBT驱动电路、单极性... 文章针对大型电动振动台的需求,提出了一种新型高压大功率开关功率放大器的设计方法,采用绝缘栅双极性晶体管(IGBT)全桥逆变电路和脉宽调制(PWM)集成控制电路来实现,研制出的样机调试取得良好效果。文中还对大功率IGBT驱动电路、单极性倍频PWM调制和输出滤波器进行了详细的讨论。 展开更多
关键词 开关功放 IGBT 驱动电路 PWM 振动台
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一种大功率IGBT软开关驱动电路 被引量:5
7
作者 王亮亮 杨媛 +1 位作者 刘海锋 高勇 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2015年第7期79-82,共4页
针对单一阻值栅极驱动器的不足,分析了绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的开关特性,阐述了IGBT驱动电路的关键点,设计了一种基于复杂可编程逻辑器件(CPLD)多等级控制的大功率IGBT软开关驱动电路。最后通过双脉冲实验,分别对比了软开关驱动和3.3... 针对单一阻值栅极驱动器的不足,分析了绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的开关特性,阐述了IGBT驱动电路的关键点,设计了一种基于复杂可编程逻辑器件(CPLD)多等级控制的大功率IGBT软开关驱动电路。最后通过双脉冲实验,分别对比了软开关驱动和3.3Ω,10Ω单一阻值驱动在控制IGBT开通和关断时的特性参数,验证了软开关驱动在某些特性参数方面具有明显的优越性。 展开更多
关键词 绝缘栅双极型晶体管 驱动器 软开关
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一种新电路在IGBT串联技术中的应用 被引量:5
8
作者 金其龙 孙鹞鸿 +1 位作者 张东东 严萍 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2009年第5期84-86,共3页
动态均压是IGBT串联技术的关键。在分析和研究国内外多种IGBT串联均压电路和均压方法的基础上,采用一种结构简单、控制容易的辅助均压电路对IGBT进行均压,并对其工作机理进行了说明。通过软件Pspice进行仿真,从理论上论证在IGBT串联中... 动态均压是IGBT串联技术的关键。在分析和研究国内外多种IGBT串联均压电路和均压方法的基础上,采用一种结构简单、控制容易的辅助均压电路对IGBT进行均压,并对其工作机理进行了说明。通过软件Pspice进行仿真,从理论上论证在IGBT串联中辅助均压的可行性。最后,通过试验验证该电路在IGBT串联电路均压的有效性。仿真和实验表明,该电路能够有效地使串入电路中的IGBT实现均压,给工程应用提供了一种IGBT串联的均压方法。 展开更多
关键词 晶体管 串联 均压/绝缘栅双极型晶体管 驱动信号
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大功率IGBT智能门极驱动光纤通信方法研究 被引量:2
9
作者 耿程飞 张东来 +1 位作者 吴轩钦 周志达 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2022年第9期54-56,共3页
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)门极驱动技术作为连接功率器件和低压控制电路的纽带,对变流器的可靠运行起着至关重要的作用。针对大功率IGBT状态监测和健康管理需求,提出一种适用于大功率IGBT智能门极驱动光纤数据通信协议架构及编码方法。... 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)门极驱动技术作为连接功率器件和低压控制电路的纽带,对变流器的可靠运行起着至关重要的作用。针对大功率IGBT状态监测和健康管理需求,提出一种适用于大功率IGBT智能门极驱动光纤数据通信协议架构及编码方法。基于该协议不但可以实现IGBT开关控制,还可以实现控制器与门极驱动板的双向数据交互,为IGBT主动门极控制和在线状态监测提供了一条信息高速公路,实验验证了该编码协议的有效性,对大功率IGBT的高可靠应用及健康管理具有重要意义。 展开更多
关键词 绝缘栅双极型晶体管 门极驱动 光纤通信
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中高压大功率IGBT驱动器有源箝位技术研究 被引量:3
10
作者 张成 胡亮灯 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2017年第7期51-55,共5页
中高压大功率终止型绝缘栅双极性晶体管(IGBT)中驱动器一般通过有源箝位电路来抑制其大电流关断时的电压尖峰。提出将有源箝位电路等效为典型闭环反馈控制系统并进行线性化处理的时域分析方法,用于分析有源箝位过程初期的动态性能。提... 中高压大功率终止型绝缘栅双极性晶体管(IGBT)中驱动器一般通过有源箝位电路来抑制其大电流关断时的电压尖峰。提出将有源箝位电路等效为典型闭环反馈控制系统并进行线性化处理的时域分析方法,用于分析有源箝位过程初期的动态性能。提出一种针对稳定箝位过程的静态分析方法,为有源箝位电路参数取值及确定箝位工作点提供依据。针对双N-MOSFET驱动级,设计了一种对驱动级进行棒-棒调节的有源箝位电路,该电路能降低瞬态电压抑制二极管(TVS)击穿电流,从而降低其在箝位过程中的损耗。最后通过仿真和实验结果验证了理论分析和电路设计的可行性、准确性、有效性。 展开更多
关键词 绝缘栅双极性晶体管 驱动器 有源箝位
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Art of Control of High Power IGBTs:From Theory to Practice-An Overview
11
作者 Petar J.Grbovic 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2012年第12期8-17,共10页
The insulated gate bipolar transistor(IGBT) was invented in early 80s as the controlled switch to replace HV MOSFETs and BJTs.Today,the IGBT is the major player in most of power conversion applications,such as home ap... The insulated gate bipolar transistor(IGBT) was invented in early 80s as the controlled switch to replace HV MOSFETs and BJTs.Today,the IGBT is the major player in most of power conversion applications,such as home appliance drives,power supplies,lighting,industrial variable speed drives,UPS,medical equipment,traction drives, power transmission,etc..As fully controlled device,die IGBT requires an appropriate gate driver in order to achieve full performances of the IGBT.The author of this paper has tried to systematically summarize some major aspects of application and control of high power as well low power IGBT.The major aspects considered are the IGBT losses,gate driver and protection techniques. 展开更多
关键词 IGBTs 电力电子技术 MOSFET 晶体管
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具有先进保护功能的新型IGBT门极驱动器集成电路 被引量:3
12
作者 L.Dulau 杨进峰(译) 陈燕平(校) 《变流技术与电力牵引》 2006年第5期26-30,39,共6页
论述了IGBT门极驱动器设计新方案,它具有先进的保护功能,如元件采用双电平开通以减小峰值电流,采用双电平关断以限制过电压,以及防止出现桥臂贯通的有源密勒箝位。此外还介绍一种包括双电平关断驱动器和有源密勒箝位功能的新电路,并对... 论述了IGBT门极驱动器设计新方案,它具有先进的保护功能,如元件采用双电平开通以减小峰值电流,采用双电平关断以限制过电压,以及防止出现桥臂贯通的有源密勒箝位。此外还介绍一种包括双电平关断驱动器和有源密勒箝位功能的新电路,并对所述功能的试验及结果进行阐述,重点介绍双电平关断驱动器的中间电平对IGBT过电压的影响。 展开更多
关键词 有源密勒箝位 双极型CMOS DMOS(BCD) 桥臂贯通 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 过冲 峰值电流 双电平驱动器
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基于IGBT器件的大功率高压直流断路器数字驱动的设计 被引量:1
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作者 曾进辉 樊杨杰 +2 位作者 何东 刘湘 廖晓斌 《湖南电力》 2022年第5期8-15,共8页
针对大功率多开关的应用场合,提出一种新的基于现场可编程门阵列(field programmble gate array,FPGA)高效并安全更可靠的多功能绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)数字驱动器,该驱动器能利用全面的IGBT状态检... 针对大功率多开关的应用场合,提出一种新的基于现场可编程门阵列(field programmble gate array,FPGA)高效并安全更可靠的多功能绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)数字驱动器,该驱动器能利用全面的IGBT状态检测电路、多路信号故障检测和保护电路。多开关、大功率10 kV/5 kA的断路器试验,验证了该驱动器能保证IGBT实现均压均流、温度检测等功能有效性,仅用6.4μs实现同时关断的功能,使IGBT开关过程得到优化,保障整个断路器的安全可靠。 展开更多
关键词 绝缘栅双极晶体管 大功率数字驱动器 现场可编程逻辑门阵列 多路信号故障检测
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绝缘栅双极晶体管驱动模块EXB841的应用 被引量:1
14
作者 陆建国 牛海风 《电工电气》 2009年第5期31-32,49,共3页
针对绝缘栅双极晶体管(IGBT)的等效电路,阐述了IGBT允许承受的短路时间与饱和压降的关系。分析了功率模块IGBT驱动及保护问题,介绍了驱动模块EXB841的特点及其在应用中存在的问题,并给出了实际应用中的解决方法。通过40kVA、400Hz变频... 针对绝缘栅双极晶体管(IGBT)的等效电路,阐述了IGBT允许承受的短路时间与饱和压降的关系。分析了功率模块IGBT驱动及保护问题,介绍了驱动模块EXB841的特点及其在应用中存在的问题,并给出了实际应用中的解决方法。通过40kVA、400Hz变频电源的研制应用,可以证明该方法具有很好的性能。 展开更多
关键词 绝缘栅双极晶体管 驱动 变频电源 保护
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电流源型驱动在高功率密度IGBT5中的应用研究 被引量:1
15
作者 秦海洋 郑姿清 +2 位作者 赵振波 王天真 李佳旭 《电源学报》 CSCD 北大核心 2018年第6期159-165,共7页
绝缘栅双极型晶体管IGBT(insulated gate bipolar transistor)的不断发展也推动着驱动技术的发展。为了减小高功率密度IGBT开通损耗以及优化电流变化率di/dt,提升系统的功率密度和能量转换效率,使用一种具有转换速率控制功能的驱动芯片... 绝缘栅双极型晶体管IGBT(insulated gate bipolar transistor)的不断发展也推动着驱动技术的发展。为了减小高功率密度IGBT开通损耗以及优化电流变化率di/dt,提升系统的功率密度和能量转换效率,使用一种具有转换速率控制功能的驱动芯片设计电流源型驱动。通过双脉冲实验平台进行测试,将结果与传统的电压源型驱动测试的结果进行对比、分析,从而验证该电流源型驱动在减小开通损耗和优化电流变化率di/dt方面的优势,为驱动电路的研究与设计提供参考。 展开更多
关键词 高功率密度 IGBT 电流源型驱动 开关损耗
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电压源换流器中IGBT串联动态均压新方法 被引量:1
16
作者 郑连清 罗洋 陆治国 《低压电器》 2012年第7期27-31,42,共6页
由动态电压不均衡引起的器件击穿致使串联失败是串联的关键问题。传统无源缓冲电路是以牺牲绝缘栅双极晶体管(IGBT)快速性换取电压均衡,IGBT损耗大。建立功率端与驱动端反馈的新型剩余电流动作保护器(RCD)动态均压电路替代传统无源缓冲... 由动态电压不均衡引起的器件击穿致使串联失败是串联的关键问题。传统无源缓冲电路是以牺牲绝缘栅双极晶体管(IGBT)快速性换取电压均衡,IGBT损耗大。建立功率端与驱动端反馈的新型剩余电流动作保护器(RCD)动态均压电路替代传统无源缓冲电路,对电路的均压效果和串联IGBT开关损耗进行仿真分析。试验验证了该动态均压电路在IGBT串联运行时能很好地抑制其驱动信号不同步造成的动态电压不均衡,确保了电压源换流器的安全运行。 展开更多
关键词 电压源换流器 绝缘栅双极晶体管 动态电压均衡 驱动信号
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大功率绝缘栅双极型晶体管驱动器SCALE-2的研究与应用
17
作者 张喜军 景崇友 +1 位作者 焦翠坪 任晓鹏 《低压电器》 北大核心 2011年第11期10-13,共4页
对新一代智能化IGBT驱动模块SCALE-2的关键技术与SCALE-1进行了对比分析。重点对其短路保护原理和脉冲丢失检测提出了驱动器的应用要点,并给出内部电路原理图与实测波形。
关键词 绝缘栅双极型晶体管 驱动器 SCALE-2光伏逆变器
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采用全栅型CSTBT^(TM)和镜像发射极检测技术的V1系列IPM
18
作者 Marco Honsberg Thomas Radke +1 位作者 Nishida Nobuya Uota Shiori 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2010年第9期106-108,共3页
为提高电机驱动和DC/DC变换器等功率电源的效率,V1系列智能功率模块(IPM)采用了全栅型CSTBTTM硅片和新开发的专用控制芯片等一系列新技术,其主要应用功率等级为几十千瓦,产品现有电压等级为1.2 kV,电流等级为200A/300 A/450 A,以及电压... 为提高电机驱动和DC/DC变换器等功率电源的效率,V1系列智能功率模块(IPM)采用了全栅型CSTBTTM硅片和新开发的专用控制芯片等一系列新技术,其主要应用功率等级为几十千瓦,产品现有电压等级为1.2 kV,电流等级为200A/300 A/450 A,以及电压等级为600 V,电流为400 A/600 A。硅片技术和结构的改善有效地降低了V1系列IPM的结温,从而增加功率循环和热循环能力。同时,V1系列IPM的引脚与之前的2单元V系列IPM兼容。 展开更多
关键词 电源 智能功率模块 绝缘栅双极型晶体管 电机驱动
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